吹扫管、单晶提拉装置及硅单晶的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种吹扫管。吹扫管（5）具备：圆筒部（51），形成为圆筒状，将从腔室（21）的外部导入的非活性气体向硅熔液（M）侧导引；以及凸缘部（52），从圆筒部（51）的外周面朝向外侧以凸缘状突出；在凸缘部（52）的至少一部分，设置有能够由设置在腔室（21）的外部的光学观察机构（3）进行硅单结晶（SM）的培养状况的观察的透过部（522）。

【技术实现步骤摘要】
吹扫管、单晶提拉装置及硅单晶的制造方法
本专利技术涉及吹扫管、单晶提拉装置及硅单晶的制造方法。
技术介绍
以往，在硅单晶的制造中，使用腔室外部的摄像机构将内部摄像，基于硅单晶的培养状况对硅单晶的培养条件进行控制（例如，参照文献1：日本特开2011－246341号公报）。文献1所记载的单晶提拉装置具备石英制的吹扫管。吹扫管具备透明的窥视窗。经由该窥视窗，CCD照相机能够将硅单晶的培养状况摄像。但是，在文献1的结构中，由于窥视窗的表面与铅直线（沿重力的方向延伸的直线）平行，所以CCD照相机的光轴相对于窥视窗的表面的入射角变大。因此，有可能导致窥视窗的表面处的反射像被CCD照相机摄像而不能将硅单晶的培养状况适当地摄像。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够从腔室的外部适当地掌握硅单晶的培养状况的吹扫管、单晶提拉装置及硅单晶的制造方法。本专利技术的吹扫管，是设置在单晶提拉装置的腔室内的吹扫管，其特征在于，具备：圆筒部，形成为圆筒状，将从前述腔室的外部导入的非活性气体向硅熔液侧导引；以及凸缘部，从前述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种吹扫管，设置在单晶提拉装置的腔室内，其特征在于，/n具备：/n圆筒部，形成为圆筒状，将从前述腔室的外部导入的非活性气体向硅熔液侧导引；以及/n凸缘部，从前述圆筒部的外周面朝向外侧以凸缘状突出；/n在前述凸缘部的至少一部分，设置有能够由设置在前述腔室的外部的光学观察机构进行硅单晶的培养状况的观察的透过部。/n

【技术特征摘要】
20181130 JP 2018-2248431.一种吹扫管，设置在单晶提拉装置的腔室内，其特征在于，
具备：
圆筒部，形成为圆筒状，将从前述腔室的外部导入的非活性气体向硅熔液侧导引；以及
凸缘部，从前述圆筒部的外周面朝向外侧以凸缘状突出；
在前述凸缘部的至少一部分，设置有能够由设置在前述腔室的外部的光学观察机构进行硅单晶的培养状况的观察的透过部。


2.如权利要求1所述的吹扫管，其特征在于，
前述透过部形成为，使前述光学观察机构的光轴相对于该透过部的上表面的入射角成为45°以下。


3.如权利要求2所述的吹扫管，其特征在于，
前述透过部形成为，使前述入射角成为0°。


4.如权利要求1所述的吹扫管，其特征在于，
前述透过部由厚度均匀的平板状的石英形成。


5.如权利要求1所述的吹扫管，其特征在于，
前述凸缘部形成为在与前述圆筒部的中心轴正交的方向上延伸的圆环板状。


6.如权利要求5所述的吹扫管，其特征在于，
前述凸缘部其厚度形成得均匀。
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【专利技术属性】
技术研发人员：早川裕，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP