化合物半导体基板制造技术

提供一种能够容易地控制翘曲的化合物半导体基板。化合物半导体基板具备：SiC(碳化硅)层；AlN(氮化铝)缓冲层，形成于SiC层上；下部复合层，形成于AlN缓冲层上；以及上部复合层，形成于下部复合层上。下部复合层包括：沿上下方向层叠的多个下部Al(铝)氮化物半导体层；以及形成于多个下部Al氮化物半导体层各自之间的下部GaN(氮化镓)层。上部复合层包括沿上下方向层叠的多个上部GaN层；以及形成于多个上部GaN层各自之间的上部Al氮化物半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化合物半导体基板
本专利技术涉及化合物半导体基板，更具体而言，涉及能够容易地控制翘曲的化合物半导体基板。
技术介绍
已知GaN(氮化镓)与Si(硅)相比带隙大，绝缘破坏电场强度高的宽带隙半导体材料。GaN与其他宽带隙半导体材料相比具有高的耐绝缘破坏性，因此期待应用于下一代的低损耗的功率器件。在使用了GaN的半导体器件的开始基板(基底基板)使用了Si基板的情况下，由于GaN与Si之间的晶格常数以及热膨胀系数的大的差，容易引起在基板产生翘曲、或者在GaN层内产生裂缝的现象。因此，作为开始基板，提出了通过采用在Si基板上形成了SiC(碳化硅)层等的化合物半导体基板，利用SiC层等缓和GaN与Si之间的晶格常数以及热膨胀系数之差的技术。作为这样的技术，在下述专利文献1等中公开了抑制基板的翘曲、裂缝的产生的技术。在下述专利文献1中，公开了一种化合物半导体基板，其具备：SiC层、形成于SiC层上的AlN(氮化铝)缓冲层、形成于AlN缓冲层上的包括Al(铝)的氮化物半导体层、形成于氮化物半导体层上的第1GaN层、与第1GaN层接触而形成于第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物半导体基板，具备：/n基底层；/n缓冲层，形成于所述基底层上且由AlN构成；/n下部复合层，形成于所述缓冲层上；以及/n上部复合层，形成于所述下部复合层上，/n所述下部复合层包括：/n沿上下方向层叠，包括Al的多个下部氮化物半导体层；以及/n形成于所述多个下部氮化物半导体层各自之间的下部GaN层，/n所述上部复合层包括：/n沿上下方向层叠的多个上部GaN层；以及/n形成于所述多个上部GaN层各自之间的包括Al的上部氮化物半导体层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171208 JP 2017-2357431.一种化合物半导体基板，具备：
基底层；
缓冲层，形成于所述基底层上且由AlN构成；
下部复合层，形成于所述缓冲层上；以及
上部复合层，形成于所述下部复合层上，
所述下部复合层包括：
沿上下方向层叠，包括Al的多个下部氮化物半导体层；以及
形成于所述多个下部氮化物半导体层各自之间的下部GaN层，
所述上部复合层包括：
沿上下方向层叠的多个上部GaN层；以及
形成于所述多个上部GaN层各自之间的包括Al的上部氮化物半导体层。


2.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述基底层由SiC构成。


3.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述下部GaN层具有3nm以上且100nm以下的厚度。


4.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述上部氮化物半导体层具有3nm以上且50nm以下的厚度。


5.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述多个下部氮化物半导体层为3层，
所述下部GaN层为2层。


6.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其中，
所述多个下部氮化物半导体层包括Al以及Ga，
在对所述多个下...

【专利技术属性】
技术研发人员：大内澄人，铃木悠宜，生川满久，川村启介，
申请(专利权)人：爱沃特株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP