反射型空间光调制器、光观察装置及光照射装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种反射型空间光调制器，其具备：电光结晶，其具有输入光被输入的输入面和与输入面相对的背面；光输入输出部，其配置于电光结晶的输入面，且具有透射输入光的第一电极；光反射部，其包含配置有多个第二电极的基板及将基板固定于背面的粘接层，并配置于电光结晶的背面；驱动电路，其对第一电极与多个第二电极之间施加电场，基板包含配置有多个第二电极的像素区域和包围像素区域的周边区域，粘接层具有与像素区域面对面的第一区域和包围第一区域的第二区域，粘接层在非导电性的粘接材料的固化物中具有电介质材料，第二区域中的电介质材料的含有率比第一区域中的电介质材料的含有率小。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】反射型空间光调制器、光观察装置及光照射装置
本公开涉及反射型空间光调制器、光观察装置及光照射装置。
技术介绍
例如专利文献1及专利文献2公开有一种电光元件。该电光元件包含：基板、层叠于基板的铁电体的KTN(KTa1-xNbxO3)层、配置于KTN层的前面的透明电极、配置于KTN层的后面的金属电极。KTN根据温度采取四个结晶结构，为钙钛矿型的结晶结构时作为电光元件利用。这种KTN层形成于在金属电极上形成的晶种层上。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-89340号公报专利文献2：日本特开2014-89341号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题专利文献1及专利文献2中记载了，通过向晶种层中添加导电性物质，而对晶种层赋予导电性。在该情况下，金属电极与KTN层电连接，因此，能够对KTN层施加电场。但是，例如在阵列状地形成多个电光元件的金属电极的情况下，当对晶种层赋予导电性时，输入于多个金属电极的电信号混合，调制精度可能不稳定。另外，为了相对于KTN层可靠地施加电场，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反射型空间光调制器，其特征在于，/n是调制输入光且输出经调制的调制光的反射型空间光调制器，/n具备：/n钙钛矿型电光结晶，其具有所述输入光被输入的输入面和与所述输入面相对的背面，且相对介电常数为1000以上；/n光输入输出部，其配置于所述电光结晶的所述输入面，且具有透射所述输入光的第一电极；/n光反射部，其包含配置有多个第二电极的基板及将所述基板固定于所述背面的粘接层，并配置于所述电光结晶的所述背面且将所述输入光向所述输入输出部反射；/n驱动电路，其对所述第一电极与所述多个第二电极之间施加电场，/n所述基板包含配置有所述多个第二电极的像素区域和包围所述像素区域的周边区域，/n所述粘接层...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种反射型空间光调制器，其特征在于，
是调制输入光且输出经调制的调制光的反射型空间光调制器，
具备：
钙钛矿型电光结晶，其具有所述输入光被输入的输入面和与所述输入面相对的背面，且相对介电常数为1000以上；
光输入输出部，其配置于所述电光结晶的所述输入面，且具有透射所述输入光的第一电极；
光反射部，其包含配置有多个第二电极的基板及将所述基板固定于所述背面的粘接层，并配置于所述电光结晶的所述背面且将所述输入光向所述输入输出部反射；
驱动电路，其对所述第一电极与所述多个第二电极之间施加电场，
所述基板包含配置有所述多个第二电极的像素区域和包围所述像素区域的周边区域，
所述粘接层具有与所述像素区域面对面的第一区域和包围所述第一区域的第二区域，
所述粘接层在非导电性的粘接材料的固化物中具有电介质材料，
所述第二区域中的所述电介质材料的含有率比所述第一区域中的所述电介质材料的含有率小。


2.根据权利要求1所述的反射型空间光调制器，其中，
所述第一区域与所述第二区域的边界从所述输入光的输入方向观察位于比所述像素区域与所述周边区域的边界更靠外缘侧的位置。


3.根据权利要求1所述的反射型空间光调制器，其中，
所述第一区域与所述第二区域的边界从所述输入光的输入方向观察与所述像素区域与所述周边区域的边界一致。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的反射型空间光调制器，其中，
所述光输入输出部包含将所述第一电极固定于所述输入面的另一粘接层，
所述另一粘接层具有与所述像素区域面对面且在非导电性的粘接材料的固化物中具有电介质材料的第一区域和包围该第一区域的第二区域，
所述另一粘接层的所述第二区域中的所述电介质材料的含有率比所述另一粘接层的所述第一区域中的所述电介质材料的含有率小。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的反射型空间光调制器，其中，
所述光输入输出部还具备具有所述输入光被输入的第一面和作为所述第一面的相反侧的面的第二面的透明基板，所述第一电极配置于所述透明基板的所述第二面。


6.根据权利要求1～5中任一项所述的反射型空间光调制器，其中，
将所述电光结晶的相对介电常数设为εxtl，
将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：泷泽国治，田中博，丰田晴义，大林宁，酒井宽人，渡边翼，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP