显示装置及电子设备制造方法及图纸

提供一种能够提高图像品质的显示装置。本发明专利技术的一个方式包括第一像素电路、第二像素电路，各像素电路中设置有存储节点，可以在该存储节点中保持第一信号。第一信号由电容耦合附加到第二信号，可以供应给显示元件。因此，可以在显示装置中显示被校正的图像。此外，通过第一像素电路及第二像素电路共同使用信号线，可以提高像素的开口率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置及电子设备
本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofmatter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管和半导体电路为半导体装置的一个方式。另外，存储装置、显示装置、摄像装置、电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知。作为其他材料，氧化物半导体受到关注。作为氧化物半导体，例如，已知除了如氧化铟、氧化锌等单元金属氧化物之外还有多元金属氧化物。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：/n第一像素电路；/n第二像素电路；/n第一布线；/n第二布线；/n第三布线；/n第四布线；/n第五布线；以及/n第六布线，/n其中，所述第一像素电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器、第一电路区块,/n所述第二像素电路包括第三晶体管、第四晶体管、第二电容器、第二电路区块，/n所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电容器的一个电极电连接，/n所述第一电容器的另一个电极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，/n所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电路区块电连接，/n所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电容器的一个电极电连接，/n所述第二电容...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171222 JP 2017-2459851.一种显示装置，包括：
第一像素电路；
第二像素电路；
第一布线；
第二布线；
第三布线；
第四布线；
第五布线；以及
第六布线，
其中，所述第一像素电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器、第一电路区块,
所述第二像素电路包括第三晶体管、第四晶体管、第二电容器、第二电路区块，
所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电容器的一个电极电连接，
所述第一电容器的另一个电极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电路区块电连接，
所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电容器的一个电极电连接，
所述第二电容器的另一个电极与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第四晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电路区块电连接，
所述第二晶体管的栅极及所述第四晶体管的栅极与所述第一布线电连接，
所述第一晶体管的栅极与所述第二布线电连接，
所述第三晶体管的栅极与所述第三布线电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第四布线电连接，
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个及所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第五布线电连接，
所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第六布线电连接，
所述第一电路区块包括第一显示元件，
并且，所述第二电路区块包括第二显示元件。


2.一种显示装置，包括：
第一像素电路；
第二像素电路；
第一布线；
第二布线；
第三布线；
第四布线；
第五布线；以及
第六布线，
其中，所述第一像素电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容器、第一电路区块，
所述第二像素电路包括第三晶体管、第四晶体管、第二电容器、第二电路区块，
所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电容器的一个电极电连接，
所述第一电容器的另一个电极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电路区块电连接，
所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电容器的一个电极电连接，
所述第二电容器的另一个电极与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第四晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电路区块电连接，
所述第二晶体管的栅极与所述第一布线电连接，
所述第四晶体管的栅极与所述第二布线电连接，
所述第一晶体管的栅极及所述第三晶体管的栅极与所述第三布线电连接，

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边一德，高桥圭，川岛进，丰高耕平，楠纮慈，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP