【技术实现步骤摘要】
基于石墨烯量子点阵列的SERS基底及其制备方法
本专利技术属于石墨烯基SERS基底领域，具体涉及一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底及其制备方法。
技术介绍
石墨烯在物理、化学等方面的性能具有巨大优势，广泛应用于电学、半导体、检测探针等领域。特别是在表面增强拉曼散射（SERS），石墨烯结构稳定、环保，能够有效吸附被探测分钟，常用作SERS基底。在最新的研究指出，有序的石墨烯量子点阵列相比于普通石墨烯膜层的拉曼增强效果更优，但是，无序的石墨烯量子点的拉曼增强效果却不如普通石墨烯膜层。目前，还没有有效的方法可以制备得到有序的石墨烯量子点阵列。此外，与传统的贵金属相比，石墨烯的增强机制仍然有限。因此，通常会在石墨烯表面进一步结合贵金属来增强拉曼散射效果。目前的贵金属层通常是制备在平整的基底表面，但是在量子点阵列基底表面的制备还未有相关报道，为此，本专利技术针对石墨烯量子点阵列基底，研究了一种以金属氧化物掺杂银靶作为合金靶在石墨烯底层上进行磁控溅射制备柔性透明金属导电薄膜的方法。即本专利技术旨在分别从石墨烯...
【技术保护点】
1.一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，包括在绝缘衬底表面生长石墨烯量子点阵列和在石墨烯量子点阵列上沉积柔性透明金属导电薄膜两大步骤，其特征在于：/n所述在绝缘衬底表面生长石墨烯量子点阵列的方法如下：/nA1、提供一绝缘衬底，对绝缘衬底进行表面预处理，然后在绝缘衬底表面进行磁控溅射沉积Ge层作为金属催化层；/nA2、对Ge层金属还原退火处理，得到Ge量子点阵列；所述还原退火处理的温度为850-900℃，退火时间为60-120min，还原气氛为氢气和氩气的混合气体，氢气与氩气的流量比为1:10，氢气流量为20-30sccm；/nA3、在Ge量子点阵列表面化学气相...
【技术特征摘要】
1.一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法，包括在绝缘衬底表面生长石墨烯量子点阵列和在石墨烯量子点阵列上沉积柔性透明金属导电薄膜两大步骤，其特征在于：
所述在绝缘衬底表面生长石墨烯量子点阵列的方法如下：
A1、提供一绝缘衬底，对绝缘衬底进行表面预处理，然后在绝缘衬底表面进行磁控溅射沉积Ge层作为金属催化层；
A2、对Ge层金属还原退火处理，得到Ge量子点阵列；所述还原退火处理的温度为850-900℃，退火时间为60-120min，还原气氛为氢气和氩气的混合气体，氢气与氩气的流量比为1:10，氢气流量为20-30sccm；
A3、在Ge量子点阵列表面化学气相沉积石墨烯量子点阵列；
A4、进行氧化退火处理，将沉积有石墨烯量子点阵列、Ge量子点阵列的绝缘衬底在600-700℃，氧气气氛下进行退火处理，去除中间Ge量子点阵列。
所述在石墨烯量子点阵列上沉积柔性透明金属导电薄膜的方法如下：
将经过步骤A4中的退火处理后得到的半成品放入磁控溅射设备中，对合金靶材进行磁控溅射，以在石墨烯量子点阵列表面沉积得到柔性透明金属导电薄膜；所述合金靶材的组成为80-90wt%的银和10-20wt%的金属氧化物，所述金属氧化物选自二氧化钛、氧化锌、二氧化锡、氧化铟中的一种；磁控溅射沉积的功率为30-60W，溅射气体为Ar，时间为0.5-2min...
【专利技术属性】
技术研发人员：隋学森，
申请(专利权)人：青岛峰峦新材料科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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