【技术实现步骤摘要】
显示器件及其制作方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示器件及其制作方法。
技术介绍
显示技术包括液晶显示技术(LiquidCrystalDisplay,LCD)和有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示技术。在发光二极管显示技术中,使用彩膜(ColorFilter,CF)代替偏光片(Polarizer,POL)被称为免偏光板(POL-less)技术,它不仅能将功能层的厚度从100微米左右降低至5微米以下,而且能够将出光率从42%提高至60%。基于彩膜的POL-less技术被认为是实现动态弯折产品开发的关键技术之一;而在液晶显示技术中,彩膜基板被用于过滤背光源发出的光线。现有制备彩膜的工艺包括用黑矩阵(BlackMatrix,BM)作为堤坝层(Bank),然而,在形成色阻块的过程中,形成色阻块的色阻材料很容易粘在黑矩阵的表面,使得制作显示器件的彩膜工艺中色阻层的精确度不高。故,有必要提出一种新的技术方案,以解决上述技术问题。专利技术内 ...
【技术保护点】
1.一种显示器件的制作方法,其特征在于,包括:/n步骤A:形成一器件板,所述器件板包括间隔排列的第一区域和第二区域;/n步骤B:在所述器件板的所述第一区域上形成第一遮光层,所述第一遮光层中的第一遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度;/n步骤C:在所述第一遮光层上形成第二遮光层,所述第二遮光层中的第二遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度,所述第二遮光层中的所述第二遮光单元在所述器件板上的正投影覆盖所述第一遮光层中的所述第一遮光单元在所述器件板上的正投影的至少一部分;/n步骤D:在所述器件板的所述第二区域上形成色阻层;/n步骤E:形成钝化层,所述钝化层覆盖所述第二遮光层和所述色阻层。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示器件的制作方法,其特征在于,包括:
步骤A:形成一器件板,所述器件板包括间隔排列的第一区域和第二区域;
步骤B:在所述器件板的所述第一区域上形成第一遮光层,所述第一遮光层中的第一遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度;
步骤C:在所述第一遮光层上形成第二遮光层,所述第二遮光层中的第二遮光单元与所述器件板的坡度角小于90度,所述第二遮光层中的所述第二遮光单元在所述器件板上的正投影覆盖所述第一遮光层中的所述第一遮光单元在所述器件板上的正投影的至少一部分;
步骤D:在所述器件板的所述第二区域上形成色阻层;
步骤E:形成钝化层,所述钝化层覆盖所述第二遮光层和所述色阻层。
2.根据权利要求1所述的显示器件的制作方法,其特征在于,所述第二遮光层中的所述第二遮光单元与所述器件板的坡度角大于或等于所述第一遮光层中的所述第一遮光单元与所述器件板的坡度角。
3.根据权利要求1至2任一项所述的显示器件的制作方法,其特征在于,所述步骤C包括:
步骤c1:利用光阻材料制作所述第二遮光层,所述光阻材料包括含氟元素的化合物。
4.根据权利3所述的显示器件的制作方法,其特征在于,所述步骤c1包括:
步骤c11:将所述光阻材料涂布至所述第一遮光层上,以形成遮光材料层;
步骤c12:加热形成所述遮光材料层之后的所述器件板,使得所述遮光材料层形成所述第二遮光层。
5.根据权利要求4所述的显示器件的制作方法,其特征在于,所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱正峰,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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