【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体产生装置
本说明书的
涉及通过使用微波来产生等离子体的等离子体产生装置。
技术介绍
等离子体技术已经应用于电学、化学和材料领域。等离子体产生具有高化学反应活性的自由基和紫外线以及电子和阳离子。自由基被用于例如半导体的蚀刻和膜形成。紫外线被用于例如灭菌。源自等离子体的这样的大量物质扩大了等离子体技术实行的领域范围。存在一种微波被用于产生等离子体的装置。例如,专利文献1公开了一种等离子体产生装置,在该等离子体产生装置中微波从微波产生单元传输至波导,并且等离子体从设置在波导中的缝(缝隙状通孔)产生(参见专利文献1的图1、图4等)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本公开特许公报(特开)第2014-175051号
技术实现思路
本专利技术要解决的问题在专利文献1的技术中,从缝喷射等离子体。然而,在缝处产生的电场不一定是大的。为了产生稳定的等离子体,必须在缝处产生更大的电场。已经完成了本说明书的技术以便解决上述传统技术的问题。即,其目的是提供一种 ...
【技术保护点】
1.一种等离子体产生装置,包括:/n波导,其在xyz直角坐标系中的z方向上延伸;以及/n微波产生单元,其用于产生在所述z方向上传播通过所述波导的微波,其中,/n所述波导包括面向所述波导的内部的第一导体表面、面向所述波导的内部的第二导体表面以及从所述第一导体表面延伸至所述波导的外部的缝;/n所述第一导体表面和所述第二导体表面彼此电连通并且彼此面对;/n作为在垂直于所述z方向的截面中所述第一导体表面的y方向上的长度的第一长度小于作为在垂直于所述z方向的所述截面中所述第二导体表面的所述y方向上的长度的第二长度;/n所述第一长度包括在垂直于所述z方向的所述截面中所述缝的所述y方向上 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171218 JP 2017-2422571.一种等离子体产生装置,包括:
波导,其在xyz直角坐标系中的z方向上延伸;以及
微波产生单元,其用于产生在所述z方向上传播通过所述波导的微波,其中,
所述波导包括面向所述波导的内部的第一导体表面、面向所述波导的内部的第二导体表面以及从所述第一导体表面延伸至所述波导的外部的缝;
所述第一导体表面和所述第二导体表面彼此电连通并且彼此面对;
作为在垂直于所述z方向的截面中所述第一导体表面的y方向上的长度的第一长度小于作为在垂直于所述z方向的所述截面中所述第二导体表面的所述y方向上的长度的第二长度;
所述第一长度包括在垂直于所述z方向的所述截面中所述缝的所述y方向上的长度;以及
所述第二长度小于在x方向上所述第一导体表面与所述第二导体表面之间的距离。
2.根据权利要求1所述的等离子体产生装置,其中,所述第一导体表面和所述第二导体表面中的每个是平行于yz平面的表面。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体产生装置,其中,
所述波导包括:第三导体表面和第四导体表面,所述第三导体表面和所述第四导体表面面向所述波导的内部,与所述第二导体表面连续并且彼此面对;以及第一连接表面和第二连接表面中的至少一个;
所述第三导体表面和所述第四导体表面中的每个包括平行于xz平面的表面;
所述第一连接表面建立所述缝或所述第一导体表面与所述第三导体表面之间的连接;以及
所述第二连接表面建立所述缝或所述第一导体表面与所述第四导体表面之间的连接。
4.根据权利要求3所述的等离子体产生装置,其中,所述第一连接表面与所述第四导体表面之间的距离随着与所述第一导体表面的距离增加而增加。
5.根据权利要求3或4所述的等离子体产生装置,其中,所述第二连接表面与所述第三导体表面之间的距离随着...
【专利技术属性】
技术研发人员:豊田浩孝,铃木阳香,
申请(专利权)人:国立大学法人东海国立大学机构,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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