一种单面导电镀铜PI膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于电磁屏蔽材料技术领域，具体涉及一种单面导电镀铜PI膜及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上；步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上；步骤3、将镍金属通过磁控溅射方法镀到所述第二PI膜的铜合金屏蔽层上，得单面导电镀铜PI膜。本发明专利技术的有益效果在于：本发明专利技术所得单面导电镀铜PI膜具有较强的抗腐蚀能力和好的力学性能。在50MHZ‑1.5GHZ条件下，屏蔽效能达80‑130dB。本发明专利技术单面导电镀铜PI膜较薄而且密度低，对电子产品整体的重量增加不明显，减少占据的空间。

【技术实现步骤摘要】
一种单面导电镀铜PI膜及其制备方法
本专利技术属于电磁屏蔽材料
，具体涉及一种单面导电镀铜PI膜及其制备方法。
技术介绍
随着技术的发展，市场要求电子产品更轻量化，以至各种集成芯片的集成度更高。大量的各种芯片工作时，会对外产生一定量的电磁辐射。这些电磁辐射会对外界电磁信号产生干涉，影响其他发射信号或接收信号类产品的使用，业内一般有如下方法：1、如在笔记本电脑电源适配器中，在内部先用绝缘片包裹后再用铝箔包裹，铝箔起屏蔽作用。通过手工或机器设置绝缘片和铝箔，工艺繁杂，并且绝缘性能不可靠。2、采用金属屏蔽罩将芯片或整个线路板封盖住，当电磁波遇到导电金属时，会被反射回来，起到了屏蔽电磁波作用。不足之处：a、金属屏蔽罩密度较大，明显增加了电子产品的重量；b、金属屏蔽罩是导电的，屏蔽罩需要与芯片间隔一定的距离，以至屏蔽罩占空间较大。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种绝缘，重量轻，电磁屏蔽效果好的单面导电镀铜PI膜及其制备方法。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：提供一种单面导电镀铜PI膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上，得到具有铬支撑层的第一PI膜；步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上，得到具有铜合金屏蔽层的第二PI膜；所述铜合金靶材的重量百分比组成为：Cr0.2-0.6％，Al1-3％，Mn0.5-1％，其余为Cu；步骤3、将镍金属通过磁控溅射方法镀到所述第二PI膜的铜合金屏蔽层上，得单面导电镀铜PI膜。本专利技术的另一技术方案为：提供一种上述的单面导电镀铜PI膜的制备方法制备得到的单面导电镀铜PI膜。本专利技术的有益效果在于：本专利技术所得单面导电镀铜PI膜可用于笔记本电脑电源适配器，PI膜层是绝缘的可代替绝缘片来达到绝缘效果，可以让单面导电镀铜PI膜中的PI膜一面贴近距或贴紧芯片，减少占据的空间，并且PI膜上的多层的金属屏蔽层可代替铝箔达到更好的电磁屏蔽作用，在50MHZ-1.5GHZ条件下，屏蔽效能达80-115dB。本专利技术单面导电镀铜PI膜较薄而且密度低，对笔记本电脑电源适配器等电子产品整体的重量增加不明显(金属屏蔽层的厚度一般100μm以上)。同时。金属屏蔽层蔽壳代替铜箔卷包具有较强的抗腐蚀能力和保护能力，不会变形、破裂，可靠性好。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式予以说明。本专利技术提供一种单面导电镀铜PI膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上，得到具有铬支撑层的第一PI膜；步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上，得到具有铜合金屏蔽层的第二PI膜；所述铜合金靶材的重量百分比组成为：Cr0.2-0.6％，Al1-3％，Mn0.5-1％，其余为Cu；步骤3、将镍金属通过磁控溅射方法镀到所述第二PI膜的铜合金屏蔽层上，得单面导电镀铜PI膜。本专利技术的单面导电镀铜PI膜及其制备方法中，所述单面导电镀铜PI膜上设有三个过不同功能的镀层，依次包括铬支撑层、铜合金屏蔽层和镍金属层。其具有如下作用：1、铜合金屏蔽层里掺杂铬元素提高铜合金的强度和电导率，掺杂Mn提高抗氧化性，铜合金屏蔽层还掺杂铝元素，可以使铜合金屏蔽层在磁控溅射到铬支撑层时稳定均匀不发生凝聚。2、镍金属层具有良好的耐腐蚀性能，保护铜合金屏蔽层不被氧化和破坏。3、铬支撑层对铜合金屏蔽层提供足够的结合强度和硬度支撑，使铜合金屏蔽层与PI膜的结合力增加。铬支撑层的电磁屏蔽能力也强于铜合金屏蔽层，进一步提高了本专利技术的单面导电镀铜PI膜的电磁屏蔽能力。优选的，上述的单面导电镀铜PI膜的制备方法中，所述PI膜的厚度为25-75μm，所述铬支撑层的厚度为0.1-1μm，所述铜合金屏蔽层的厚度为2-8μm，所述镍镀到所述第二PI膜的厚度为0.2-0.6μm。优选的，上述的单面导电镀铜PI膜的制备方法中，所述铜合金靶材的制备方法为：将Cr、Al、Mn和Cu原料用感应熔炼法，在真空气氛下，1100-1200℃的温度下进行熔炼合金化，再将合金化后的熔融液浇铸到铸模中，得到铜合金靶材。优选的，上述的单面导电镀铜PI膜的制备方法中，所述PI膜的厚度为30μm，所述铬支撑层的厚度为0.5μm，所述铜合金屏蔽层的厚度为5μm，所述镍镀到所述第二PI膜的厚度为0.3μm。优选的，上述的单面导电镀铜PI膜的制备方法中，所述铜合金靶材的重量百分比组成为：Cr0.3％，Al1.5％，Mn0.7％，其余为Cu。优选的，上述的单面导电镀铜PI膜的制备方法中，所述铜合金靶材上设有循环水冷却装置。实施例一一种单面导电镀铜PI膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上，得到具有铬支撑层的第一PI膜；步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上，得到具有铜合金屏蔽层的第二PI膜；所述铜合金靶材的制备方法为：准备Cr、Al、Mn和Cu原料，然后利用感应熔炼法，在真空气氛下，1100-1200℃的温度下进行熔炼、合金化，接着，将合金化后的熔融液浇铸到铸模中，得到铜合金靶材。所述铜合金靶材的重量百分比组成为：Cr0.2％，Al1％，Mn0.5％，其余为Cu；步骤3、将镍金属通过磁控溅射方法镀到所述第二PI膜的铜合金屏蔽层上，得单面导电镀铜PI膜。所述PI膜的厚度为25-75μm，所述铬支撑层的厚度为0.1-1μm，所述铜合金屏蔽层的厚度为2-8μm，所述镍镀到所述第二PI膜的厚度为0.2-0.6μm。实施例二一种单面导电镀铜PI膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上，得到具有铬支撑层的第一PI膜；步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上，得到具有铜合金屏蔽层的第二PI膜；所述铜合金靶材的制备方法为：准备Cr、Al、Mn和Cu原料，然后利用感应熔炼法，在真空气氛下，1100-1200℃的温度下进行熔炼、合金化，接着，将合金化后的熔融液浇铸到铸模中，得到铜合金靶材。所述铜合金靶材的重量百分比组成为：Cr0.6％，Al3％，Mn1％，其余为Cu；步骤3、将镍金属通过磁控溅射方法镀到所述第二PI膜的铜合金屏蔽层上，得单面导电镀铜PI膜；所述PI膜的厚度为25-75μm，所述铬支撑层的厚度为0.1-1μm，所述铜合金屏蔽层的厚度为2-8μm，所述镍镀到所述第二PI膜的厚度为0.2-0.6μm。实施例三一种单面导电镀铜PI膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上，得到具有铬支撑层的第一PI膜；步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单面导电镀铜PI膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上，得到具有铬支撑层的第一PI膜；/n步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上，得到具有铜合金屏蔽层的第二PI膜；/n所述铜合金靶材的重量百分比组成为：Cr 0.2-0.6％，Al 1-3％，Mn 0.5-1％，其余为Cu；/n步骤3、将镍金属通过磁控溅射方法镀到所述第二PI膜的铜合金屏蔽层上，得单面导电镀铜PI膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种单面导电镀铜PI膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、将铬金属通过磁控溅射方法镀到PI膜上，得到具有铬支撑层的第一PI膜；
步骤2、将铜合金靶材上的铜合金通过磁控溅射方法镀到第一PI膜的铬支撑层上，得到具有铜合金屏蔽层的第二PI膜；
所述铜合金靶材的重量百分比组成为：Cr0.2-0.6％，Al1-3％，Mn0.5-1％，其余为Cu；
步骤3、将镍金属通过磁控溅射方法镀到所述第二PI膜的铜合金屏蔽层上，得单面导电镀铜PI膜。


2.根据权利要求1所述的单面导电镀铜PI膜的制备方法，其特征在于，所述PI膜的厚度为25-75μm，所述铬支撑层的厚度为0.1-1μm，所述铜合金屏蔽层的厚度为2-8μm，所述镍镀到所述第二PI膜的厚度为0.2-0.6μm。


3.根据权利要求1所述的单面导电镀铜PI膜的制备方法，其特征在于，所述铜合金...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘稳，王荣福，
申请(专利权)人：深圳市汉嵙新材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44