半导体装置制造方法及图纸

提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。以与包含呈现半导体特性的金属氧化物的半导体层的底面接触的方式设置包含氧化物的岛状绝缘层。包含氧化物的绝缘层以与成为半导体层的沟道形成区域的部分接触的方式设置，且不设置在成为低电阻区域的部分中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置或显示装置的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。
技术介绍
作为可用于晶体管的半导体材料，使用金属氧化物的氧化物半导体受到瞩目。例如，专利文献1公开了如下半导体装置：层叠有多个氧化物半导体层，在该多个氧化物半导体层中，被用作沟道的氧化物半导体层包含铟及镓，并且铟的比例比镓的比例高，使得场效应迁移率(有时，简称为迁移率或μFE)得到提高的半导体装置。由于能够用于半导体层的金属氧化物可以利用溅射法等形成，所以可以被用于构成大型显示装置的晶体管的半导体层。此外，因为可以将使用多晶硅或非晶硅的晶体管的生产设备的一部分改良而利用，所以可以抑制设备投资。此外，与使用非晶硅的晶体管相比，使用金属氧化物的晶体管具有高场效应迁移率，所以可以实现设置有驱动电路的高性能的显示装置。此外，专利文献2公开了一种应用氧化物半导体膜的薄膜晶体管，其中，在源区域及漏区域中包括包含铝、硼、镓、铟、钛、硅、锗、锡和铅中的至少一种作为掺杂剂的低电阻区域。[先行技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利申请公开第2014-7399号公报[专利文献2]日本专利申请公开第2011-228622号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种电特性良好的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种电特性稳定的半导体装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的半导体装置。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。此外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的目的。解决技术问题的手段本专利技术的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、半导体层及第一导电层。第二绝缘层位于第一绝缘层上并具有岛状形状。半导体层具有与第二绝缘层的顶面接触的部分以及与第一绝缘层的顶面接触的部分，并具有岛状形状。第三绝缘层及第一导电层依次层叠在半导体层上。第二绝缘层至少设置在第一导电层和半导体层重叠的区域中。此外，半导体层在沟道长度方向上超过第二绝缘层的一对端部而延伸到外侧，并在沟道宽度方向上位于第二绝缘层的一对端部的内侧。此外，半导体层包含金属氧化物，第一绝缘层包含金属氧化物或氮化物，第二绝缘层及第三绝缘层包含氧化物。此外，在上述结构中，优选包括第二导电层及第三导电层。此时，优选的是，第二导电层及第三导电层夹着第二绝缘层彼此分开地设置，并且各自在没有设置第二绝缘层的区域中与半导体层接触。此外，在上述结构中，优选包括第四绝缘层。此时，优选的是，第四绝缘层覆盖第二绝缘层、半导体层、第三绝缘层及第一导电层，具有在没有设置第二绝缘层的区域中与半导体层的顶面的一部分接触的部分，并具有在半导体层的端部的外侧与第一绝缘层接触的部分。并且，第四绝缘层优选包含金属氧化物或氮化物。此外，在上述结构中，第四绝缘层优选包含氮化硅或氮化铝。此外，在上述结构中，第一绝缘层优选包含氮化硅或氧化铝。此外，在上述结构中，优选在第一绝缘层之下包括第四导电层。此时，第四导电层优选具有与半导体层、第一导电层及第二绝缘层的全部重叠的区域。此外，在上述结构中，优选在是没有设置半导体层的区域的第二导电层和第四导电层重叠的区域中包括第五绝缘层。此时，第五绝缘层优选位于与第二绝缘层相同的面上并包含与第二绝缘层相同的材料。此外，在上述结构中，优选在第三绝缘层和第一导电层之间包含金属氧化物层。此时，金属氧化物层及半导体层优选包含相同的金属元素。另外，该金属氧化物层优选包含铝或铪。专利技术效果根据本专利技术的一个方式可以提供一种电特性良好的半导体装置。另外，根据本专利技术的一个方式可以提供一种电特性稳定的半导体装置。另外，根据本专利技术的一个方式可以提供一种可靠性高的显示装置。注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。此外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的效果。附图说明[图1]晶体管的结构例子。[图2]晶体管的结构例子。[图3]晶体管的结构例子。[图4]晶体管的结构例子。[图5]像素的结构例子。[图6]说明晶体管的制造方法的图。[图7]说明晶体管的制造方法的图。[图8]说明晶体管的制造方法的图。[图9]显示装置的俯视图。[图10]显示装置的截面图。[图11]显示装置的截面图。[图12]显示装置的截面图。[图13]显示装置的方框图及电路图。[图14]显示装置的电路图。[图15]显示模块的结构例子。[图16]电子设备的结构例子。[图17]电子设备的结构例子。[图18]电子设备的结构例子。[图19]根据实施例的晶体管的电特性。具体实施方式以下，参照附图对实施方式进行说明。但是，实施方式可以以多个不同方式来实施，所属
的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式而不脱离本专利技术的宗旨及其范围。因此，本专利技术不应该被解释为仅限定在以下所示的实施方式所记载的内容中。在本说明书所说明的附图中，为便于清楚地说明，有时夸大表示各结构的大小、层的厚度或区域。本说明书所使用的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混淆而附加的，而不是为了在数目方面上进行限定的。在本说明书中，为了方便起见，使用“上”、“下”等表示配置的词句以参照附图说明构成要素的位置关系。此外，构成要素的位置关系根据描述各结构的方向适当地改变。因此，不局限于说明书中所说明的词句，根据情况可以适当地换词句。此外，在本说明书等中，在采用极性不同的晶体管或电路工作中的电流方向变化的情况等下，晶体管所包括的源极及漏极的功能有时相互调换。因此，“源极”和“漏极”可以相互调换。在本说明书等中，“电连接”包括通过“具有某种电作用的元件”连接的情况。在此，“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接对象间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。例如，“具有某种电作用的元件”不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等的开关元件、电阻器、电感器、电容器、其他具有各种功能的元件等。此外，在本说明书等中，可以将“膜”和“层”相互调换。例如，有时可以将“导电层”变换为“导电膜”。此外，例如，有时可以将“绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、半导体层及第一导电层，/n其中，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上并具有岛状形状，/n所述半导体层具有与所述第二绝缘层的顶面接触的部分以及与所述第一绝缘层的顶面接触的部分，并具有岛状形状，/n所述第三绝缘层及所述第一导电层依次层叠在所述半导体层上，/n所述第二绝缘层至少设置在所述第一导电层和所述半导体层重叠的区域中，/n所述半导体层在沟道长度方向上超过所述第二绝缘层的一对端部而延伸到外侧，/n所述半导体层在沟道宽度方向上位于所述第二绝缘层的一对端部的内侧，/n所述半导体层包含金属氧化物，/n所述第一绝缘层包含金属氧化物或氮化物，/n并且，所述第二绝缘层及所述第三绝缘层包含氧化物。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171222 JP 2017-2461811.一种半导体装置，包括：
第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、半导体层及第一导电层，
其中，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上并具有岛状形状，
所述半导体层具有与所述第二绝缘层的顶面接触的部分以及与所述第一绝缘层的顶面接触的部分，并具有岛状形状，
所述第三绝缘层及所述第一导电层依次层叠在所述半导体层上，
所述第二绝缘层至少设置在所述第一导电层和所述半导体层重叠的区域中，
所述半导体层在沟道长度方向上超过所述第二绝缘层的一对端部而延伸到外侧，
所述半导体层在沟道宽度方向上位于所述第二绝缘层的一对端部的内侧，
所述半导体层包含金属氧化物，
所述第一绝缘层包含金属氧化物或氮化物，
并且，所述第二绝缘层及所述第三绝缘层包含氧化物。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括第二导电层及第三导电层，
其中所述第二导电层及所述第三导电层夹着所述第二绝缘层彼此分开地设置，
并且所述第二导电层及所述第三导电层各自在没有设置所述第二绝缘层的区域中与所述半导体层接触。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，还包括第四绝缘层，
其中所述第四绝缘层覆盖所述第二绝缘层、所述半导体层、所述第三绝缘层及所述第一导电层，具有在没有设置所...

【专利技术属性】
技术研发人员：肥冢纯一，神长正美，岛行德，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP