一种耐冲击晶片电阻器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种耐冲击晶片电阻器，包括基板和设置在所述基板上的电阻层，所述基板具有上表面，该上表面上具有第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极均与所述电阻层搭接；所述基板为片状长条，所述第一电极和第二电极均为导电片，所述第一电极和第二电极以所述基板上表面的长边方向的中心线为轴，对称设置在所述基板的上表面。本实用新型专利技术所述的晶片电阻器不需经过激光修整精度，且只需印一层电阻层，相比现有技术中的晶片电阻器其具有优良的耐冲击性能，和较短的产品生产周期。

【技术实现步骤摘要】
一种耐冲击晶片电阻器
本技术涉及电阻器领域，尤其涉及一种耐冲击晶片电阻器。
技术介绍
随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断地提出新的要求，片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。现有技术制作的电阻器因需要经过激光的切割来修整阻值精度，因此其耐冲击的能力较为不足，在脉冲较大的电路中其风险相对较高；同时，因晶片电阻器在加工的过程中需要经过激光修整阻值精度，所以坯料的生产周期加长，加工效率不高；进一步的，因加工电阻器的电阻层时会加印一层电阻料，其坯料的加工时间又进一步的拉长。因此，亟需提出一种新的技术方案来解决上述问题，给市场提供一种既能高效生产又具有较优良的耐冲击性能的晶片电阻器。
技术实现思路
本技术的目的是解决现有技术中存在的问题，给市场提供一种耐冲击晶片电阻器。为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种耐冲击晶片电阻器，包括基板和设置在所述基板上的电阻层，r>进一步的，所述基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐冲击晶片电阻器，其特征在于，包括基板(2)和设置在所述基板(2)上的电阻层(1)，/n所述基板(2)具有上表面(21)，该上表面(21)上具有第一电极(31)和第二电极(32)，所述第一电极(31)和第二电极(32)分别与所述电阻层(1)搭接；/n所述基板(2)为片状长条，所述第一电极(31)和第二电极(32)均为导电片，所述第一电极(31)和第二电极(32)对称设置在所述基板(2)的上表面(21)，且所述第一电极(31)和第二电极(32)均以所述基板(2)上表面(21)的长边方向的中心线为轴。/n

【技术特征摘要】
1.一种耐冲击晶片电阻器，其特征在于，包括基板(2)和设置在所述基板(2)上的电阻层(1)，
所述基板(2)具有上表面(21)，该上表面(21)上具有第一电极(31)和第二电极(32)，所述第一电极(31)和第二电极(32)分别与所述电阻层(1)搭接；
所述基板(2)为片状长条，所述第一电极(31)和第二电极(32)均为导电片，所述第一电极(31)和第二电极(32)对称设置在所述基板(2)的上表面(21)，且所述第一电极(31)和第二电极(32)均以所述基板(2)上表面(21)的长边方向的中心线为轴。


2.根据权利要求1所述的晶片电阻器，其特征在于，所述第一电极(31)和第二电极(32)相对设置，且第一电极(31)和第二电极(32)之间具有间隙，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智高，蔡东谋，简高柏，
申请(专利权)人：国巨电子中国有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32