含氮化合物、电子元件和电子装置制造方法及图纸

本申请提供了一种如式I所示的含氮化合物、电子元件和电子装置，属于有机材料技术领域。该含氮化合物能够改善电子元件的性能。

【技术实现步骤摘要】
含氮化合物、电子元件和电子装置
本申请涉及有机材料
，尤其涉及一种含氮化合物、电子元件和电子装置。
技术介绍
随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元件的应用范围越来越广泛。该类电子元件，例如有机电致发光器件或者光电转化器件，通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。举例而言，当电子元件为有机电致发光器件时，其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的有机发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向有机发光层移动，阳极侧的空穴也向有机发光层移动，电子和空穴在有机发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得有机发光层对外发光。现有技术中，如美国专利US09/632348记载了一些新的电致发光材料。然而，依然有必要继续研发新型的材料，以进一步提高电子元件的性能。所述
技术介绍
部分专利技术的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种含氮化合物、电子元件和电子装置，用于提高电子元件的性能。为实现上述专利技术目的，本申请采用如下技术方案：根据本申请的第一个方面，提供一种含氮化合物，所述含氮化合物的结构式如式I所示：其中，L选自单键、取代或未取代的碳原子数为6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为1-30的杂亚芳基；Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自取代或未取代的碳原子数为6-31的芳基、取代或未取代的碳原子数为2-30的杂芳基；其中，L、Ar1和Ar2上的取代基分别独立地选自：氘、硝基、羟基、烷基、环烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基甲硅烷。根据本申请的第二个方面，提供一种电子元件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的含氮化合物。根据本申请的第三个方面，提供一种电子装置，电子装置包括上述的电子元件。本申请的含氮化合物引入了降冰片基作为取代基，相较于支链烷基等取代基可以大幅减少由于分子旋转、振动、构象改变等引起的能量损失，使得含氮具有良好的稳定性和耐热性。不仅如此，该含氮化合物将降冰片基引入到三芳基胺的分支之间，精细调节胺与各个芳基成键键角与共轭程度，从而起到降低有机电致发光器件的工作电压、提高发光效率和提升寿命的效果，也可以起到提高光电转化器件的开路电压、提高光电转化效率、提高光电转化器件的寿命的效果，进而可以提高应用该含氮化合物的电子元件的性能。本申请的含氮化合物引入降冰片基以调节电子元件的性能，克服了引入金刚烷基所导致的制备困难、成本高昂、热稳定差的缺陷，能够降低电子元件的制备成本。附图说明通过参照附图详细描述其示例实施方式，本申请的上述和其它特征及优点将变得更加明显。图1是本申请实施方式的一种有机电致发光器件的结构示意图。图2是本申请实施方式的一种电子装置的结构示意图。图3是本申请实施方式的一种光电转化器件的结构示意图。图4是本申请实施方式的一种电子装置的结构示意图。图中主要元件附图标记说明如下：100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320、空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机电致发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；360、光电转化层；400、电子装置；500、电子装置。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。本申请提供一种含氮化合物，所述含氮化合物的结构式如式I所示：L选自单键、取代或未取代的碳原子数为6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为1-30的杂亚芳基；Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自取代或未取代的碳原子数为6-31的芳基、取代或未取代的碳原子数为2-30的杂芳基；其中，L、Ar1和Ar2上的取代基分别独立地选自：氘、硝基、羟基、烷基、环烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基甲硅烷。在本申请中，L、Ar1和Ar2的碳原子数，指的是所有碳原子数。举例而言，若L选自取代的碳原子数为12的亚芳基，则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为12。例如：Ar1为则其碳原子数为7；L为其碳原子数为12。在本申请中，芳基指的是衍生自芳香烃环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者多个稠环芳基。即，通过碳碳键共轭连接的两个或者多个芳香基团也可以视为本申请的芳基。其中，芳基中不含有B、N、O、S或P等杂原子。举例而言，在本申请中，联苯基、三联苯基等为芳基。芳基的示例可以包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、二甲基芴基等，而不限于此。在本申请中，取代的芳基，指的是芳基中的一个或者多个氢原子被其它基团所取代。例如至少一个氢原子被氘原子、羟基、硝基、氨基、支链烷基、直链烷基、环烷基、烷氧基、烷胺基或者其他基团取代。可以理解的是，取代的碳原子数为18的芳基，指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数为18个。举例而言，9,9-二苯基芴基的碳原子数为25。在本申请中，未取代的芳基，指的是的碳原子数为6-31的芳基，例如：苯基、萘基、芘基、二甲基芴基、9，9二苯基芴基、螺二芴基、蒽基、菲基、基、甘菊环基、苊基、联苯基、苯并蒽基、螺二芴基、苝基、茚基等。取代的碳原子数为6-30的芳基是指至少一个氢原子被氘原子、F、Cl、I、CN、羟基、硝基、氨基等取代。在本申请中，未取代的芳烷基，指的是碳原子数为7-31的芳烷基；例如：苯甲基等。取代的碳原子数为7-31的芳烷基是指至少一个氢原子被氘原子、F、Cl、I、CN、羟基、硝基、氨基等取代。在本申请中，“杂芳基”是指芳基上至少一个碳原子被杂原子N、O、P、S和Si替换的基团。在本申请中，未取代的杂芳基，可以指的是碳原子数为2-30的杂芳基。例如：吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、吲哚基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并硒吩基等。取代的碳原子数为2-30的杂芳基是指至少一个氢原子被氘原子、F、Cl本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构式如式I所示：/n

【技术特征摘要】
20191031 CN 20191105482461.一种含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构式如式I所示：



其中，L选自单键、取代或未取代的碳原子数为6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为1-30的杂亚芳基；
Ar1和Ar2相同或不同，分别独立地选自取代或未取代的碳原子数为6-31的芳基、取代或未取代的碳原子数为2-30的杂芳基；
其中，L、Ar1和Ar2上的取代基分别独立地选自：氘、硝基、羟基、烷基、环烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基甲硅烷。


2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，所述L选自：单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚二甲基芴基。


3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，所述L选自如下取代基所组成的组：



其中，*表示L用于与基团连接；**表示L用于与基团连接。


4.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，所述L为单键。


5.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，所述Ar1和Ar2分别独立地选自：碳原子数为6～31的未取代的芳基、碳原子数为7～31的取代的芳基、碳原子数为4～18的未取代的杂芳基、碳原子数为6～15的取代的杂芳基。


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【专利技术属性】
技术研发人员：马天天，李健，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61