一种抗压陶瓷电容芯片、电容器以及高压带电显示器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种抗压陶瓷电容芯片、电容器以及高压带电显示器。抗压陶瓷电容芯片包括：圆柱形的陶瓷体，陶瓷体的上端面中部设有圆形且同轴的上凹孔，上凹孔的外侧形成上绝缘侧壁；上绝缘侧壁与上凹孔的底面之间设有弧形过渡面；上凹孔的底面覆盖有主电极；陶瓷体的下端面中部设有圆形且同轴的下凹孔，下凹孔的内径大于上凹孔的内径，下凹孔的外侧形成下绝缘侧壁，下绝缘侧壁的深度小于上绝缘侧壁的深度；下绝缘侧壁与下凹孔的底面之间设有倾斜面，下凹孔的底面和倾斜面均覆盖有副电极。通过在陶瓷体上设置上凹孔、下凹孔，增加主电极、副电极边缘的空气线路，有利于提高陶瓷体的耐压能力，可承受高压有利于陶瓷电容芯片、电容器的体积小型化。

【技术实现步骤摘要】
一种抗压陶瓷电容芯片、电容器以及高压带电显示器
本技术涉及陶瓷电容
，尤其涉及一种抗压陶瓷电容芯片、电容器以及高压带电显示器。
技术介绍
在电力输送过程中，一般采用高压电输送；在输送过程中需要定期对输送线路进行检修，通过检测电压来判断线路是否正常，一般采用高压带电显示器进行检测；高压带电显示器中的检测单元一般采用电压传感器，电压传感器中设置需要设置一个电容器进行滤波，该电容器需要具有抗高压的能力，电容器内的电容芯片抗高压能力主要是材质和形状，在材质固定的前提下，一般通过增加电容芯片的厚度来提高电容芯片的抗压能力；厚度较大的电容芯片不利于搬运，且体积较大。
技术实现思路
本技术的目的在于解决现有技术的不足，提供一种能够承受高压且体积较小的抗压陶瓷电容芯片。本技术的另一目的在于提供一种具有上述陶瓷电容芯片的电容器，以及高压带电显示器。一种抗压陶瓷电容芯片，其包括：圆柱形的陶瓷体，陶瓷体的上端面中部设有圆形且同轴的上凹孔，上凹孔的外侧形成上绝缘侧壁；上绝缘侧壁与上凹孔的底面之间设有弧形过渡面；上凹孔的底面覆盖有主电极；所述陶瓷体的下端面中部设有圆形且同轴的下凹孔，且下凹孔的内径大于上凹孔的内径，下凹孔的外侧形成下绝缘侧壁，下绝缘侧壁的深度小于上绝缘侧壁的深度；所述下绝缘侧壁与下凹孔的底面之间设有倾斜面，所述下凹孔的底面和倾斜面均覆盖有副电极。进一步地，所述陶瓷体的侧面设有若干个绝缘环。优选地，所述绝缘环的外端部呈圆弧形。一种电容器，其包括外壳，外壳内设有筒状的屏蔽层，屏蔽层内套接有上端开口的绝缘内胆，绝缘内胆的上端连接有绝缘盖，所述绝缘内胆内设有上述的陶瓷电容芯片，陶瓷电容芯片的上端、下端分别连接有上绝缘体和下绝缘体，绝缘内胆与陶瓷电容芯片、上绝缘体、下绝缘体之间填充有绝缘填充体，所述上绝缘体的下端设有与上凹孔相配合的下凸块，所述上绝缘体的中部设有上穿线孔，所述主电极的中部焊接有上焊锡点并连接有上导线；所述下绝缘体的上端设有与下凹孔相配合的上凸块，下绝缘体的中部设有下穿线孔，副电极的中部焊接有下焊锡点并连接有下导线；所述外壳的上端、下端中部分别连接有上电极块和下电极块，上电极块插入绝缘盖，上导线穿过上穿线孔、绝缘填充体并与上电极块连接；下电极块插入绝缘内胆，下导线穿过下穿线孔、绝缘填充体并与下电极连接。进一步地，所述绝缘填充体内设有放电电阻，放电电阻的两端通过导线分别与上电极块、下电极块连接。一种高压带电显示器，其包括电压传感器，所述电压传感器设置有上述的电容器。本技术的有益效果为：通过在陶瓷体上设置上凹孔、下凹孔，增加主电极、副电极边缘的空气线路，有利于提高陶瓷体的耐压能力，可以承受高压有利于陶瓷电容芯片、电容器的体积小型化。附图说明图1为本技术陶瓷电容芯片的一种剖视结构示意图。图2为本技术陶瓷电容芯片的另一种剖视结构示意图。图3为本技术电容器的一种剖视结构示意图。图4为本技术电容器的另一种剖视结构示意图。附图标记说明：1——陶瓷体；2——副电极；3——下凹孔；4——主电极；5——上凹孔；6——倾斜面；7——绝缘环；10——陶瓷电容芯片；11——下绝缘体；12——下电极块；13——下焊锡点；14——外壳；15——绝缘填充体；16——上焊锡点；17——绝缘内胆；18——屏蔽层；19——绝缘盖；22——上电极块；23——上绝缘体；24——放电电阻。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的说明。实施例：参见图1至图4。一种抗压陶瓷电容芯片，其包括：圆柱形的陶瓷体1，陶瓷体1的上端面中部设有圆形且同轴的上凹孔5，上凹孔5的外侧形成上绝缘侧壁；上绝缘侧壁与上凹孔5的底面之间设有弧形过渡面；上凹孔5的底面覆盖有主电极4；所述陶瓷体1的下端面中部设有圆形且同轴的下凹孔3，且下凹孔3的内径大于上凹孔5的内径，下凹孔3的外侧形成下绝缘侧壁，下绝缘侧壁的深度小于上绝缘侧壁的深度；所述下绝缘侧壁与下凹孔3的底面之间设有倾斜面6，所述下凹孔3的底面和倾斜面6均覆盖有副电极2。陶瓷电容芯片10在承受电压上与自身的材质、形状有关，由于材质基本确定，因此目前一般从改变形状来调整其承受电压大小；申请人从实验和理论分析得出，陶瓷电容芯片10的抗压大小主要与电容陶瓷体1的厚度，以及边缘间距有关；当电压较大时，陶瓷电容芯片10可能之间被击穿；其次是陶瓷电容芯片10两端电极边缘间的放电，即将之间的空气击穿形成电弧；目前圆饼形的陶瓷电容芯片10在击穿时，绝大多数是空气击穿，因此需要设计一种能增加边缘击穿的路线，即增加击穿的空气线路，达到增加抗压的目的，本技术方案通过在陶瓷体1的上端设置上绝缘侧壁，从而增加了两电极边缘间的最短空气距离，空气的介电常数较陶瓷体1小，因此通过增加空气路线以弥补被击穿的能力。其次，在设计时，将副电极2的面积比较主电极4的面积稍大点，且设计有倾斜面6，倾斜面6位于主电极4的外侧；电容在存储电量时，副电极2上的电荷主要存储于与主电极4对应的面积，而副电极2外侧的电荷密度分布会比较小，如：环形的倾斜面6；环形的倾斜面6形成一道电环，可有利于保护副电极2内部的电荷不受外部影响，减弱干扰。进一步地，所述陶瓷体1的侧面设有若干个绝缘环7。设置绝缘环7可以起到增加空气线路的作用，其次在连接时，方便卡接。优选地，所述绝缘环7的外端部呈圆弧形。一种电容器，其包括外壳14，外壳14内设有筒状的屏蔽层18，屏蔽层18内套接有上端开口的绝缘内胆17，绝缘内胆17的上端连接有绝缘盖19，所述绝缘内胆17内设有上述的陶瓷电容芯片10，陶瓷电容芯片10的上端、下端分别连接有上绝缘体23和下绝缘体11，绝缘内胆17与陶瓷电容芯片10、上绝缘体23、下绝缘体11之间填充有绝缘填充体15，所述上绝缘体23的下端设有与上凹孔5相配合的下凸块，所述上绝缘体23的中部设有上穿线孔，所述主电极4的中部焊接有上焊锡点16并连接有上导线；所述下绝缘体11的上端设有与下凹孔3相配合的上凸块，下绝缘体11的中部设有下穿线孔，副电极2的中部焊接有下焊锡点13并连接有下导线；所述外壳14的上端、下端中部分别连接有上电极块22和下电极块12，上电极块22插入绝缘盖19，上导线穿过上穿线孔、绝缘填充体15并与上电极块22连接；下电极块12插入绝缘内胆17，下导线穿过下穿线孔、绝缘填充体15并与下电极连接。本技术方案的电容器通过设置上绝缘体23、下绝缘体11以及绝缘填充体15、绝缘内胆17，形成多个绝缘体；可以有效防止漏电适用于高压。其次，通过上绝缘体23的下凸块、下绝缘体11的上凸块对陶瓷电容芯片10进行定位，屏蔽层18可采用金属纸，如锡箔纸等，用于隔绝外界电磁干扰。绝缘填充体15可采用油侵剂等。进一步地，所述绝缘填充体15内设有放电电阻24，放电电阻24的两端通过导线分别与上电极块22、下电极块12连接。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗压陶瓷电容芯片，其包括：圆柱形的陶瓷体，其特征在于：陶瓷体的上端面中部设有圆形且同轴的上凹孔，上凹孔的外侧形成上绝缘侧壁；上绝缘侧壁与上凹孔的底面之间设有弧形过渡面；上凹孔的底面覆盖有主电极；所述陶瓷体的下端面中部设有圆形且同轴的下凹孔，且下凹孔的内径大于上凹孔的内径，下凹孔的外侧形成下绝缘侧壁，下绝缘侧壁的深度小于上绝缘侧壁的深度；所述下绝缘侧壁与下凹孔的底面之间设有倾斜面，所述下凹孔的底面和倾斜面均覆盖有副电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗压陶瓷电容芯片，其包括：圆柱形的陶瓷体，其特征在于：陶瓷体的上端面中部设有圆形且同轴的上凹孔，上凹孔的外侧形成上绝缘侧壁；上绝缘侧壁与上凹孔的底面之间设有弧形过渡面；上凹孔的底面覆盖有主电极；所述陶瓷体的下端面中部设有圆形且同轴的下凹孔，且下凹孔的内径大于上凹孔的内径，下凹孔的外侧形成下绝缘侧壁，下绝缘侧壁的深度小于上绝缘侧壁的深度；所述下绝缘侧壁与下凹孔的底面之间设有倾斜面，所述下凹孔的底面和倾斜面均覆盖有副电极。


2.根据权利要求1所述的一种抗压陶瓷电容芯片，其特征在于：所述陶瓷体的侧面设有若干个绝缘环。


3.根据权利要求2所述的一种抗压陶瓷电容芯片，其特征在于：所述绝缘环的外端部呈圆弧形。


4.一种电容器，其包括外壳，外壳内设有筒状的屏蔽层，屏蔽层内套接有上端开口的绝缘内胆，绝缘内胆的上端连接有绝缘盖，其特征在于：所述绝缘内胆内设有权利要求1至3任一所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：何鹏飞，易建超，
申请(专利权)人：东莞市美志电子有限公司，湖南美志科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44