一种集成电路和电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种集成电路和电子设备，能够提供一种具有较佳面积效率的集成电路。此集成电路可以为可变电阻式随机存取存储器，其包括以行列方向配列的多个电阻式存储记忆胞，所述的电阻式存储记忆胞包括可变阻抗单元和与上述可变阻抗单元耦接的开关单元；所述每列方向的可变阻抗单元分别与对应的所述源极线耦接，所述源极线包括第一源极线与第二源极线，所述第一源极线与所述第二源极线位于不同配线层。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路和电子设备
本技术涉及集成电路，尤其涉及一种存储器和电子设备。
技术介绍
在集成电路领域中，随着发展，集成电路变为更小、更紧密且更拥挤。给定面积里所形成及安置的电子组件愈来愈多，以致装置有可能更小，包括更小的存储单元、及用于操作该存储单元的互连件。然而，随着电子组件以更靠近的方式安置在一起，紧密靠近会导致不期望的效应。因此，希望提供集成电路在可用空间的使用上更有效率的结构。其中，电阻式随机存取存储器(RRAM，ResistiveRandomAccessMemory)，是一种新型技术。RRAM由于结合了SRAM，DRAM和FLASH的优点于一身，可以实现非易失性、超高密度、低功耗、低成本和高比例缩小的特点，被产业界认为是最有可能的下一代非易失性存储器(NVM)。新兴的NVM由于其相对较大的带宽和迅速增长的容量，可以在AI芯片的存算一体技术中发挥至关重要的作用。典型的RRAM的基本结构为底电极、电阻转态层及顶电极构成的一金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal,MIM)叠层结构组成，电阻转态层作为离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，包括：多个集成电路单元和多条源极线，其中，所述多条源极线包括位于不同层的第一源极线与第二源极线，所述第一源极线与所述第二源极线位于不同配线层，所述集成电路单元耦接至所述第一源极线或所述第二源极线。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：多个集成电路单元和多条源极线，其中，所述多条源极线包括位于不同层的第一源极线与第二源极线，所述第一源极线与所述第二源极线位于不同配线层，所述集成电路单元耦接至所述第一源极线或所述第二源极线。


2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述的集成电路为存储器，所述的存储器包括：多个存储单元和多条源极线，其中，所述多条源极线包括位于不同层的第一源极线与第二源极线，所述第一源极线与所述第二源极线位于不同配线层，所述存储单元耦接至所述第一源极线或所述第二源极线。


3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述的存储器为电阻式随机存取存储器，所述存储单元为以行列方向配列的多个电阻式存储记忆胞，所述的电阻式存储记忆胞包括可变阻抗单元和与所述可变阻抗单元耦接的开关单元，所述源极线包括第一源极线与第二源极线，所述第一源极线与所述第二源极线位于不同配线层。


4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述的第一源极线位于第一配线层，所述的第二源极线位于所述第一配线层上层...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈鼎瀛，相奇，
申请(专利权)人：厦门半导体工业技术研发有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35