一种新型智能功率模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型智能功率模块，包括绝缘基板、IC芯片、功率芯片和引线框架，绝缘基板包括金属层、设置在金属层上的绝缘层和设置在绝缘层上的导电走线层，IC芯片设置在导电走线层上，引线框架设置在导电走线层上，功率芯片设置在引线框架上，其中引线框架包括间隔设置在导电走线层上的第一引线框架和第二引线框架，功率芯片包括设置在第一引线框架上的IGBT芯片和设置在第二引线框架上的FRD芯片。通过上述方式，本实用新型专利技术所公开的新型智能功率模块的功率芯片设置在引线框架上，使得智能功率模块的横向热扩散性能好，且热容量大，以保证功率芯片的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种新型智能功率模块
本技术涉及功率模块
，特别涉及一种新型智能功率模块。
技术介绍
目前，市面上的IPM模块(智能功率模块)集成IC芯片、IGBT芯片、FRD芯片或MOS芯片于一体，整体功能包含三相逆变及电路保护于一体，智能功率模块与早期的多器件分立方案相比具有体积小、电流密度高、保护功能完善、使用简单等优点。然而，市面上的智能功率模块的横向热扩散性能差，热容量小，智能功率模块在瞬间开始工作的时候，功率芯片(如IGBT芯片、FRD芯片或MOS芯片)会产生较大的热量，会导致IGBT芯片、FRD芯片或MOS芯片的温度骤增而损坏功率芯片。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种新型智能功率模块，功率芯片设置在引线框架上，使得智能功率模块的横向热扩散性能好，热容量大，以保证功率芯片的寿命。为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种新型智能功率模块，包括绝缘基板、IC芯片、功率芯片和引线框架，其特征在于，所述绝缘基板包括金属层、设置在所述金属层上的绝缘层和设置在所述绝缘层上的导电走线层，所述IC芯片设置在所述导电走线层上，所述引线框架设置在所述导电走线层上，所述功率芯片设置在所述引线框架上，其中所述引线框架包括间隔设置在所述导电走线层上的第一引线框架和第二引线框架，所述功率芯片包括设置在所述第一引线框架上的IGBT芯片和设置在所述第二引线框架上的FRD芯片。进一步的，所述引线框架还包括设置在所述导电走线层上的第三引线框架，所述功率芯片还包括设置在所述第三引线框架上的MOS芯片。进一步的，所述第一引线框架、所述第二引线框架和所述第三引线框架的厚度均大于或等于0.5毫米。进一步的，还包括环氧树脂层，设置在所述金属层远离所述绝缘层的一侧面。进一步的，所述金属层的厚度大于绝缘层的厚度，所述绝缘层的厚度大于所述导电走线层的厚度。进一步的，所述导电走线层的厚度范围为0.035-0.2毫米。本技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本技术所公开的新型智能功率模块包括绝缘基板、IC芯片、功率芯片和引线框架，绝缘基板包括金属层、设置在金属层上的绝缘层和设置在绝缘层上的导电走线层，IC芯片设置在导电走线层上，引线框架设置在导电走线层上，功率芯片设置在引线框架上，其中引线框架包括间隔设置在导电走线层上的第一引线框架和第二引线框架，功率芯片包括设置在第一引线框架上的IGBT芯片和设置在第二引线框架上的FRD芯片。通过上述方式，本技术所公开的新型智能功率模块的功率芯片设置在引线框架上，使得智能功率模块的横向热扩散性能好，热容量大，以保证功率芯片的寿命。附图说明图1是本技术的新型智能功率模块的正视结构示意图；图2是本技术的新型智能功率模块的剖切结构示意图。具体实施方式请参阅图1-2，该新型智能功率模块包括绝缘基板10、IC芯片11、功率芯片和引线框架。在本实施例中，绝缘基板10包括金属层101、设置在金属层101上的绝缘层102和设置在绝缘层102上的导电走线层103。优选地，金属层101、绝缘层102和导电走线层103的面积相等。在本实施例中，金属层101的厚度大于绝缘层102的厚度，绝缘层102的厚度大于导电走线层103的厚度。优选地，导电走线层103的厚度范围为0.035-0.2毫米。应理解，本实施例的导电走线层103是比较薄的，这样能够蚀刻出高密度的走线。进一步的，在本实施例中，该新型智能功率模块还包括环氧树脂层100，其中环氧树脂层100设置在金属层101远离绝缘层102的一侧面。应理解，环氧树脂层100的面积大于金属层101的面积。在本实施例中，IC芯片11设置在导电走线层103上，引线框架设置在导电走线层103上，功率芯片设置在引线框架上。在本实施例中，引线框架包括间隔设置在导电走线层103上的第一引线框架121和第二引线框架122，其中功率芯片包括设置在第一引线框架121上的IGBT芯片13和设置在第二引线框架122上的FRD芯片14。进一步的，引线框架还包括设置在导电走线层103上的第三引线框架，其中功率芯片还包括设置在第三引线框架上的MOS芯片。在本实施例中，第一引线框架121、第二引线框架122和第三引线框架的厚度均大于或等于0.5毫米，使得第一引线框架121、第二引线框架122和第三引线框架的厚度相对比较高，能够加大功率芯片与导电走线层103的距离，使得热量的扩散空间大，也利于横向热扩散。在本实施例中，第一引线框架121、第二引线框架122和第三引线框架均由金属材料构成。优选地，第一引线框架121、第二引线框架122和第三引线框架由铜材料构成。应理解，本实施例的功率芯片(如IGBT芯片、FRD芯片或MOS芯片)设置在引线框架上，由于引线框架厚度大于或等于0.5毫米，因此功率芯片的热量能够通过引线框架进行散热，同时热量还能通过引线框架传递至导电走线层103上以实现模块散热，使得横向热扩散性能好，以保证功率芯片的寿命。值得注意的是，本实施例的IC芯片11、功率芯片和引线框架可以采用现有技术中的产品实现，在此不一一赘述其原理及其结构。综上，本技术所公开的新型智能功率模块包括绝缘基板、IC芯片、功率芯片和引线框架，绝缘基板包括金属层、设置在金属层上的绝缘层和设置在绝缘层上的导电走线层，IC芯片设置在导电走线层上，引线框架设置在导电走线层上，功率芯片设置在引线框架上，其中引线框架包括间隔设置在导电走线层上的第一引线框架和第二引线框架，功率芯片包括设置在第一引线框架上的IGBT芯片和设置在第二引线框架上的FRD芯片。通过上述方式，本技术所公开的新型智能功率模块的功率芯片设置在引线框架上，使得智能功率模块的横向热扩散性能好，且热容量大，以保证功率芯片的寿命。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型智能功率模块，包括绝缘基板、IC芯片、功率芯片和引线框架，其特征在于，所述绝缘基板包括金属层、设置在所述金属层上的绝缘层和设置在所述绝缘层上的导电走线层，所述IC芯片设置在所述导电走线层上，所述引线框架设置在所述导电走线层上，所述功率芯片设置在所述引线框架上，其中所述引线框架包括间隔设置在所述导电走线层上的第一引线框架和第二引线框架，所述功率芯片包括设置在所述第一引线框架上的IGBT芯片和设置在所述第二引线框架上的FRD芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型智能功率模块，包括绝缘基板、IC芯片、功率芯片和引线框架，其特征在于，所述绝缘基板包括金属层、设置在所述金属层上的绝缘层和设置在所述绝缘层上的导电走线层，所述IC芯片设置在所述导电走线层上，所述引线框架设置在所述导电走线层上，所述功率芯片设置在所述引线框架上，其中所述引线框架包括间隔设置在所述导电走线层上的第一引线框架和第二引线框架，所述功率芯片包括设置在所述第一引线框架上的IGBT芯片和设置在所述第二引线框架上的FRD芯片。


2.根据权利要求1所述的新型智能功率模块，其特征在于，所述引线框架还包括设置在所述导电走线层上的第三引线框架，所述功率芯片还包括设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊，
申请(专利权)人：陈俊，
类型：新型
国别省市：江西;36