光子倍增材料制造技术

一种光子倍增材料，包含发光材料，该发光材料具有附接在其上的能够单线态裂变的有机半导体分子，其中有机半导体分子通过连接基团被化学地附接至发光材料，并且其中连接基团和发光材料的带隙被选择成使得由附接的有机半导体分子中的单线态裂变所形成的激子三线态可以被能量转移到发光材料中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光子倍增材料本专利技术涉及光子倍增材料(photonmultiplyingmaterial)和包含该材料的光子倍增膜(photonmultiplyingfilm)，以及涉及包含该膜的光电装置(opto-electronicdevice)，例如太阳能电池或光伏电池。像单晶硅和多晶硅的低带隙太阳能电池代表了全球太阳能光伏电池市场的超过90％。使用单晶硅的最高效率(26.3％)接近29.4％的理论限值。旨在减少光损耗和电荷重组(chargerecombination)的改进很难实现，并且实现成本很高。因此，最近的许多工作针对可以超出理论限值的方法。这些方法可以被分类为具有载流子倍增(carriermultiplication)的单结太阳能电池(最大理论效率为约39％)；级联太阳能电池(tandemsolarcell)，其中提供了具有载流子倍增和没有载流子倍增的不同材料的组合(理论效率在39％-47％的范围内)；以及具有光子倍增或没有光子倍增的光谱(向上和向下)转换。自2006年左右以来，在光伏电池中使用单线态裂变材料(singletfissionmateria本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光子倍增材料，包含发光材料，所述发光材料具有附接在其上的能够单线态裂变的有机半导体分子，其中所述有机半导体分子通过连接基团被化学地附接至所述发光材料，并且其中所述连接基团和所述发光材料的带隙被选择成使得由附接的有机半导体分子中的单线态裂变所形成的激子三线态能够被能量转移到所述发光材料中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171204 GB 1720190.61.一种光子倍增材料，包含发光材料，所述发光材料具有附接在其上的能够单线态裂变的有机半导体分子，其中所述有机半导体分子通过连接基团被化学地附接至所述发光材料，并且其中所述连接基团和所述发光材料的带隙被选择成使得由附接的有机半导体分子中的单线态裂变所形成的激子三线态能够被能量转移到所述发光材料中。


2.根据权利要求1所述的材料，其中所述连接基团提供所述附接的有机半导体分子中的一个或更多个在所述量子点的2.0nm或更小、优选地1.0nm或更小、并且更优选地0.5nm或更小内。


3.根据权利要求2所述的材料，其中所述连接基团附接单个有机半导体分子，使得所述量子点上的相邻半导体分子在彼此的2.0nm或更小、优选地1.0nm或更小、并且更优选地0.5nm或更小内。


4.根据权利要求2所述的材料，其中所述连接基团附接两个半导体分子，使得每个半导体分子在另一个半导体分子的2.0nm或更小、优选地1.0nm或更小、并且更优选地0.5nm或更小内。


5.根据权利要求2所述的材料，其中所述连接基团附接半导体分子，所述半导体分子本身通过另外的连接基团被附接至第二半导体分子。


6.根据任一前述权利要求所述的材料，其中所述连接基团包含羧基(-CO2-)部分、硫代羧基(-CSO-或-COS-)部分、酰胺基(-NHO-或-NRO-)部分、脒基(-NHN-或-NRN-)部分、硫代氨基甲酰基(-CSN-)部分、硫基(-S-)部分和磷脂酰(-PO3-)部分中的一个或更多个。


7.根据任一前述权利要求所述的材料，其中所述连接基团包括乙炔、烯烃、噻吩、呋喃、吡咯、对亚苯基或低聚(对亚苯基)、对亚苯基亚乙炔基和对亚苯基亚乙烯基。


8.根据任一前述权利要求所述的材料，其中所述有机半导体分子是小分子、二聚体、低聚物、均聚物、共聚物、树枝状聚合物或有机金属络合物。


9.根据任一前述权利要求所述的材料，其中所述有机半导体分子包括并苯、苝、萘嵌苯、二酮吡咯并吡咯、芴、类胡萝卜素或苯并呋喃中的一种或更多种。


1...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿克沙伊·拉奥，纳撒尼尔·戴维斯，杰西·阿勒代斯，
申请(专利权)人：剑桥企业有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB