具有等效串联电阻部件的半导体装置制造方法及图纸

本申请案涉及具有等效串联电阻部件的半导体装置。本文中揭示一种设备，其包含：第一导电层，其具有第一公共图案和在第一方向上布置的多个第一分支图案，所述第一分支图案中的每一者的一个端连接到所述第一公共图案；第二导电层，其具有第二公共图案和在所述第一方向上布置的多个第二分支图案，所述第二分支图案中的至少一者的一个端连接到所述第二公共图案；绝缘层，其形成在所述第一导电层和所述第二导电层之间；以及多个通路电极，其透过所述绝缘层，所述第一分支图案中的每一者的另一端连接到所述第二分支图案中的每一者的另一端中的相关联的一者。

【技术实现步骤摘要】
具有等效串联电阻部件的半导体装置
本申请案涉及半导体装置。
技术介绍
一些半导体装置包含用于使内部电压稳定的等效串联电阻(EquivalentSeriesResistance，ESR)部件。ESR部件的频率特性根据其电阻值而变化。因此，ESR部件的电阻值在半导体装置的设计阶段中被精细地调整。作为精细地调整ESR部件的电阻值的方法，考虑了一种改变穿过高电阻导体层的路径的长度的方法。然而，在此方法中，有必要一次将连接到许多电容器的大面积布线图案集中到一个位置，并将布线图案连接到由高电阻导体层形成的电阻器图案的端。在这种情况下，在大面积布线图案被集中的部分中添加了不能被忽略的电阻组件，并且因此难以调整如所设计的ESR部件的电阻值。因此，需要一种具有允许正确地调整如所设计的电阻值的配置的ESR部件。
技术实现思路
在本专利技术的一个方面中，提供一种设备。所述设备包括：第一导电层，其具有第一公共图案和在第一方向上布置的多个第一分支图案，所述第一分支图案中的每一者的一个端连接到所述第一公共图案；第二导电层，其具有第二公共图案和在所述第一方向上布置的多个第二分支图案，所述第二分支图案中的至少一者的一个端连接到所述第二公共图案；绝缘层，其形成在所述第一导电层和所述第二导电层之间；以及多个通路电极，其透过所述绝缘层，所述第一分支图案中的每一者的另一端连接到所述第二分支图案中的每一者的另一端中的相关联的一者。在本专利技术的另一方面中，提供一种设备。所述设备包括：多个第一分支图案；多个第二分支图案，其各自与所述第一分支图案中的相关联的一者重叠和连接，所述第二分支图案被分成第一组和第二组；第一公共图案，其共同地连接到所述第一分支图案；第二公共图案，其共同地连接到属于所述第一组的所述第二分支图案，而不连接到属于所述第二组的所述第二分支图案。附图说明图1是展示根据本专利技术的半导体装置的实例的框图。图2是存储器单元的电路图。图3是用于阐释ESR部件的配置的示意性平面图。图4是串联连接的两个ESR部件的示意性横截面图。图5到8是用于阐释ESR部件中的电阻组件分别被设定为图3中的电阻组件的两倍、三倍、四倍和六倍的状态的示意性平面图。图9是用于阐释根据修改的ESR部件的配置的示意性平面图。图10是用于阐释ESR部件的值被设定为图9中的值的两倍的状态的示意性平面图。具体实施方式下文将参考附图详细地阐释本专利技术的各种实施例。以下详细描述参考附图，所述附图以图示的方式展示了可以实践本专利技术的特定方面和实施例。充分详细地描述了这些实施例以使所属领域的技术人员能够实践本专利技术。在不脱离本专利技术的范围的情况下，可以利用其它实施例并且可以进行结构、逻辑和电气改变。本文中所揭示的各种实施例未必互斥，这是因为一些所揭示的实施例可以与一或多个其它所揭示的实施例组合以形成新的实施例。根据本专利技术的半导体装置10是DRAM，并包含存储器单元阵列12、外围电路14和内部电压生成电路16，如图1所展示。存储器单元阵列12由布置成阵列的许多存储器单元形成。如图2所展示，存储器单元阵列12包含分别布置在位线BL和字线WL的相交点处的存储器单元MC。存储器单元MC是DRAM单元，并具有单元晶体管T和单元电容器C彼此串联连接的配置。对存储器单元阵列12的存取是由外围电路14进行。外围电路14基于经由命令地址端子22从外部供应的命令地址信号CA而针对存储器单元阵列12执行读取操作或写入操作。外围电路14在读取操作中将从存储器单元阵列12读取的数据DQ从数据端子24输出到外部，并在写入操作中将从外部供应到数据端子24的数据DQ写入到存储器单元阵列12中。外围电路14根据介于供应到内部供电线32的内部供电电势Vint和供应到内部供电线34的接地电势GND之间的电压进行操作。内部供电电势Vint是由内部电压生成电路16生成。内部电压生成电路16接收经由供电端子26从外部供应的外部供电电势Vext和经由接地端子28从外部供应的接地电势GND，并基于那些电势生成内部供电电势Vint。由设置在半导体装置10外部的去耦电容器(未展示)使外部供电电势Vext稳定。同时，由连接在内部供电线32和34之间的ESR部件40使由内部电压生成电路16生成的内部供电电势Vint稳定。ESR部件40具有吸收通过外围电路14的操作而叠加在内部供电电势Vint上的供电噪声的功能。在图1所展示的实例中，两个ESR部件40串联连接在内部供电线32和34之间。ESR部件40具有电阻组件42和电容组件44串联连接的配置。ESR部件40的频率特性由电阻组件42精细地调整。图3是用于阐释ESR部件40的配置的示意性平面图。如图3所展示，ESR部件40包含形成在下布线层中的第一公共图案50和多个第一分支图案521到5224，以及形成在上布线层中的第二公共图案60和多个第二分支图案621到6224。下布线层由例如钨的耐熔金属制成，并且上布线层由例如铝或铜的低电阻金属制成。第一公共图案50共同地连接到多个电容器元件80的下电极。电容器元件80是配置图1所展示的电容组件44的元件，并具有与配置存储器单元MC的单元电容器C大致上相同的配置。第一分支图案521到5224都在x方向上延伸。在图3所展示的实例中，24个第一分支图案521到5224在y方向上布置。第一分支图案521到5224是配置图1所展示的电阻组件42的元件。在x方向上的第一分支图案521到5224的一个端都连接到第一公共图案50。在x方向上的第一分支图案521到5224的另一端分别连接到相关联的通路导体701到7024的下端。第二分支图案621到6224全部在x方向上延伸。在图3所展示的实例中，24个第二分支图案621到6224在y方向上布置，并在平面图中分别具有在相关联的第一分支图案521到5224上重叠的部分。在x方向上的第二分支图案621到6224的一个端都连接到第二公共图案60。在x方向上的第二分支图案621到6224的另一端分别连接到相关联的通路导体701到7024的上端。就这种配置来说，第一分支图案521到5224和第二分支图案621到6224分别经由相关联的通路导体701到7024彼此短接。结果，第一公共图案50和第二公共图案60彼此连接，并且第一公共图案50和第二公共图案60之间的电阻值是由第一分支图案521到5224确定的值。因为第二分支图案621到6224的电阻值充分低于第一分支图案521到5224的电阻值，所以可以忽略第二分支图案621到6224的电阻值。ESR部件40布置在图1所展示的外围电路14被布置的外围电路区域中。在ESR部件40的组件当中，第一公共图案50和电容器元件80布置在外围电路区域中的电容器阵列区域中。电容器阵列区域是电容器元件80被布置的区域。通路导体701到7024布置在外围电路区域中的通路可形成区域中。如图3所展示，在电容器阵列区域和通路可形成区域之间存在避开(KEEP-OFF)区域。避开区域是不允许布置通路导体的区域。...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n第一导电层，其具有第一公共图案和在第一方向上布置的多个第一分支图案，所述第一分支图案中的每一者的一个端连接到所述第一公共图案；/n第二导电层，其具有第二公共图案和在所述第一方向上布置的多个第二分支图案，所述第二分支图案中的至少一者的一个端连接到所述第二公共图案；/n绝缘层，其形成在所述第一导电层和所述第二导电层之间；以及/n多个通路电极，其透过所述绝缘层，所述第一分支图案中的每一者的另一端连接到所述第二分支图案中的每一者的另一端中的相关联的一者。/n

【技术特征摘要】
20190130 US 16/262,7001.一种设备，其包括：
第一导电层，其具有第一公共图案和在第一方向上布置的多个第一分支图案，所述第一分支图案中的每一者的一个端连接到所述第一公共图案；
第二导电层，其具有第二公共图案和在所述第一方向上布置的多个第二分支图案，所述第二分支图案中的至少一者的一个端连接到所述第二公共图案；
绝缘层，其形成在所述第一导电层和所述第二导电层之间；以及
多个通路电极，其透过所述绝缘层，所述第一分支图案中的每一者的另一端连接到所述第二分支图案中的每一者的另一端中的相关联的一者。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所有所述第二分支图案的所述一个端连接到所述第二公共图案。


3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二分支图案中的一些的所述一个端连接到所述第二公共图案，并且剩余第二分支图案的所述一个端从所述第二公共图案断开。


4.根据权利要求3所述的设备，其中连接到所述第二公共图案的所述第二分支图案在所述第一方向上规则地布置。


5.根据权利要求4所述的设备，其中连接到所述第二公共图案的所述第二分支图案中的至少一者和从所述第二公共图案断开的所述第二分支图案中的至少一者在所述第一方向上交替地布置。


6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一分支图案中的每一者在大致上垂直于所述第一方向的第二方向上延伸。


7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一分支图案中的每一者具有曲折形状。


8.根据权利要求3所述的设备，其进一步包括共同地连接到所述第一公共图案的多个电容器元件。


9.根据权利要求8所述的设备，其进一步包括多个存储器单元，所述多个存储器单元各自具有单元晶体管和单元电容器，
其中所述电容器元件中的每一者具有与所述单元电容器大致上相同的结构。

【专利技术属性】
技术研发人员：太田賢，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US