【技术实现步骤摘要】
一种基于拓展栅晶体管的非接触式实时静电监测方法
本专利技术属于电子
，具体涉及一种基于拓展栅晶体管的非接触式实时静电监测方法。
技术介绍
静电作为一种普遍物理现象，近年来伴随着集成电路的飞速发展和高分子材料的广泛应用，静电的作用力、放电和感应现象引起的危害十分严重，尤其是在工业领域。美国统计，美国电子行业部门每年因静电危害造成损失高达100亿美元，英国电子产品每年因静电造成的损失为20亿英镑，日本电子元器件的不合格品中不少于45%的危害是因为静电放电(ESD)造成的。问题严重性还在于很多人对静电危害的认识不足和防静电知识的无知，常把一些因ESD造成的设备性能下降或故障，误认为是元器件早期老化失效。同时，静电对安全生产、产品质量有着极大的危害。静电放电不仅可以导致易燃易爆物的燃烧、爆炸，而且对生物体有着负面的影响，例如导致心律失常、血钙流失，影响中枢神经等。所以静电的监测与防护已成为国家非常重视的一个研究领域。目前市场上存在的一些实时的静电监测的工具和方法，存在价格高昂，结构和方法复杂等问题。本专利技术涉...
【技术保护点】
1.一种基于拓展栅晶体管的非接触式实时静电监测方法，其特征在于，以场效应晶体管为主体，用导体将场效应晶体管的栅极拓展作为监测端；在场效应晶体管的源极和漏极之间加上恒定的电压，将栅极引出的监测端以非接触的方式靠近带静电的物体，通过监测源极与漏极之间的电流，以及监测端与被测物体间的距离，得到静电的电位。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于拓展栅晶体管的非接触式实时静电监测方法，其特征在于，以场效应晶体管为主体，用导体将场效应晶体管的栅极拓展作为监测端；在场效应晶体管的源极和漏极之间加上恒定的电压，将栅极引出的监测端以非接触的方式靠近带静电的物体，通过监测源极与漏极之间的电流，以及监测端与被测物体间的距离，得到静电的电位。
2.根据权利要求1所述的基于拓展栅晶体管的非接触式实时静电监测方法，其特征在于，
具体步骤如下：
（1）搭建测量系统：用一根导电线，其一端与晶体管栅极电连接，另一端作为静电传感的探头，或者在该导电线另一端电连接另一任意形状的导电结构作为静电传感的探头；
（2）确定晶体管的如下基本参数：迁移率μ值和阈值电压Vt值；
具体方法为：晶体管在饱和区工作时其源漏电流Ids由公式（1）确定：
（1）
式中，W和L分别为晶体管沟道宽度和长度，Ci为晶体管介质层单位面积电容，Vg为晶体管工作时所施加的栅压；先测定晶体管的转移特性曲线，对曲线数据点采用公式（1）进行拟合处理，获得晶体管迁移率μ值和阈值电压Vt值；
（3）测量计算：将静电测量传感探头置于与待测物特定距离d处；在晶体管源漏电极...
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