一种LED封装支架及封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种LED封装支架及封装结构，所述支架包括：基板，设置于所述基板上的焊盘，与LED芯片的电极进行连接，所述焊盘的面积大于所述LED芯片的电极面积，所述焊盘表层为金层，所述金层的厚度小于或者等于25nm。通过将焊盘表层的金层厚度设置在25nm及以下范围内，使得焊接芯片过程中，锡膏不易扩散，且可以充分的溶入镍层，从而与镍形成良好的Ni

【技术实现步骤摘要】
一种LED封装支架及封装结构
本技术涉及器件封装
，特别是涉及一种LED封装支架及封装结构。
技术介绍
随着集成电路集成度的增加，芯片的封装技术也越来越多样化，因为芯片倒装技术具有缩短封装内的互连长度，进而能够更好地适应高度集成的发展需求，目前已广泛应用于芯片封装领域。随着显示屏对像素要求的不断提升，要求像素间距越来越小，LED芯片及其封装器件的尺寸越来越小，其制作过程面临的困难与挑战越来越多。现有LED封装支架的焊盘表层大多设置为一层金(Au)层来作为保护层防止下层金属被氧化，金层的厚度对焊接过程中锡膏的扩散和溶解至关重要。焊接时，金层在充足的热量下，会以比镍(Ni)快几万倍的速度(溶速为117微英寸/秒)迅速溶入焊锡的主体中形成四处分散的界面金属间化合物(IMC)AuSn4，而金层下的镍与焊锡在较慢速度下形成的界面金属间化合物(IMC)Ni3Sn4才是决定焊接强度的关键，只有形成良好的Ni3Sn4的IMC层，才能保证焊接的牢固程度。若金层太厚，会导致焊锡扩散进而不能很好地溶入镍层以形成良好的Ni3Sn4的IMC层，甚至造成“金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED封装支架，其特征在于，所述支架包括：基板，设置于所述基板上的焊盘，与LED芯片的电极进行连接，所述焊盘的面积大于所述LED芯片的电极面积，所述焊盘表层为金层，所述金层的厚度小于或者等于25nm。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED封装支架，其特征在于，所述支架包括：基板，设置于所述基板上的焊盘，与LED芯片的电极进行连接，所述焊盘的面积大于所述LED芯片的电极面积，所述焊盘表层为金层，所述金层的厚度小于或者等于25nm。


2.根据权利要求1所述的一种LED封装支架，其特征在于，所述金层的厚度为10～20nm。


3.根据权利要求1所述的一种LED封装支架，其特征在于，所述焊盘的面积是所述LED芯片电极的面积的1.2～200倍。


4.根据权利要求1所述的一种LED封装支架，其特征在于，所述LED包括MiniLED以及MicroLED。


5.根据权利要求1所述的一种LED封装支架，其特征在于，所述焊盘为包括钛层，铜层，镍层以及金层的叠层结构。


6.根据权利要求5所述的一种LED封装支架，其特征在于，所述钛层为所述焊盘的底层，所述铜层设置于所述钛层之上，所述镍层设置于所述铜层之上，所述金层为所述焊盘的表层。


7.根据权利要求5所述的一种LED封装支架，其特征在于，所述钛层的厚度为50nm～500nm，所述铜层的厚度为20μm～50μm。


8.根据权利要求5所述的一种LED封装支架，其特征在于：所述镍层的厚度为500～5000nm。


9.根据权利要求5所述的一种LED封装支架，其特征在于，所述铜层包括至少三层铜结构。


10.根据权利要求9所述的一种LED封装支架，其特征在于，所述铜层包括三层铜结构，其中所述铜层中的底层铜结构厚度为300nm～500nm，中间层铜结构厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵来文，陈斯烧，王军，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35