弹性波装置制造方法及图纸

技术编号:25001456 阅读:38 留言:0更新日期:2020-07-24 18:02
提供一种弹性波装置,能够抑制由反射镜模式引起的寄生。弹性波装置(1)具备:支承基板(2);设置在支承基板(2)上的声反射膜(7);设置在声反射膜(7)上且具有第一主面(4a)和第二主面(4b)的压电体层(4);设置在压电体层(4)的第一主面(4a)上及第二主面(4b)上的第一平板电极(5)及第二平板电极(6)(激励电极)。声反射膜(7)具有交替层叠的高声阻抗层和低声阻抗层。高声阻抗层及低声阻抗层中的至少一层是纵波声阻抗及横波声阻抗中的至少一方实质上相同的第一材料层(12A)及第二材料层(12B)的层叠体。在第一材料层(12A)及第二材料层(12B)之间的界面(12c)设置有凹凸。

【技术实现步骤摘要】
弹性波装置
本专利技术涉及弹性波装置。
技术介绍
以往,弹性波装置广泛用于便携电话的滤波器等。在下述专利文献1中,公开了利用BAW(BulkAcousticWave,体声波)的弹性波装置的一例。在该弹性波装置中,在压电层的两个主面上分别设置有电极。由压电层及各电极构成的压电元件设置在声反射镜(acousticmirror)上。声反射镜是将由具有低声阻抗的材料构成的层与由具有高声阻抗的材料构成的层交替层叠而成的层叠体。在先技术文献专利文献专利文献1:日本专利技术专利第3987036号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在专利文献1所记载的弹性波装置中,有时产生由封入到声反射镜内的模式即反射镜模式引起的寄生(spurious)。反射镜模式在弹性波装置利用的主模式的谐振频率的约1.6倍以上的频带中产生。由于产生反射镜模式而导致弹性波装置的滤波器特性等可能发生劣化。本专利技术的目的在于,提供一种能够抑制由反射镜模式引起的寄生的弹性波装置。用于解决课题的手段本专利技术的弹性波装置具备:支承基板;声反射膜,其设置在所述支承基板上;压电体层,其设置在所述声反射膜上,具有相对置的第一主面及第二主面;以及激励电极,其设置在所述压电体层的所述第一主面上及所述第二主面上的至少一方,所述声反射膜具有声阻抗相对高的高声阻抗层和声阻抗相对低的低声阻抗层,所述高声阻抗层及所述低声阻抗层交替地层叠,所述高声阻抗层及所述低声阻抗层中的至少一层为纵波声阻抗及横波声阻抗中的至少一方实质上相同的第一材料层及第二材料层的层叠体,在所述第一材料层及所述第二材料层之间的界面设置有凹凸。专利技术效果根据本专利技术的弹性波装置,能够抑制由反射镜模式引起的寄生。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式的弹性波装置的正面剖视图。图2是比较例的弹性波装置的正面剖视图。图3是示出比较例的弹性波装置中的相位特性的图。图4是本专利技术的第二实施方式的弹性波装置的正面剖视图。图5是本专利技术的第二实施方式的弹性波装置的俯视图。附图标记说明:1...弹性波装置;2...支承基板;4...压电体层;4a、4b...第一主面、第二主面;5、6...第一平板电极、第二平板电极;7...声反射膜;12...低声阻抗层;12A、12B...第一材料层、第二材料层;12c...界面;13...高声阻抗层;14...低声阻抗层;15...高声阻抗层;16...低声阻抗层;22...低声阻抗层;31...弹性波装置;33...高声阻抗层;33A、33B...第一材料层、第二材料层;33c...界面;34...IDT电极;35A、35B...反射器;37...声反射膜;38a、38b...第一汇流条、第二汇流条;39a、39b...第一电极指、第二电极指。具体实施方式以下,参照附图对本专利技术的具体实施方式进行说明,由此使本专利技术变得清楚。需要说明的是,本说明书所记载的各实施方式是例示性的,预先指出在不同的实施方式之间能够进行结构的部分置换或组合。图1是本专利技术的第一实施方式的弹性波装置的正面剖视图。弹性波装置1具有支承基板2。本实施方式的支承基板2是单晶的硅基板。需要说明的是,支承基板2的材料不限于硅,例如,能够使用氧化铝、钽酸锂、铌酸锂、水晶等的压电体、矾土、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等的各种陶瓷、蓝宝石、金刚石、玻璃等的电介质、氮化镓等的半导体或树脂等。在支承基板2上设置有声反射膜7。在声反射膜7上设置有压电体层4。压电体层4具有相对置的第一主面4a及第二主面4b。第二主面4b位于声反射膜7侧。在压电体层4的第一主面4a上设置有第一平板电极5,在压电体层4的第二主面4b上设置有第二平板电极6。更具体而言,第二平板电极6设置在声反射膜7与压电体层4之间。第一平板电极5及第二平板电极6具有相互对置的部分。本实施方式的压电体层4是氮化铝层。更具体而言,压电体层4是掺杂有钪、钇及铒中的至少一种稀土类元素的氮化铝层。需要说明的是,压电体层4也可以是未掺杂上述稀土类元素的氮化铝层。压电体层4的材料不限于氮化铝,能够使用其他适当的压电陶瓷或压电单晶。在本实施方式中,第一平板电极5及第二平板电极6是激励电极,弹性波装置1是BAW谐振器。不过,本专利技术的弹性波装置1也可以是SAW(SurfaceAcousticWave,声表面波)谐振器。或者,本专利技术的弹性波装置1也可以是包括上述BAW谐振器或上述SAW谐振器的滤波器装置。声反射膜7是多个声阻抗层的层叠体。更具体而言,声反射膜7具有声阻抗相对低的多个低声阻抗层和声阻抗相对高的多个高声阻抗层。低声阻抗层及高声阻抗层交替地层叠。更详细而言,声反射膜7具有低声阻抗层12、低声阻抗层14及低声阻抗层16、以及高声阻抗层13及高声阻抗层15。声反射膜7的各层中的低声阻抗层12位于最靠压电体层4侧。在本实施方式中,声反射膜7具有三层低声阻抗层及两层高声阻抗层,但不限于此。声反射膜7至少具有一层低声阻抗层及一层高声阻抗层即可。弹性波装置1是BAW谐振器,并且是具有声反射膜7的SMR(SolidlyMountedResonator,固态装配型谐振器)。因此,能够有效地将弹性波的能量封入到压电体层4侧。如图1所示,低声阻抗层12是第一材料层12A及第二材料层12B的层叠体。第一材料层12A位于压电体层4侧,第二材料层12B位于支承基板2侧。在第一材料层12A及第二材料层12B中,纵波声阻抗及横波声阻抗中的至少一方实质上相同。在本说明书中,不同的两种材料的声阻抗实质上相同,是指在将一方的材料的声阻抗设为Z1、将另一方的材料的声阻抗设为Z2时,Z1处于Z2±30%的范围内。若不同的两种材料的声阻抗之差处于上述范围内,则在层叠由不同的两种材料构成的层而成的界面处,主模式几乎不被反射,因此,可以说声阻抗实质上相同。此外,由声阻抗实质上相同的材料构成的层的层叠体可以说是一层声阻抗层。在下述的表1中,示出用于声反射膜7的材料的例子。表1中一并示出各材料的密度、纵波的声速、横波的声速、纵波声阻抗及横波声阻抗。[表1]在本实施方式中,低声阻抗层12中的第一材料层12A是氧化硅(SiO2)层,第二材料层12B是铝(Al)层。如表1所示,可知在氧化硅及铝中,纵波声阻抗及横波声阻抗的两方实质上相同。另一方面,低声阻抗层14及低声阻抗层16分别是氧化硅层。高声阻抗层13及高声阻抗层15分别是钨层。需要说明的是,也可以将以表1所示的任意一种材料为主成分的材料、表1所示的材料以外的材料用于各个低声阻抗层或高声阻抗层。例如,也可以将低声阻抗层12的第一材料层12本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波装置,具备:/n支承基板;/n声反射膜,其设置在所述支承基板上;/n压电体层,其设置在所述声反射膜上,具有相对置的第一主面及第二主面;以及/n激励电极,其设置在所述压电体层的所述第一主面上及所述第二主面上的至少一方,/n所述声反射膜具有声阻抗相对高的高声阻抗层和声阻抗相对低的低声阻抗层,所述高声阻抗层及所述低声阻抗层交替地层叠,/n所述高声阻抗层及所述低声阻抗层中的至少一层为纵波声阻抗及横波声阻抗中的至少一方实质上相同的第一材料层及第二材料层的层叠体,/n在所述第一材料层及所述第二材料层之间的界面设置有凹凸。/n

【技术特征摘要】
20190116 JP 2019-0054261.一种弹性波装置,具备:
支承基板;
声反射膜,其设置在所述支承基板上;
压电体层,其设置在所述声反射膜上,具有相对置的第一主面及第二主面;以及
激励电极,其设置在所述压电体层的所述第一主面上及所述第二主面上的至少一方,
所述声反射膜具有声阻抗相对高的高声阻抗层和声阻抗相对低的低声阻抗层,所述高声阻抗层及所述低声阻抗层交替地层叠,
所述高声阻抗层及所述低声阻抗层中的至少一层为纵波声阻抗及横波声阻抗中的至少一方实质上相同的第一材料层及第二材料层的层叠体,
在所述第一材料层及所述第二材料层之间的界面设置有凹凸。


2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
当将所述第一材料层及所述第二材料层之间的所述界面的算术平均粗糙度Ra的值设为RaIF时,所述RaIF大于在所述第一材料层及所述第二材料层传播的纵波或横波的波长中的厚度方向的成分的值的0.2倍,
所述RaIF小于在所述第一材料层及所述第二材料层传播的主模式的波长中的厚度方向的成分的0.2倍。


3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
所述激励电极是设置在所述压电体层的所述第一主面上的第一平板电极以及设置在所述压电体层的所述第二主面上的第二平板电极。


4.根据权利要求3所述的弹性波装置,其中,
当将所述第一材料层及所述第二材料层之间的所述界...

【专利技术属性】
技术研发人员:永友翔
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
类型:发明
国别省市:日本;JP

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