【技术实现步骤摘要】
一种用在光波导电场传感器的BGO晶体的设计方法
本专利技术属于BGO晶体切割加工领域，具体涉及一种用在光波导电场传感器的BGO晶体的设计方法。
技术介绍
光学电场传感器在电场测量领域受到了越来越多人的重视，相比传统有源电场传感器，其具有尺寸小、精度高、灵敏度高、线性动态范围大、频率响应宽等优点，光学电场传感器具有广泛的应用前景和研究价值。现有光学电场传感器多由晶体光路部分和输出光检测电路组成，对于晶体光路部分，现有的制备方法多会影响电光晶体的光学特性，以至于降低整个电场传感器的测量精度。BGO晶体具有良好的电光效应，其电光系数大，且无自然双折射、无热释电效应，是光学电场传感器中最理想的传感材料。对于集成BGO(锗酸铋，Bi4Ge3O12)晶体光波导电场传感器，其晶体尺寸大小、内部的光波导结构、光波导的刻画工艺、电极的制作方法以及与其它光学元件的耦合等都会对传感器性能产生影响，因此针对集成BGO晶体光波导电场传感器，其晶体部分的制备方法及制作工艺设计具有重要意义。现有的光学电场传感器中晶体光路部分大多有以下几个...
【技术保护点】
1.一种用在光波导电场传感器的BGO晶体的设计方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1：将原料Bi
【技术特征摘要】
1.一种用在光波导电场传感器的BGO晶体的设计方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：将原料Bi2O3和GeO2置于坩埚并加热融化，得到熔体，然后将籽晶浸入熔体，同时对熔体提拉、旋转，诱导熔体结晶得到BGO立方晶体；
S2：利用激光切割的方式将立方晶体切割成标准的BGO晶体，并对BGO晶体表面进行光学抛光；
S3：利用飞秒激光在BGO晶体的内部相邻的刻画出多条相互平行但位于不同深度的刻痕，这些刻痕组成一条第一光波导，所述第一光波导包括第一弯曲部和第一直线部；
S4：重复S3，在BGO晶体内部刻画出一条与第一光波导对称的第二光波导，所述第二光波导包括第二弯曲部和第二直线部，所述第二弯曲部和第一弯曲部连通，将第一直线部和第二直线部进行切割，在倾斜的切割断面镀上高反膜；
S5：利用激光烧蚀的方法，在第一直线部的两侧刻画互相平行的沟槽，并利用电子束喷涂的方法，在沟槽内制作Au金属电极；
S6：利用有源对准技术，将光纤与第一弯曲部和第二弯曲部的连通处相耦合。
2.根据权利要求1所述的用在光波导电场传感器的BGO晶体的设计方法，其特征在于：步骤S2中，在BGO立方晶体的<110>、<001>面上进行切割，切割后的BGO晶体沿方向，并且其方形面在<110>平面内。
3.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：王瑾，胡煌，季启政，冯娜，陈秋荻，龙丹，
申请(专利权)人：中国地质大学武汉，北京东方计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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