【技术实现步骤摘要】
自流平低膨胀釉浆组合物
本专利技术涉及的是一种硅酸盐材料制备领域的技术，具体是一种自流平低膨胀釉浆组合物。
技术介绍
瓷绝缘子是电力设施中的绝缘和输送电导体承载关键设备，瓷绝缘子表面长期堆积大气污秽情况下，往往发生污秽放电危害，影响电力输送安全。传统瓷绝缘子釉表面虽然表象光滑，但是实际存在不易目测的釉面波纹，这些波纹是釉面积污的主要原因。同时瓷绝缘子表面釉应有压缩釉性能，以极大提高瓷绝缘子的机电强度，因此，需要表面釉的膨胀率小于瓷材料本体的膨胀率，釉及瓷的膨胀率差距越大对于提高瓷绝缘子机电强度和抗长期老化性能越有利。然而目前釉的流动度与膨胀率无法兼顾，不易制得流动性好同时膨胀率低的瓷釉材料。例如申请号为CN201911052494.7的中国专利技术专利申请，虽然采用有机改性膨润土提高釉面质量以及通过纳米氮化硼等改善釉料流动性，但是两者的加工成本均较高。为了解决现有技术存在的上述问题，本专利技术由此而来。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术存在的上述不足，提出了一种自流平低膨胀釉浆组合物，通过添加氧化硼以及低离子半径金属氧化物以替代部分黏土，降低氧化铝含量，兼顾了釉料的流动性和膨胀率。本专利技术按重量比例，包括15％黏土、25％长石、25％石英、20％氧化硼和15％低离子半径金属氧化物，通过浆化处理得到釉浆；低离子半径金属氧化物包括氧化镁、氧化锂和氧化钠中至少一种。优选地，低离子半径金属氧化物中氧化镁、氧化锂和氧化钠的重量比例为1～3:1～3:0.5～1。<...
【技术保护点】
1.一种自流平低膨胀釉浆组合物，其特征在于，按重量比例，包括15％黏土、25％长石、25％石英、20％氧化硼和15％低离子半径金属氧化物，通过浆化处理得到釉浆；/n低离子半径金属氧化物包括氧化镁、氧化锂和氧化钠中至少一种。/n
【技术特征摘要】
1.一种自流平低膨胀釉浆组合物，其特征在于，按重量比例，包括15％黏土、25％长石、25％石英、20％氧化硼和15％低离子半径金属氧化物，通过浆化处理得到釉浆；
低离子半径金属氧化物包括氧化镁、氧化锂和氧化钠中至少一种。
2.根据权利要求1所述自流平低膨胀釉浆组合物，其特征是，所述低离子半径金属氧化物中氧化镁...
【专利技术属性】
技术研发人员：周永新，戴裕军，
申请(专利权)人：苏州电瓷厂股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。