像素电路制造技术

提供了一种像素电路，所述像素电路包括：有机发光元件；开关晶体管；存储电容器，存储经由数据线施加的数据信号；驱动晶体管，允许与数据信号对应的驱动电流流入有机发光体元件中；发射控制晶体管，串联电连接到有机发光元件和驱动晶体管；同步晶体管，电连接到驱动晶体管的底部金属电极。同步晶体管包括：第一同步晶体管，电连接到选自驱动晶体管的源电极、驱动晶体管的栅电极、高电源电压和低电源电压中的第一者；第二同步晶体管，电连接到选自驱动晶体管的源电极、驱动晶体管的栅电极、高电源电压和低电源电压中的第二者。

【技术实现步骤摘要】
像素电路
专利技术的示例性实施例总体涉及一种有机发光显示装置。更具体地，专利技术的示例性实施例涉及一种像素电路，该像素电路包括有机发光元件(例如，有机发光二极管)、开关晶体管、存储电容器、发射控制晶体管、驱动晶体管等。
技术介绍
通常，包括在有机发光显示装置中的像素电路包括有机发光元件、开关晶体管、存储电容器、发射控制晶体管、驱动晶体管等。近来，已经提出了“反向偏置”技术(也称为“同步”技术)，“反向偏置”技术在包括在像素电路中的薄膜晶体管(例如，氧化物薄膜晶体管等)之下形成底部金属层(BML)，其中，底部金属层可以被称为薄膜晶体管的底部金属电极，并且“反向偏置”技术在像素电路被驱动时通过将反向偏置电压施加到薄膜晶体管的底部金属电极而使薄膜晶体管的阈值电压沿正方向或负方向偏移(或移动)。然而，因为传统的反向偏置技术在像素电路的设计阶段中确定(或固定)了将反向偏置电压施加到薄膜晶体管的底部金属电极的目的(例如，将反向偏置电压施加到驱动晶体管的底部金属电极，以便减少(或改善)有机发光显示装置的瞬时余像；将反向偏置电压施加到驱动晶体管的底部金属电极，以便增加(或改善)有机发光显示装置的发射亮度等)，所以在像素电路的设计阶段中薄膜晶体管(例如，驱动晶体管)的阈值电压偏移的方向仅可被确定为一个方向。因此，常规的反向偏置技术不能根据有机发光显示装置的操作阶段(例如，初始化阶段、阈值电压补偿阶段、数据写入阶段、发光阶段等)和/或操作条件来选择性地使驱动晶体管的阈值电压沿正方向或沿负方向偏移。在本
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用于理解专利技术构思的背景，因此，它可能包含不构成现有技术的信息。
技术实现思路
专利技术的示例性实施例提供了一种像素电路，像素电路具有其中驱动晶体管的阈值电压可以根据有机发光显示装置的操作阶段和/或操作条件来选择性地沿正方向或沿负方向偏移的结构。专利技术构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地根据该描述将是清楚的，或者可以通过专利技术构思的实践而得知。专利技术的示例性实施例提供了一种像素电路，像素电路包括：有机发光元件；开关晶体管，被配置为响应于扫描信号而导通或截止；存储电容器，被配置为存储当开关晶体管响应于扫描信号而导通时经由数据线施加的数据信号；驱动晶体管，被配置为允许与存储在存储电容器中的数据信号对应的驱动电流流入有机发光元件中；发射控制晶体管，在高电源电压与低电源电压之间串联电连接到有机发光元件和驱动晶体管，并且被配置为响应于发射控制信号而导通或截止；以及多个同步晶体管，电连接到驱动晶体管的底部金属电极。同步晶体管可以包括：第一同步晶体管，电连接到选自驱动晶体管的源电极、驱动晶体管的栅电极、高电源电压和低电源电压中的第一者；以及第二同步晶体管，电连接到选自驱动晶体管的源电极、驱动晶体管的栅电极、高电源电压和低电源电压中的第二者，并且第二者与第一者不同。当第一同步晶体管导通时，第二同步晶体管可以截止。此外，当第二同步晶体管导通时，第一同步晶体管可以截止。专利技术的另一示例性实施例提供了一种像素电路，像素电路包括：有机发光元件；开关晶体管，被配置为响应于扫描信号而导通或截止；存储电容器，被配置为存储当开关晶体管响应于扫描信号而导通时经由数据线施加的数据信号；驱动晶体管，被配置为允许与存储在存储电容器中的数据信号对应的驱动电流流入有机发光元件中；发射控制晶体管，在高电源电压与低电源电压之间串联电连接到有机发光元件和驱动晶体管，并且被配置为响应于发射控制信号而导通或截止；源极同步晶体管，电连接在驱动晶体管的源电极与驱动晶体管的底部金属电极之间，并且被配置为响应于源极同步控制信号而导通或截止；以及栅极同步晶体管，电连接在驱动晶体管的栅电极与驱动晶体管的底部金属电极之间，并且被配置为响应于栅极同步控制信号而导通或截止。驱动晶体管可以为p沟道金属氧化物半导体晶体管。此外，当源极同步晶体管响应于源极同步控制信号而导通时，驱动晶体管的阈值电压可以沿负方向偏移。可以在需要减小流入有机发光元件中的驱动电流时的第一时段期间激活源极同步控制信号。此外，源极同步晶体管可以在第一时段期间导通，以允许驱动晶体管的源电极的源极电压施加到驱动晶体管的底部金属电极。驱动晶体管可以为p沟道金属氧化物半导体晶体管。此外，当栅极同步晶体管响应于栅极同步控制信号而导通时，驱动晶体管的阈值电压可以沿正方向偏移。可以在需要增大流入有机发光元件中的驱动电流时的第二时段期间激活栅极同步控制信号。此外，栅极同步晶体管可以在第二时段期间导通，以允许驱动晶体管的栅电极的栅极电压施加到驱动晶体管的底部金属电极。像素电路还可以包括：恒压同步晶体管，电连接在驱动晶体管的底部金属电极与恒压供应线之间，并且被配置为响应于恒压同步控制信号而导通或截止。驱动晶体管可以为p沟道金属氧化物半导体晶体管。此外，经由恒压供应线供应的恒压可以具有正电压电平。此外，当恒压同步晶体管响应于恒压同步控制信号而导通时，驱动晶体管的阈值电压可以沿负方向偏移。恒压可以是高电源电压。可以在需要减小流入有机发光元件中的驱动电流时的第三时段期间激活恒压同步控制信号。此外，恒压同步晶体管可以在第三时段期间导通，以允许恒压施加到驱动晶体管的底部金属电极。驱动晶体管可以为p沟道金属氧化物半导体晶体管。此外，经由恒压供应线供应的恒压可以具有负电压电平。此外，当恒压同步晶体管响应于恒压同步控制信号而导通时，驱动晶体管的阈值电压可以沿正方向偏移。恒压可以是低电源电压。可以在需要增大流入有机发光元件中的驱动电流时的第四时段期间激活恒压同步控制信号。此外，恒压同步晶体管可以在第四时段期间导通，以允许恒压施加到驱动晶体管的底部金属电极。专利技术的另一示例性实施例提供了一种像素电路，像素电路包括：有机发光元件；开关晶体管，被配置为响应于扫描信号而导通或截止；存储电容器，被配置为存储当开关晶体管响应于扫描信号而导通时经由数据线施加的数据信号；驱动晶体管，被配置为允许与存储在存储电容器中的数据信号对应的驱动电流流入有机发光元件中；发射控制晶体管，在高电源电压与低电源电压之间串联电连接到有机发光元件和驱动晶体管，并且被配置为响应于发射控制信号而导通或截止；源极同步晶体管，电连接在驱动晶体管的源电极与驱动晶体管的底部金属电极之间，并且被配置为响应于源极同步控制信号而导通或截止；以及恒压同步晶体管，电连接在驱动晶体管的底部金属电极与恒压供应线之间，并且被配置为响应于恒压同步控制信号而导通或截止。驱动晶体管可以为p沟道金属氧化物半导体晶体管。此外，当源极同步晶体管响应于源极同步控制信号而导通时，驱动晶体管的阈值电压可以沿负方向偏移。驱动晶体管可以为p沟道金属氧化物半导体晶体管。此外，当恒压同步晶体管响应于恒压同步控制信号而导通时，驱动晶体管的阈值电压可以沿正方向或沿负方向偏移。专利技术的另一示例性实施例提供了一种像素电路，像素电路包括：有机发光元件；开关晶体管，被配置为响应于扫描信号而导通或截止；存储电容器，被配置为存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素电路，所述像素电路包括：/n有机发光元件；/n开关晶体管，被配置为响应于扫描信号而导通或截止；/n存储电容器，被配置为存储当所述开关晶体管响应于所述扫描信号而导通时经由数据线施加的数据信号；/n驱动晶体管，被配置为允许与存储在所述存储电容器中的所述数据信号对应的驱动电流流入所述有机发光元件中；/n发射控制晶体管，在高电源电压与低电源电压之间串联电连接到所述有机发光元件和所述驱动晶体管，并且被配置为响应于发射控制信号而导通或截止；以及/n多个同步晶体管，电连接到所述驱动晶体管的底部金属电极，/n其中：/n所述多个同步晶体管包括：/n第一同步晶体管，电连接到选自所述驱动晶体管的源电极、所述驱动晶体管的栅电极、所述高电源电压和所述低电源电压中的第一者；以及/n第二同步晶体管，电连接到选自所述驱动晶体管的所述源电极、所述驱动晶体管的所述栅电极、所述高电源电压和所述低电源电压中的第二者；并且/n所述第二者与所述第一者不同。/n

【技术特征摘要】
20190117 KR 10-2019-00061121.一种像素电路，所述像素电路包括：
有机发光元件；
开关晶体管，被配置为响应于扫描信号而导通或截止；
存储电容器，被配置为存储当所述开关晶体管响应于所述扫描信号而导通时经由数据线施加的数据信号；
驱动晶体管，被配置为允许与存储在所述存储电容器中的所述数据信号对应的驱动电流流入所述有机发光元件中；
发射控制晶体管，在高电源电压与低电源电压之间串联电连接到所述有机发光元件和所述驱动晶体管，并且被配置为响应于发射控制信号而导通或截止；以及
多个同步晶体管，电连接到所述驱动晶体管的底部金属电极，
其中：
所述多个同步晶体管包括：
第一同步晶体管，电连接到选自所述驱动晶体管的源电极、所述驱动晶体管的栅电极、所述高电源电压和所述低电源电压中的第一者；以及
第二同步晶体管，电连接到选自所述驱动晶体管的所述源电极、所述驱动晶体管的所述栅电极、所述高电源电压和所述低电源电压中的第二者；并且
所述第二者与所述第一者不同。


2.根据权利要求1所述的像素电路，其中：
当所述第一同步晶体管导通时，所述第二同步晶体管截止；并且
当所述第二同步晶体管导通时，所述第一同步晶体管截止。


3.一种像素电路，所述像素电路包括：
有机发光元件；
开关晶体管，被配置为响应于扫描信号而导通或截止；
存储电容器，被配置为存储当所述开关晶体管响应于所述扫描信号而导通时经由数据线施加的数据信号；
驱动晶体管，被配置为允许与存储在所述存储电容器中的所述数据信号对应的驱动电流流入所述有机发光元件中；
发射控制晶体管，在高电源电压与低电源电压之间串联电连接到所述有机发光元件和所述驱动晶体管，并且被配置为响应于发射控制信号而导通或截止；
源极同步晶体管，电连接在所述驱动晶体管的源电极与所述驱动晶体管的底部金属电极之间，并且被配置为响应于源极同步控制信号而导通或截止；以及
栅极同步晶体管，电连接在所述驱动晶体管的栅电极与所述驱动晶体管的所述底部金属电极之间，并且被配置为响应于栅极同步控制信号而导通或截止。


4.根据权利要求3所述的像素电路，其中：
所述驱动晶体管为p沟道金属氧化物半导体晶体管，并且
当所述源极同步晶体管响应于所述源极同步控制信号而导通时，所述驱动晶体管的阈值电压沿负方向偏移。


5.根据权利要求4所述的像素电路，其中：
在需要减小流入所述有机发光元件中的所述驱动电流的第一时段期间，激活所述源极同步控制信号；并且
所述源极同步晶体管在所述第一时段期间导通，以允许所述驱动晶体管的所述源电极的源极电压施加到所述驱动晶体管的所述底部金属电极。


6.根据权利要求3所述的像素电路，其中：
所述驱动晶体管为p沟道金属氧化物半导体晶体管；并且
当所述栅极同步晶体管响应于所述栅极同步控制信号而导通时，所述驱动晶体管的阈值电压沿正方向偏移。


7.根据权利要求6所述的像素电路，其中：
在需要增大流入所述有机发光元件中的所述驱动电流时的第二时段期间，激活所述栅极同步控制信号；并且
所述栅极同步晶体管在所述第二时段期间导通，以允许所述驱动晶体管的所述栅电极的栅极电压施加到所述驱动晶体管的所述底部金属电极。


8.根据权利要求3所述的像素电路，所述像素电路还包括：恒压同步晶体管，电连接在所述驱动晶体管的所述底部金属电极与恒压供应线之间，并且被配置为响应于恒压同步控制信号而导通或截止。


9.根据权利要求8所述的像素电路，其中：
所述驱动晶体管为p沟道金属氧化物半导体晶体管；
经由所述恒压供应线供应的恒压具有正电压电平；并且
当所述恒压同步晶体管响应于所述恒压同步控制信号而导通时，所述驱动晶体管的阈值电压沿负方向偏移。...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑荣哲，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR