一种用于节距移动的测量基底及其制备方法、测量方法技术

本发明专利技术属于光学测量技术领域，公开了一种用于节距移动的测量基底及其制备方法、测量方法。测量基底上设置有测量标记，测量标记包括多个标记单元并构成周期性的第一光栅结构；每个标记单元包括2n个标记线条并构成非对称型的第二光栅结构。制备方法包括设计测量模板、光刻、牺牲层掩膜、沉积、刻蚀。用于节距移动的测量方法包括制备测量基底，采集并根据测量基底产生的+1阶、‑1阶衍射光的光强，获得节距移动的大小。本发明专利技术解决了现有技术中针对节距移动的测量手段分辨率较低、测量速度较慢的问题，能够实现高速、无损测量，提高测量的灵敏度和分辨率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于节距移动的测量基底及其制备方法、测量方法
本专利技术涉及光学测量
，尤其涉及一种用于节距移动的测量基底及其制备方法、测量方法。
技术介绍
在半导体集成电路、平板显示等领域，功能器件的微加工首先通过光刻将掩膜版上的图案复刻在光刻胶上；然后再通过后续的刻蚀、清洗等工艺将图案传递到基底，制成需要加工的结构。由于受到光的衍射极限的限制，光刻所能加工的最小器件线宽是一定的。为了实现更高的器件集成度，就需要实现更小的加工线宽和节距，这样就需要通过其他的加工工艺来缩减光刻后的线宽和节距。其中，自对准双重成像技术就是一种常用的手段，可以将原来结构的一个节距变为两个节距，从而实现两倍的更高集成度。但是，由于加工工艺的复杂性，新生成的两个节距的大小可能会不一致，这种误差通常被称为节距移动(Pitchwalk)，会引起和其他层之间的套刻对准误差，进而影响良率。目前针对节距移动的测量手段主要是扫描电子显微镜，但是扫描电子显微镜的缺点在于测量速度慢，不适合用于实时测量；并且在测量中难以准确区分两个相邻节距，导致测量错误。另外基于建模仿真的光学测量也本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于节距移动的测量基底，其特征在于，所述测量基底上设置有测量标记，所述测量标记包括多个标记单元，多个所述标记单元构成周期性的第一光栅结构；/n每个所述标记单元包括2n个标记线条，2n个所述标记线条构成非对称型的第二光栅结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于节距移动的测量基底，其特征在于，所述测量基底上设置有测量标记，所述测量标记包括多个标记单元，多个所述标记单元构成周期性的第一光栅结构；
每个所述标记单元包括2n个标记线条，2n个所述标记线条构成非对称型的第二光栅结构。


2.根据权利要求1所述的用于节距移动的测量基底，其特征在于，所述第一光栅结构的周期与测量节距移动的入射光的波长相同。


3.根据权利要求1所述的用于节距移动的测量基底，其特征在于，所述标记线条的线宽与实际器件单元的线宽相同，所述第一方向与实际器件单元的方向一致。


4.根据权利要求1所述的用于节距移动的测量基底，其特征在于，每个所述标记单元中的任意两个相邻的标记线条之间的节距均不同。


5.一种如权利要求1-4中任一所述的用于节距移动的测量基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、设计测量模板；
所述测量模板包括多个模板单元，多个所述模板单元构成周期性的光栅结构；每个所述模板单元包括n个模板线条；
步骤2、将所述测量模板通过光刻复制到光刻胶上；
步骤3、光刻图案通过刻蚀转移到牺牲层上形成掩膜；
步骤4、针对每一个所述模板线条，以所述模板线条为核心，通过沉积形成两个微线条；
步骤5、所述微线条通过刻蚀转移到功能层，形成所述测量标记。


6.根据权利要求5所述的用于节距移动的测量基底的制备方法，其特征在于，每个所述模板单元中的n个所述模板线条的线宽等差设置，位于中间位置的模板线条的线宽与实际器件单元的线宽相同；每个所述模板单元中的n个所述模板线条的周期相同，...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋毅，刘胜，桂成群，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42