【技术实现步骤摘要】
一种基于电场效应硅基内腔成形的方法
本专利技术属于微纳米制造
，具体涉及一种基于电场效应硅基内腔成形的方法。
技术介绍
在无外力作用的情况下，受材料本身以及加工技术条件的限制，硅基内腔在单一的温度场作用下成形时存在形状大小的不稳定性，使得成形结构对器件的兼容性差，进而制约MEMS器件的性能表现。相场模型是在一种介观尺度上模拟和预测材料形态及微观结构演化的计算模拟方法。在相场模型中，通过构建电场耦合温度场的总自由能方程，并对方程进行数值求解及仿真分析，为硅基内腔成形的稳定性与可控性的数值模拟提供了新的思路。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决目前硅基内腔在单一温度场作用下成形时存在形状大小不稳定，成形结构存在缺陷的问题，提供一种基于电场效应硅基内腔成形的方法。为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，包括如下步骤：步骤一：定义硅基变量c；步骤二：建立相场总自由能模型；步骤三：改变相场模型的尺寸参数，求解硅原子...
【技术保护点】
1.一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一：定义硅基变量c；/n步骤二：建立相场总自由能模型；/n步骤三：改变相场模型的尺寸参数，求解硅原子的控制方程并进行仿真。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：定义硅基变量c；
步骤二：建立相场总自由能模型；
步骤三：改变相场模型的尺寸参数，求解硅原子的控制方程并进行仿真。
2.根据权利要求1所述的一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，其特征在于，所述步骤一，c是随时间在空间上的变化参数，代表硅基内部的微观结构的演化过程，c＝1表示硅相，c＝0表示空气相。
3.根据权利要求1所述的一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，其特征在于，所述步骤二，所述相场为电场耦合温度场。
4.根据权利要求1所述的一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，其特征在于，所述步骤二，相场中包含多种能量和动力，其中能量包括化学能、表面能、静电能，动力包括硅原子的迁移、扩散过程。
5.根据权利要求1所述的一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，其特征在于，所述步骤三，利用C语言编程求解硅原子的控制方程，并导入Tecplot软件进行可视化处理，观察模拟的硅基内腔成形结构。
6.根据权利要求1-5...
【专利技术属性】
技术研发人员：张俐楠，朱伟华，刘红英，陈超，吴立群，王洪成，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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