一种显示面板、其制备方法以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示面板、其制备方法以及显示装置。所述显示面板的子像素分为主区和次区，所述主区和所述次区的像素电极由同一个薄膜晶体管驱动；所述显示面板的第二基板包括公共电极、位于所述公共电极上的第二配向膜、以及位于所述第二配向膜上的屏蔽电极；其中，所述屏蔽电极对应于所述次区设置。本发明专利技术降低了TFT器件面积占比，提升了开口率和穿透率。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板、其制备方法以及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板、其制备方法以及显示装置。
技术介绍
液晶显示器包括扭曲向列(TN)模式、电子控制双折射(ECB)模式、共面转换(IPS)模式以及垂直配向(VA)等多种显示模式。其中，VA模式是一种具有高对比度、宽视角、无须摩擦配向等优势的常见显示模式。目前一般采用8畴3T(TFT)的VA像素设计，使同一个子像素内主区的4个畴与次区的4个畴的液晶分子的转动角度不一样，从而改善色偏。但是3T设计占用的空间较大，从而降低了像素的开口率，从而降低显示的穿透率。随着主流产品的解析度不断提高(HD→FHD→4K→8K)，由于工艺精度的限制，TFT器件在像素中占比越来越大，导致高解析度的显示产品穿透率急剧下降。故，有必要改善这一缺陷。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种显示面板，用于解决现有技术的显示面板，采用8畴3T的像素设计，三个TFT占用的空间较大，导致子像素的开口率不足，从而影响显示面板的穿透率的技术问题。本专利技术实施例提供一种显示面板，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括对盒设置的第一基板和第二基板、以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶分子层；/n所述第一基板包括第一衬底层、位于所述第一衬底层上的像素电极层、以及位于所述像素电极层上的第一配向膜；所述像素电极层包括阵列分布的多个子像素，所述子像素分为主区和次区，所述主区和所述次区的像素电极由同一个薄膜晶体管驱动；/n所述第二基板包括第二衬底层、位于所述第二衬底层上的黑色矩阵、位于所述第二衬底层上且位于所述黑色矩阵之间的公共电极、位于所述公共电极上的第二配向膜、以及位于所述第二配向膜上的屏蔽电极；/n其中，所述黑色矩阵对应于所述主区与所述次区之间的间隙设置，所述屏蔽电极对...

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括对盒设置的第一基板和第二基板、以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶分子层；
所述第一基板包括第一衬底层、位于所述第一衬底层上的像素电极层、以及位于所述像素电极层上的第一配向膜；所述像素电极层包括阵列分布的多个子像素，所述子像素分为主区和次区，所述主区和所述次区的像素电极由同一个薄膜晶体管驱动；
所述第二基板包括第二衬底层、位于所述第二衬底层上的黑色矩阵、位于所述第二衬底层上且位于所述黑色矩阵之间的公共电极、位于所述公共电极上的第二配向膜、以及位于所述第二配向膜上的屏蔽电极；
其中，所述黑色矩阵对应于所述主区与所述次区之间的间隙设置，所述屏蔽电极对应于所述次区设置。


2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽电极的材料由超分子材料与三羟甲基丙烷、碳纳米管和/或石墨烯反应制得。


3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述超分子材料为基于三个脲基-4-嘧啶酮官能团的低分子量单体。


4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述屏蔽电极的厚度范围为大于0且小于或者等于0.2微米。


5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述主区与所述次区的面积比范围为大于或者等于0.3且小于或者等于1。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张伟基，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44