固态馈入材料的离子源坩埚制造技术

本发明专利技术公开一种具有坩埚的离子源。在一些实施例中，坩埚设置在离子源的各端中与阴极相对的一端上。在其他实施例中，坩埚设置在各侧壁中的一者中。可呈固态形式的馈入材料设置在坩埚中。在某些实施例中，馈入材料通过等离子中的离子及电子而被溅射。在其他实施例中，馈入材料被加热成使得其汽化。离子源可被定向成使得坩埚设置在最下部壁中，从而使重力将馈入材料保持在坩埚中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态馈入材料的离子源坩埚
本专利技术的实施例涉及一种离子源，且更具体来说，涉及一种具有固态馈入材料坩埚的离子源。
技术介绍
可使用各种类型的离子源来形成在半导体加工设备中所使用的离子。举例来说，间热式阴极(indirectlyheatedcathode，IHC)离子源通过向设置在阴极后面的丝极(filament)供应电流而运作。丝极发射热电子，所述热电子被朝向阴极加速且对阴极进行加热，此又使阴极向离子源的电弧腔室中发射电子。阴极设置在电弧腔室的一端处。推斥极(repeller)通常设置在电弧腔室的与阴极相对的端上。阴极及推斥极可被施加偏压，以推斥电子，从而将电子朝向电弧腔室的中心往回引导。在一些实施例中，使用磁场来进一步将电子局限在电弧腔室内。在某些实施例中，在电弧腔室的一个或多个侧壁上也设置有电极。这些电极可被施加正的偏压或负的偏压，以控制离子及电子的位置，从而增大电弧腔室的中心附近的离子密度。抽取开孔沿着另一侧、邻近电弧腔室的中心而设置，可经由所述抽取开孔抽取离子。在某些实施例中，可期望利用呈固态形式的馈入材料作为掺杂剂物质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种间热式阴极离子源，其特征在于，包括：/n电弧腔室，包括连接第一端与第二端的多个导电侧壁；/n间热式阴极，设置在所述电弧腔室的所述第一端上；以及/n坩埚，设置在所述电弧腔室的所述第二端上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171212 US 62/597,7361.一种间热式阴极离子源，其特征在于，包括：
电弧腔室，包括连接第一端与第二端的多个导电侧壁；
间热式阴极，设置在所述电弧腔室的所述第一端上；以及
坩埚，设置在所述电弧腔室的所述第二端上。


2.根据权利要求1所述的间热式阴极，其特征在于，进一步包括设置在所述多个导电侧壁中的一者上的电极；其中相对于对所述电弧腔室的所述多个导电侧壁施加的电压而对所述电极施加电压。


3.根据权利要求1所述的间热式阴极离子源，其特征在于，进一步包括设置在所述坩埚中的馈入材料，其中所述电弧腔室被定向成使得重力将所述馈入材料保持在所述坩埚中。


4.根据权利要求1所述的间热式阴极离子源，其特征在于，所述坩埚包括具有凹陷腔的受热式坩埚，馈入材料设置在所述凹陷腔中并被加热。


5.根据权利要求4所述的间热式阴极离子源，其特征在于，使用丝极来对所述馈入材料进行加热。


6.一种间热式阴极离子源，其特征在于，包括：
电弧腔室，包括连接第一端与第二端的多个导电侧壁；
间热式阴极，设置在所述电弧腔室的所述第一端上；以及
坩埚，设置在与第一侧壁相对的第二侧壁上。


7.根据权利要求6所述的间热式阴极离子源，其特征在于，进一步包括设置在所述第一侧壁上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：可劳斯·贝克，丹尼尔·艾凡瑞朵，麦可·圣彼得，格拉汉·莱特，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US