一种基于缺陷地的L型超宽带双极化平面紧耦合天线单元制造技术

本发明专利技术公开了一种基于缺陷地的L型超宽带双极化平面紧耦合天线单元，包括介质匹配层，位于介质匹配层下方的用于收发信号的平面双极化紧耦合辐射单元，在平面双极化紧耦合辐射单元的下方依次设有第一电阻型频率选择表面、缺陷地结构和第二电阻型频率选择表面，所述的缺陷地结构为带有横纵网格状裂口间隙的金属层。反射板为缺陷地结构，通过调节反射板上开槽的位置与形状，可以使得天线的低频阻抗匹配具有显著的优化作用，实现带宽的进一步匹配，通过优化各部分结构尺寸，最终得到一种带宽性能优良的双极化平面紧耦合天线。阵列天线领域中一种具有超宽带、双极化特性的平面紧耦合天线。

【技术实现步骤摘要】
一种基于缺陷地的L型超宽带双极化平面紧耦合天线单元
本专利技术涉及L型超宽带平面双极化天线
，特别是指一种基于缺陷地的L型超宽带双极化平面紧耦合天线单元。
技术介绍
目前在宽带阵列天线的使用中，常用的主要结构有vivaldi天线以及近年来提出的紧耦合天线结构。传统的阵列天线设计为了控制阵元耦合的不利影响往往会尽量增加单元间距，但是阵元间距的增加很容易引入栅瓣。除此之外，Vivaldi天线作为传统宽带天线单元，由于其天线本身辐射特性而存在剖面较高的问题，体积较大难以实现小型化以及系统集成。紧耦合天线的概念是2003年由Munk教授根据频率选择表面的研究发展而来，通过偶极子之间的耦合电容与偶极子与反射板之间的电感在整个频带内的动态平衡实现超宽带匹配，具有超宽带、小尺寸、低剖面的特点。伴随着技术发展以及工程需求的提升，对于有限空间载体平台来说紧耦合天线在具备超宽带特性的同时结构更加紧凑剖面更低，具备双线极化特性的超宽带紧耦合天线的研究十分必要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决双极化紧耦合天线的带宽问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于缺陷地的L型超宽带双极化平面紧耦合天线单元，其特征在于，包括介质匹配层(1)，位于介质匹配层下方的用于收发信号的平面双极化紧耦合辐射单元(2)，在平面双极化紧耦合辐射单元(2)的下方依次设有第一电阻型频率选择表面(3)、缺陷地结构(4)和第二电阻型频率选择表面(5)；/n所述的缺陷地结构为带有横纵网格状裂口间隙(6)的金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于缺陷地的L型超宽带双极化平面紧耦合天线单元，其特征在于，包括介质匹配层(1)，位于介质匹配层下方的用于收发信号的平面双极化紧耦合辐射单元(2)，在平面双极化紧耦合辐射单元(2)的下方依次设有第一电阻型频率选择表面(3)、缺陷地结构(4)和第二电阻型频率选择表面(5)；
所述的缺陷地结构为带有横纵网格状裂口间隙(6)的金属层。


2.根据权利要求1所述的一种基于缺陷地的L型超宽带双极化平面紧耦合天线单元，其特征在于，所述平面双极化紧耦合辐射单元(2)包括上下相对的两个介质板，每个介质板的相对面都具有极化辐射单元。


3.根据权利要求2所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓骁，刘桂凤，刘松涛，常硕，崔子卿，卢炜，孙琪，张建超，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十四研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13