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提供一种能够容易地控制翘曲的化合物半导体基板。化合物半导体基板具备：SiC(碳化硅)层；AlN(氮化铝)缓冲层，形成于SiC层上；下部复合层，形成于AlN缓冲层上；以及上部复合层，形成于下部复合层上。下部复合层包括：沿上下方向层叠的多个下部...
该专利属于爱沃特株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过爱沃特株式会社授权不得商用。

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