背面研磨带制造技术

本公开内容涉及背面研磨带，包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，其中聚合物树脂层的玻璃化转变温度为‑30℃至0℃。本公开内容还涉及使用背面研磨带研磨晶片的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】背面研磨带
相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月4日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0064315号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。本公开内容涉及背面研磨带，更特别地，涉及附接至半导体晶片的表面以在半导体制造过程中在背面研磨过程期间保护表面的胶粘带。
技术介绍
近来，随着电子器件朝小型化、高功能性和容量增大的趋势日益增加，对半导体封装的致密化和高集成度的需求快速增加。因此，半导体芯片的尺寸变得更大，同时厚度变得更薄，这增加了电路的集成度。然而，半导体芯片本身的模量降低，引起制造过程中或最终产品的可靠性方面的问题。根据对半导体的增大和减薄的需求，基本上通过用由细金刚石颗粒构成的抛光轮研磨晶片的背表面以减小芯片的厚度来进行背面研磨过程，从而促进组装。在研磨过程期间，由于大量的硅残留物(粉尘)和颗粒，经常发生晶片的损坏例如污染和裂纹。因此，用于保护半导体晶片的表面的胶粘膜或背面研磨带变得更重要。特别地，当将半导体晶片研磨至极薄的厚度时，晶片的刚性降低并且容易发生翘曲，使得研磨过程中使用的背面研磨带的物理特性的均匀性变得更重要。
技术实现思路
技术问题本公开内容将提供背面研磨带，其可以容易地应用于具有薄厚度的晶片的研磨过程，并且可以表现出改善的晶片保护性能。本公开内容还将提供使用背面研磨带的晶片的研磨方法。技术方案提供了背面研磨带，其包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，其中聚合物树脂层的玻璃化转变温度为-30℃至0℃。还提供了使用背面研磨带研磨晶片的方法。在下文中，将更详细地描述根据本公开内容的示例性实施方案的背面研磨带和研磨方法。在本公开内容中，(甲基)丙烯酸酯包括丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯二者。如上所述，根据本公开内容的一个实施方案，提供了背面研磨带，其包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，其中聚合物树脂层的玻璃化转变温度为-30℃至0℃。本专利技术人通过使用包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂制备了玻璃化转变温度为-30℃至0℃的聚合物树脂层，并且通过实验发现当将所述聚合物树脂层用作背面研磨带时，可以容易地将其应用于具有约50μm的薄厚度的晶片的研磨过程。本专利技术人还发现背面研磨带具有小于某一水平的恢复率，使得可以防止由于加工期间的应力或热引起的变形，由此实现改善的晶片保护性能，从而完成了本专利技术。更具体地，当聚合物树脂层具有-30℃至0℃的玻璃化转变温度，并且包含含有10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂时，对背面研磨带测量的以下恢复率1与以下恢复率2之差的绝对值可以为10％或更小。[恢复率1和恢复率2]恢复率1是当将背面研磨膜在室温下在任一方向(第一方向)上拉伸5％时恢复长度与拉伸长度之比。恢复率2是当将背面研磨膜在室温下在垂直于第一方向的第二方向上拉伸5％时恢复长度与拉伸长度之比。当恢复率1与恢复率2之差的绝对值超过10％时，芯片之间的间隙(在下文中称为切口(kerf))由于研磨过程期间产生的热或应力而膨胀或收缩，导致芯片破裂或对准问题，这可能引起过程误差。当恢复率1与恢复率2之差的绝对值低于10％时，存在由于膨胀或收缩引起的较小变形，并且可以防止芯片破裂或切口收缩，从而实现改善的晶片保护性能。在下文中，恢复率1与恢复率2之差的绝对值可以为10％或更小、7％或更小、或者5％或更小。第一方向可以为背面研磨带中包括的聚合物树脂层的MD方向，第二方向可以为聚合物树脂层的TD方向。聚合物树脂层的玻璃化转变温度可以为-30℃至0℃，因为树脂层包含含有10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂。更具体地，玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的玻璃化转变温度可以为0℃至100℃。玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的实例可以为以下至少一种化合物：邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯(OPPEA)、(甲基)丙烯酸异冰片酯(IBOA)、丙烯酸甲酯和(甲基)丙烯酸环己酯。氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂连同源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元还可以包含含有C2至C12烷基的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元或含有可交联官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元。含有C2至C12烷基的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元可以为源自选自以下的至少一种单体或低聚物的重复单元：(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯和(甲基)丙烯酸癸酯。含有可交联官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元的实例可以包括含有羟基、羧基、含氮官能团等的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元。含有可交联官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元可以源自含有可交联官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的单体。含羟基的(甲基)丙烯酸酯单体的实例包括(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯和(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯。含羧基的(甲基)丙烯酸酯单体的实例可以包括(甲基)丙烯酸，含有含氮官能团的(甲基)丙烯酸酯单体的实例可以包括(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基己内酰胺。然而，实例不限于此。氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂可以包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，并且还可以包含源自氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物或聚合物的基于氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的重复单元或链段。氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物或聚合物的实例没有具体限制。例如，可以使用分子量为100至15,000的基于氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的低聚物或经聚碳酸酯改性的脂族氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、或分子量为20,000至100,000的聚碳酸酯氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。聚合物树脂层的厚度没有特别限制，但可以为5μm至200μm。同时，本实施方案的背面研磨带还可以包括厚度为1μm至100μm的胶粘层。胶粘层的具体组成没有特别限制。例如，胶粘层可以包含胶粘树脂、光引发剂和交联剂。交联剂可以包括选自以下的至少一种化合物：基于异氰酸酯的化合物、基于氮丙啶的化合物、基于环氧的化合物和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背面研磨带，包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，/n其中所述聚合物树脂层的玻璃化转变温度为-30℃至0℃。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180604 KR 10-2018-00643151.一种背面研磨带，包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，
其中所述聚合物树脂层的玻璃化转变温度为-30℃至0℃。


2.根据权利要求1所述的背面研磨带，
其中所述玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物包括选自以下的至少一种化合物：邻苯基苯氧乙基丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、丙烯酸甲酯和(甲基)丙烯酸环己酯。


3.根据权利要求1所述的背面研磨带，
其中所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂连同所述源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元还包含含有C2至C12烷基的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元或含有可交联官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元。


4.根据权利要求1所述的背面研磨带，
其中所述背面研磨带的以下恢复率1与以下恢复率2之差的绝对值为10％或更小：
所述恢复率1是当将所述背面研磨膜在室温下在第一方向上拉伸5％时恢复长度与拉伸长度之比，以及

【专利技术属性】
技术研发人员：尹美善，金色拉，李光珠，延博拉，金相还，金殷英，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR