显示装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够提高图像质量的显示装置。在像素中包括多个电容器、多个晶体管以及显示元件。多个电容器通过布线串联连接，串联连接的多个电容器的一个、另一个以及该布线分别与多个晶体管中的一个电连接。能够根据被输入的多个数据的总和使显示元件工作，可以进行图像的上转换、HDR显示或亮度的提高等的图像校正。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置及电子设备
本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofmatter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、照明装置、蓄电装置、存储装置、摄像装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。晶体管和半导体电路为半导体装置的一个方式。另外，存储装置、显示装置、摄像装置、电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知。作为其他材料，氧化物半导体受到关注。作为氧化物半导体，例如，已知除了如氧化铟、氧化锌等单元金属氧化物之外还有多元金属氧化物。在多元金属氧化物中，有关In-Ga-Zn氧化物(以下也称为IGZO)的研究尤为火热。通过对IGZO的研究，在氧化物半导体中，发现了既不是单晶也不是非晶的CAAC(c-axisalignedcrystalline：c轴取向结晶)结构及nc(nanocrystalline：纳米晶)结构(参照非专利文献1至非专利文献3)。非专利文献1及非专利文献2中公开了一种使用具有CAAC结构的氧化物半导体制造晶体管的技术。再者，非专利文献4及非专利文献5中公开了一种比CAAC结构及nc结构的结晶性更低的氧化物半导体中也具有微小的结晶。将IGZO用于活性层的晶体管具有极低的关态电流(off-statecurrent)(参照非专利文献6)，已知有利用了该特性的LSI及显示器(参照非专利文献7及非专利文献8)。另外，专利文献1公开了一种具有将关态电流极低的晶体管用于存储单元的结构的存储装置。[先行技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利申请公开第2011-119674号公报[非专利文献][非专利文献1]S.Yamazakietal.,“SIDSymposiumDigestofTechnicalPapers”,2012,volume43,issue1,p.183-186[非专利文献2]S.Yamazakietal.,“JapaneseJournalofAppliedPhysics”,2014,volume53,Number4S,p.04ED18-1-04ED18-10[非专利文献3]S.Itoetal.,“TheProceedingsofAM-FPD’13DigestofTechnicalPapers”,2013,p.151-154[非专利文献4]S.Yamazakietal.,“ECSJournalofSolidStateScienceandTechnology”,2014,volume3,issue9,p.Q3012-Q3022[非专利文献5]S.Yamazaki,“ECSTransactions”,2014,volume64,issue10,p.155-164[非专利文献6]K.Katoetal.,“JapaneseJournalofAppliedPhysics”,2012,volume51,p.021201-1-021201-7[非专利文献7]S.Matsudaetal.,“2015SymposiumonVLSITechnologyDigestofTechnicalPapers”,2015,p.T216-T217[非专利文献8]S.Amanoetal.,“SIDSymposiumDigestofTechnicalPapers”,2010,volume41,issue1,p.626-629
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题显示装置的分辨率不断提高，已经开发出能够显示8K4K(像素数：7680×4320)或更高分辨率的图像的硬件。此外，通过亮度调整提高图像质量的HDR(高动态范围)显示技术的导入得到了推进。为了由显示装置适当地进行显示，需要使图像数据对应于显示装置的分辨率。例如，在显示装置的分辨率为8K4K，图像数据是用于4K2K(像素数：3840×2160)的数据时，除非将数据数量转换为4倍，否则不能进行全屏显示。与此相反地，在显示装置的分辨率为4K2K，图像数据是用于8K4K的数据时，需要将数据数量转换为1/4。此外，产生如下问题，即在通过HDR处理中图像数据的生成及数据数量的转换需要专用电路，而导致增高功耗。优选至少不转换原始图像数据而将其输入到显示装置的像素中。因此，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够提高图像质量的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够不转换图像数据地进行适当的显示的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够进行HDR显示的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够进行上转换工作的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够提高显示图像的亮度的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够重叠地显示两个以上的图像的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种能够将驱动电路的输出电压以上的电压施加到像素电路的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的显示装置。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置等。另外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种上述显示装置的驱动方法。另外，本专利技术的一个方式的目的是提供一种新颖的半导体装置等。注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，上述以外的目的从说明书、附图及权利要求书等的记载看来显而易见，且可以从说明书、附图及权利要求书等的记载中抽出上述以外的目的。解决技术问题的手段本专利技术的一个方式涉及一种能够提高图像质量的显示装置。另外，本专利技术的一个方式涉及一种能够进行图像处理的显示装置。本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：多个电容器；多个晶体管；以及显示元件，其中，多个电容器通过布线串联连接，串联连接的多个电容器的一个电极与晶体管中的一个电连接，串联连接的多个电容器的另一个电极与晶体管中的一个电连接，串联连接的多个电容器的另一个电极与显示元件电连接，并且，布线与上述晶体管中的一个电连接。本专利技术的另一个方式是一种显示装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；第一电容器；第二电容器；以及电路区块，其中，第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一电容器的一个电极电连接，第一电容器的一个电极与电路区块电连接，第一电容器的另一个电极与第二晶体管的源极和漏极中的一个电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，包括：/n多个电容器；/n多个晶体管；以及/n显示元件，/n其中，所述多个电容器通过布线串联连接，/n所述串联连接的多个电容器的一个电极与所述晶体管中的一个电连接，/n所述串联连接的多个电容器的另一个电极与所述晶体管中的一个电连接，/n所述串联连接的多个电容器的另一个电极与所述显示元件电连接，并且，所述布线与所述晶体管中的一个电连接。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171221 JP 2017-2453671.一种显示装置，包括：
多个电容器；
多个晶体管；以及
显示元件，
其中，所述多个电容器通过布线串联连接，
所述串联连接的多个电容器的一个电极与所述晶体管中的一个电连接，
所述串联连接的多个电容器的另一个电极与所述晶体管中的一个电连接，
所述串联连接的多个电容器的另一个电极与所述显示元件电连接，并且，所述布线与所述晶体管中的一个电连接。


2.一种显示装置，包括：
第一晶体管；
第二晶体管；
第三晶体管；
第一电容器；
第二电容器；以及
电路区块，
其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电容器的一个电极电连接，
所述第一电容器的一个电极与所述电路区块电连接，
所述第一电容器的另一个电极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电容器的一个电极电连接，
所述第二电容器的另一个电极与所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
并且，所述电路区块包括显示元件。


3.根据权利要求2所述的显示装置，还包括第一布线，
其中所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第一布线电连接，
并且所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第一布线电连接。


4.根据权利要求3所述的显示装置，还包括第四晶体管、第五晶体管、第二布线以及第三布线，
其中所述第四晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电容器的一个电极电连接，
所述第五晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电容器的另一个电极电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第一布线电连接，
所述第一晶体管的栅极与所述第二布线电连接，
所述第四晶体管的栅极与所述第二布线电连接，
所述第二晶体管的栅极与所述第三布线电连接，
并且所述第五晶体管的栅极与所述第三布线电连接。


5.一种显示装置，包括：
第一电路；
第二电路；
第二晶体管；
第三晶体管；以及
第二电容器，
其中，所述第一电路及所述第二电路都包括第一晶体管、第一电容器以及电路区块，
所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一电容器的一个电极电连接，
所述第一电容器的一个电极与所述电路区块电连接，
所述第一电容器的另一个电极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二电容器的一个电极电连接，
所述第二电容器的另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：川岛进，楠本直人，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP