电子元件和电路装置制造方法及图纸

技术编号：41707464 阅读：31 留言：0更新日期：2024-06-19 12:38

本发明专利技术提供一种能够在包括无源元件的物理量成为0(零)的情况的宽范围内使物理量可变的电子元件和电路装置。可变电容元件(100)具备开关部(10)和构成电容器的元件部(20)。开关部(10)具有源极电极(5)、漏极电极(6)、至少与源极电极(5)的一部分及漏极电极(6)的一部分重叠地形成的沟道形成膜(4)、与沟道形成膜(4)重叠地形成的栅极绝缘膜(3)、以及形成于栅极绝缘膜(3)的栅极电极(2)。元件部(20)具有与源极电极(5)电连接的端子电极(5a)(第一端子电极)、以及夹着电介质层(3a)或者与电介质层(3a)相接地在与漏极电极(6)的一部分(电极6c)之间构成电容器的端子电极(22)(第二端子电极)，电介质层和栅极绝缘膜是相同的绝缘膜。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及能够使无源元件的物理量可变的电子元件和具备该电子元件的电路装置。

技术介绍

1、作为能够使无源元件的物理量可变的电子元件，例如，已知有能够使电容(电容器)可变的可变电容元件。具体地，在专利文献1中公开了使用微加工技术设置了板状的可动梳齿电极和板状的固定梳齿电极的可变电容元件，其中，该固定梳齿电极设置为与该可动梳齿电极隔着微少空隙而面对置。此外，在非专利文献1中公开了利用了fet(fieldeffect transistor，场效应晶体管)的on/off(导通/截止)动作的2端子构造的可变电容元件。

2、在先技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2002-373829号公报

5、非专利文献

6、非专利文献1：tokumitsu eisuke，kikuchi kazuya，“evaluation of channelmodulation in in2o3/(bi，la)4ti3o12ferroelectric-gate thin film transistors bycapac本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子元件，具备：

2.根据权利要求1所述的电子元件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的电子元件，其中，

4.根据权利要求1或2所述的电子元件，其中，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的电子元件，其中，

6.根据权利要求5所述的电子元件，其中，

7.根据权利要求5或6所述的电子元件，其中，

8.根据权利要求5～7中的任一项所述的电子元件，其中，

9.根据权利要求8所述的电子元件，其中，

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的电子元件，其中，