【技术实现步骤摘要】
一种钝化镀膜系统
本技术涉及太阳能电池制造
,尤其涉及一种钝化镀膜系统。
技术介绍
目前电池端的抗PID技术主要集中在二氧化硅/氮化硅叠层技术上,这种复合膜的抗PID性能已经得到行业的高度认可。在二氧化硅/氮化硅叠层的制备上,二氧化硅层是重点,其直接影响到组件的抗PID性能,电池外观和转换效率。二氧化硅层的制备有三种方法:一种是利用PECVD技术,对N2O/SiH4电离沉积出二氧化硅层,但这种技术的二氧化硅层致密性差,对石墨舟和炉管损伤严重,还会降低电池的转换效率;第二种是在去PSG设备中增加臭氧氧化装置,对硅片表面进行氧化,形成二氧化硅层,这种技术成本低,工艺简单;第三种是热氧法沉积二氧化硅,热氧法沉积二氧化硅薄膜的效果较好,但是一般需要高温下(600℃~1100℃)进行30min~60min,这样长时间的高温处理会引起少数载流子寿命的降低、磷的再次分布、金属杂质的扩散等问题,这些都将影响太阳能电池的转换效率。同时,目前市场上均要求电池片具有抗PID的性能,现在普遍的做法是在刻蚀后,再用单独的抗PID机台沉积 ...
【技术保护点】
1.一种钝化镀膜系统,其特征在于,沿着物料传输方向包括进料仓、用于沉积钝化膜的抗PID装置、PECVD工艺仓和出料仓;/n所述抗PID装置包括用于提供O
【技术特征摘要】
1.一种钝化镀膜系统,其特征在于,沿着物料传输方向包括进料仓、用于沉积钝化膜的抗PID装置、PECVD工艺仓和出料仓;
所述抗PID装置包括用于提供O2或压缩空气的气瓶、用于诱发O2产生O3的诱导装置和钝化仓;所述诱导装置设于所述钝化仓内,能够在常温下诱发O2产生O3。
2.根据权利要求1所述的钝化镀膜系统,其特征在于,所述PECVD工艺仓包括加热区、成膜工艺区和降温区。
3.根据权利要求2所述的钝化镀膜系统,其特征在于,所述加热区内设有电阻丝加热器。
4.根据权利要求1所述的钝化镀膜系统,其特征在于,所述进料仓、所述钝化仓、所述PECVD工艺仓和所述出料仓的仓门上均设有仓门密封圈。
5.根据权利要求1-4任一项所述的钝化镀膜系统,其特征在于,所述进料...
【专利技术属性】
技术研发人员:于义超,陈斌,张俊兵,
申请(专利权)人:晶澳扬州太阳能科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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