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本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种基于电场效应硅基内腔成形的方法，本发明基于电场耦合温度场建立硅基总自由能方程，并对方程进行数值求解及仿真分析，通过C语言编程仿真与可视化处理，观察总结基于电场效应硅基内腔成形的变化规律，为硅基内腔成...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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