【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种通过检测根据与对象物表面的距离而变化的静电电容，读取指纹等的具有微细凹凸的对象物的表面形状的静电电容检测装置。
技术介绍
以往，用于指纹传感器等中的静电电容检测装置是在单晶硅基板上形成传感器电极和设置在该传感器电极上的电介质膜(特开平11-118415、特开2000-346608、特开2001-5620、特开2001-133213等)。图1说明以往的静电电容检测装置的工作原理。传感器电极和电介质膜成为电容器的一方电极和电介质膜，人体成为接地的另一方电极。该电容器的静电电容CF随着接触在电介质膜表面的指纹的凹凸而相应变化。另一方面，在半导体基板上，准备静电电容为Cs的电容器，将这两个电容器串联连接，施加规定的电压。这样，在两个电容器之间产生对应于指纹的凹凸的电荷Q。利用通常的半导体技术来检测出该电荷Q，读取对象物的表面形状。然而，这些以往的静电电容检测装置，因为在单晶硅基板上形成该装置，如果作为指纹传感器使用，在手指用力按压时，会出现该装置破裂的问题。并且，作为指纹传感器的用途，必然要求20mm×20mm程度的大小，传感器电极占有静电电容检测装...
【技术保护点】
一种静电电容检测装置，其通过检测根据与对象物的距离而变化的静电电容，读取该对象物的表面形状，其特征在于，包括配置成Ｍ行Ｎ列矩阵状的Ｍ根个别电源线、Ｎ根个别输出线、和设置在该个别电源线与该个别输出线的交点上的静电电容检测元件； 该静电电容检测元件包括信号检测元件和信号放大元件；该信号检测元件包括电容检测电极、电容检测电介质膜和基准电容器，该基准电容器由基准电容器第一电极、基准电容器电介质膜和基准电容器第二电极所构成；该信号放大元件由栅电极、栅绝缘膜 和半导体膜所构成的信号放大用ＭＩＳ型薄膜半导体装置来构成。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫坂光敏，吉田纩幸，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。