显示设备制造技术

一种显示设备包括：连接到扫描线以及与扫描线交叉的数据线的像素。像素包括发光元件和驱动晶体管，驱动晶体管根据从数据线施加的数据电压控制供应给发光元件的驱动电流。驱动晶体管包括第一有源层，第一有源层包括掺杂有金属的氧化物半导体。

【技术实现步骤摘要】
显示设备相关申请的交叉引用本申请要求2019年1月17日提交的韩国专利申请第10-2019-0006406号的优先权和权益，在此为了所有目的通过引用将该韩国专利申请并入本文，如同在本文中充分地阐述一样。
本专利技术的示例性实施例涉及显示设备。
技术介绍
随着信息社会发展，对用于显示图像的显示设备的需求以各种形式增长。因此，诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和发光显示器的各种显示设备正在被利用。发光显示器包括使用有机发光二极管作为发光元件的有机发光显示器和使用微发光二极管作为发光元件的发光二极管显示器。这种平板显示设备包括显示面板、栅驱动器电路、数据驱动器电路和时序控制器。显示面板包括数据线、栅线以及形成在数据线和栅线的交叉点处的像素。像素中的每个像素使用作为开关元件的薄膜晶体管而在栅信号被供应给栅线时从数据线接收数据电压。像素中的每个像素根据数据电压发射预定亮度的光。近来，发布了能够显示具有超高清(UHD)的图像的平板显示设备，并且正在开发能够显示具有8KUHD的高分辨率的图像的平板显示设备。UHD代表3840×2160的分辨率，并且8KUHD代表7680×4320的分辨率。在高分辨率平板显示设备的情况下，随着像素的数量增加，像素中的每个像素的驱动电流可能降低，从而降低像素中的每个像素的驱动晶体管的驱动电压范围。在该
技术介绍
部分中公开的上述信息仅用于理解本专利技术构思的背景，并且因此其可能包含不构成现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例提供了一种能够增加每个像素的驱动晶体管的驱动电压范围的显示设备。本专利技术的示例性实施例还提供了一种制造能够增加每个像素的驱动晶体管的驱动电压范围的显示设备的方法。本专利技术构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且将部分地从描述中明白，或者可以通过本专利技术构思的实践来学习。本专利技术的示例性实施例提供了一种显示设备，包括：连接到扫描线以及与扫描线交叉的数据线的像素。像素包括发光元件和驱动晶体管，驱动晶体管根据从数据线施加的数据电压控制供应给发光元件的驱动电流。驱动晶体管包括第一有源层，第一有源层具有掺杂有金属的氧化物半导体。金属在第一有源层中的比例可以为大约10原子％或更小。金属可以为铜(Cu)、砷(As)、锑(Sb)、镧(La)、银(Ag)和氮(N)的混合物、硼(B)和氮(N)的混合物、或镓(Ga)和氮(N)的混合物。金属可以为铜(Cu)，并且氧化物半导体可以包括锡(Sn)。第一有源层可以包括铟镓锡氧化物(IGTO)或铟镓锌锡氧化物(IGZTO)。金属可以被掺杂到第一有源层的上表面中。金属可以被掺杂到第一有源层的至少一个侧表面中。第一有源层可以包括第一导电区、第二导电区以及布置在第一导电区与第二导电区之间的沟道区。驱动晶体管可以进一步包括：布置在第一有源层下方的第一遮光层；布置在第一有源层上的第一栅电极；通过穿过布置在第一栅电极上的层间绝缘膜的第一接触孔连接到第一导电区的第一源电极；以及通过穿过层间绝缘膜的第二接触孔连接到第二导电区的第一漏电极。第一源电极可以通过穿过层间绝缘膜以及布置在第一有源层与第一遮光层之间的绝缘层的第三接触孔接触第一遮光层。像素可以进一步包括扫描晶体管，扫描晶体管用于根据传送到扫描线的扫描信号将数据线的数据电压施加到驱动晶体管的栅电极。扫描晶体管可以包括具有氧化物半导体的第二有源层。第二有源层可以未掺杂有金属。扫描晶体管可以进一步包括：布置在第二有源层下方的第二遮光层以及布置在第二有源层上的第二栅电极。第二栅电极可以通过穿过布置在第二有源层与第二栅电极之间的栅绝缘层以及布置在第二有源层与第二遮光层之间的绝缘层的第六接触孔接触第二遮光层。显示设备可以进一步包括将扫描信号输出到扫描线的扫描驱动器电路。扫描驱动器电路可以包括上拉晶体管，当上拉晶体管被充入栅导通电压时，上拉晶体管输出栅导通电压。上拉晶体管可以包括具有多晶硅的第三有源层。第三有源层可以未掺杂有金属。上拉晶体管可以进一步包括布置在第三有源层下方的第三遮光层以及布置在第三有源层上的第三栅电极。第三栅电极可以通过穿过布置在第三有源层与第三栅电极之间的栅绝缘层以及布置在第三有源层与第三遮光层之间的绝缘层的第九接触孔接触第三遮光层。显示设备可以进一步包括数据电压分配电路，数据电压分配电路包括连接在路径选择线与数据线之间的第一分配晶体管以及连接在路径选择线与邻近该数据线的另一数据线之间的第二分配晶体管。第一分配晶体管和第二分配晶体管中的每个可以包括具有多晶硅的第四有源层。本专利技术的另一示例性实施例提供了一种制造显示设备的方法，该方法包括：在第一基板上形成第一遮光层，并在第一遮光层上形成缓冲层；在缓冲层的整个表面上形成有源层；图案化有源层上的光刻胶；在光刻胶以及未被光刻胶覆盖的有源层上形成金属膜，并且然后刻蚀金属膜，以使用金属掺杂暴露的有源层；通过移除光刻胶并图案化有源层形成第一有源层；在第一有源层上形成第一栅绝缘层，并在第一栅绝缘层上形成第一栅电极；以及在第一栅电极上形成第一层间绝缘膜，并在第一层间绝缘膜上形成第一源电极和第一漏电极。应当理解，前述概括描述和下面的具体实施方式两者是示例性和说明性的，并且旨在提供所要求保护的本专利技术的进一步说明。附图说明包含附图来提供本专利技术的进一步理解并且附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分，附图图示本专利技术的示例性实施例并且与描述一起用来解释本专利技术构思。图1是根据示例性实施例的显示设备的透视图。图2是根据示例性实施例的显示设备的示例的平面图。图3是图2中所示的像素的示例的电路图。图4是图2中所示的扫描驱动器电路的示例的电路图。图5是图2中所示的数据电压分配电路的示例的电路图。图6是图3中所示的像素的驱动晶体管的示例的平面图。图7是沿图6的I-I’截取的示例截面图。图8是图3中所示的像素的开关晶体管的示例的平面图。图9是沿图8的II-II’截取的示例截面图。图10是图示当驱动晶体管包括掺杂有金属的有源层时以及当驱动晶体管不包括掺杂有金属的有源层时驱动电流根据驱动晶体管的栅电压的曲线图。图11是图3中所示的像素的开关晶体管的示例的平面图。图12是沿图11的III-III’截取的示例截面图。图13是图4中所示的扫描驱动器电路的上拉晶体管的示例的平面图。图14是沿图13的IV-IV’截取的示例截面图。图15是图4中所示的扫描驱动器电路的上拉晶体管的示例的平面图。图16是沿图15的V-V’截取的示例截面图。图17是图示根据示例性实施例的制造显示设备的方法的流程图。图18A、图18B、图18C、图18D、图18E、图18F和图18G是用于说明根据示例性实施例的制造显示设备的方法的截面图。图19是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示设备，包括：/n像素，连接到扫描线以及与所述扫描线交叉的数据线，/n其中：/n所述像素包括发光元件和驱动晶体管，所述驱动晶体管被配置为根据从所述数据线施加的数据电压控制供应给所述发光元件的驱动电流；并且/n所述驱动晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括掺杂有金属的氧化物半导体。/n

【技术特征摘要】
20190117 KR 10-2019-00064061.一种显示设备，包括：
像素，连接到扫描线以及与所述扫描线交叉的数据线，
其中：
所述像素包括发光元件和驱动晶体管，所述驱动晶体管被配置为根据从所述数据线施加的数据电压控制供应给所述发光元件的驱动电流；并且
所述驱动晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括掺杂有金属的氧化物半导体。


2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述金属在所述第一有源层中的比例为10原子％或更小。


3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述金属为铜、砷、锑、镧、银和氮的混合物、硼和氮的混合物、或镓和氮的混合物。


4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述金属为铜，并且所述氧化物半导体包括锡。


5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一有源层包括铟镓锡氧化物或铟镓锌锡氧化物。


6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述金属被掺杂到所述第一有源层的上表面中。


7.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：金明花，加纳正隆，文然建，朴晙晳，林俊亨，崔惠临，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR