化合物、有机电致发光器件以及电子装置制造方法及图纸

本申请属于有机材料技术领域并提供一种具有化学式1结构的化合物，其中，Ar

【技术实现步骤摘要】
化合物、有机电致发光器件以及电子装置
本申请涉及有机材料
，具体地涉及一种稠环化合物以及包括该化合物的有机电致发光器件以及电子装置。
技术介绍
有机发光二极管(organiclight-emittingdiode)，简称为OLED。其原理是在阴阳两极施加电场时，阳极侧的空穴和阴极侧的电子会向发光层移动，在发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，从激发态释放能量变为基态释放能量的过程对外发光。自1987年美国柯达公司报道有机分子电致发光和1990年英国剑桥大学报道聚合物电致发光以来，世界各国纷纷开展研究与开发。该类材料具有结构简单、成品率高、成本低、主动发光、响应速度快、分率高等优点，且具有驱动电压低、全固态、非真空、抗荡、耐低温(-40℃)等性能。近年来，OLED材料在智能手机领域得到了广泛应用，被认为是未来最有可能替代液晶显示器的一种新技术，引起极大关注。为了提高有机电致发光器件的亮度、效率和寿命，通常在有机电致发光器件中使用多层结构，这些多层结构可以包括如下膜层中的一种或多种：空穴注入层(holeinjectionla本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，所述化合物具有化学式1所示的结构：/n

【技术特征摘要】
20191230 CN 20191139900891.一种化合物，所述化合物具有化学式1所示的结构：



其中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4分别独立地选自H或式1-1表示的基团，且Ar1、Ar2、Ar3、Ar4至少有一个为式1-1表示的基团；



在式1-1中，Ar5和Ar6各自独立地选自以下取代或未取代的基团：碳原子数为1-20的烷基、碳原子数为3-20的环烷基、碳原子数为6-30的芳基、碳原子数为3-30的杂芳基；
L选自单键、取代或未取代的碳原子数为1-20的亚烷基、取代或未取代的碳原子数为3-20的亚环烷基、取代或未取代的碳原子数为6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为3-30的亚杂芳基；
R1、R2、R3、R4分别独立地选自氘、卤素、氰基、碳原子数为1-12的烷基、碳原子数为1-12的烷氧基、碳原子数为1-12的烷硫基、碳原子数为1-12的卤代烷基、碳原子数为3-12的三烷基硅烷基、碳原子数为3-12的环烷基、碳原子数为6-18的芳氧基、碳原子数为6-18的芳硫基、碳原子数为6-18的芳基、碳原子数为3-18的杂芳基、碳原子数为6-24的芳基硅烷基；
a选自0，1，2，3，4，且当a大于等于2时，任意两个R1相同或不同；
b选自0，1，2，3，4，且当b大于等于2时，任意两个R2相同或不同；
c选自0，1，2，3，4，且当c大于等于2时，任意两个R3相同或不同；
d选自0，1，2，3，4，且当d大于等于2时，任意两个R4相同或不同。


2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述L、Ar5和Ar6的取代基相同或不同，分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1-12的烷基、碳原子数为1-12的烷氧基、碳原子数为1-12的烷硫基、碳原子数为1-12的卤代烷基、碳原子数为3-12的三烷基硅烷基、碳原子数为3-12的环烷基、碳原子数为6-18的芳氧基、碳原子数为6-18的芳硫基、碳原子数为6-18的芳基、碳原子数为3-18的杂芳基、碳原子数为6-24的芳基硅烷基。


3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述L选自单键、成环碳原子数为6-25的芳基、成环碳原子数为3-24的杂芳基。


4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述L选自单键、或如下基团组成的组：



其中，表示化学键，
Z1至Z21独立地选自氢、氘、卤素、氰基、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的卤代烷基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为1-6的烷氧基、碳原子数为6-18的芳氧基、碳原子数为6-18的芳硫基、碳原子数为6-20的芳基、碳原子数为3-20的杂芳基；
Z选自C(R5R6)，N(R7)，O，S，Si(R5R6)，Se；
R5，R6相同或不同，分别独立地选自氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1-10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3-10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6-20的芳基、取代或未取代的碳原子数为3-20的杂芳基；或者，
任选地，R5，R6相互连接形成饱和或不饱和的环状基团；
X选自以下取代或未取代的基团：碳原子数为1-10的亚烷基、碳原子数为3-10的亚环烷基、碳原子数为6-20的亚芳基、碳原子数为3-30的亚杂芳基；
R7选自以下取代或未取代的基团：碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为3-10的环烷基、碳原子数为6-20的芳基、碳原子数为3-20的杂芳基；
X1至X10分别独立地选自C或N，且至少一个为N；
X11至X15分别独立地选自C或N，且至少一个为N；
X16至X23分别独立地选自C或N，且至少一个为N；
X24至X27分别独立地选自C(R5R6)，N(R7)，O，S，Si(R5R6)，Se；
X28，X29分别独立地选自C或N，且至少一个为N；
n1，n3，n4，n6，n7，n8，n9，n15，n17，n19分别独立地选自1，2，3或4；
n2，n14，n1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凯凯，薛震，王金平，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61