一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法技术

本发明专利技术公开了一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，属于太阳电池技术领域，其特征在于：包括：S1、采用金属有机化学气相沉积技术正向生长四结砷化镓太阳电池，在锗衬底上依次生长0.67eV的Ge电池、1.1eV的InGaAs电池、1.5eV的AlGaAs电池、1.95eVAlGaInP电池；S2、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备0.67eV的Ge标准子电池；S3、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备1.1eVInGaAs标准子电池；S4、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备1.5eV的AlGaAs标准子电池；S5、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备1.95eVAlGaInP标准子电池。

【技术实现步骤摘要】
一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法
本专利技术属于太阳电池
，具体涉及一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法。
技术介绍
在航天飞行器太阳电池阵的设计阶段，设计参数主要是依据太阳电池单体的测试数据，太阳电池阵通常由大量太阳电池单体组成，太阳电池单体电性能测试结果的微小误差将会对太阳电池阵的设计和研制造成严重影响。如果测试结果偏高，太阳电池阵的实际输出功率就达不到设计要求，造成供电不足；如果测试结果偏低，则会导致太阳电池阵面积、重量以及成本的增加，造成资源的浪费。准确测试太阳电池的电性能参数，尤其是光电转换效率对空间太阳电池阵的设计、研制和生产都至关重要。对于空间用太阳电池来说，标准测试条件是AM0光谱，这样的标准阳光在地面无法获取，通常采用人造光源来模拟太阳光，即太阳模拟器，来进行太阳电池电性能测试。由于受到技术限制，目前在地面尚无法100％复现AM0光谱。所以，每次测试都需要用AM0光谱标定过的标准子电池对太阳模拟器进行校准。从原理上来说，四个标准子电池应该与四结太阳电池中对应的子电池具有相同的结构，使得四个标准子电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，其特征在于：包括如下步骤：/nS1、采用金属有机化学气相沉积技术正向生长四结砷化镓太阳电池，在锗衬底上依次生长0.67eV的Ge电池、1.1eV的InGaAs电池、1.5eV的AlGaAs电池、1.95eVAlGaInP电池；/nS2、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备0.67eV的Ge标准子电池，具体为：在四结电池外延片正面通过光刻技术制备出上电极栅线图形，通过化学腐蚀技术在栅线图形处腐蚀掉1.95eV的AlGaInP电池、1.5eV的AlGaAs电池、1.1eV的InGaAs电池；采用电子束蒸发技术在外延片正面蒸镀上电极，背面蒸镀下电极；/...

【技术特征摘要】
1.一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1、采用金属有机化学气相沉积技术正向生长四结砷化镓太阳电池，在锗衬底上依次生长0.67eV的Ge电池、1.1eV的InGaAs电池、1.5eV的AlGaAs电池、1.95eVAlGaInP电池；
S2、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备0.67eV的Ge标准子电池，具体为：在四结电池外延片正面通过光刻技术制备出上电极栅线图形，通过化学腐蚀技术在栅线图形处腐蚀掉1.95eV的AlGaInP电池、1.5eV的AlGaAs电池、1.1eV的InGaAs电池；采用电子束蒸发技术在外延片正面蒸镀上电极，背面蒸镀下电极；
S3、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备1.1eVInGaAs标准子电池；具体为：在四结电池外延片正面通过光刻技术制备出栅线图形，通过化学腐蚀技术在栅线图形处腐蚀掉1.95eV的AlGaInP电池、1.5eV的AlGaAs电池；在四结电池外延片背面通过光刻技术制备出一个微孔图形，通过化学腐蚀技术在微孔区域腐蚀掉Ge衬底、0.67eV的Ge电池；采用电子束蒸发技术在外延片正面蒸镀上电极，背面蒸镀下电极；
S4、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备1.5eV的AlGaAs标准子电池；具体为：在四结电池外延片正面通过光刻技术制备出栅线图形，通过化学腐蚀技术在栅线图形处腐蚀掉1.95eV的AlGaInP电池；在四结电池外延片背面通过光刻技术制备出一个微孔图形，通过化学腐蚀技术在微孔区域腐蚀掉Ge衬底、0.67eV的Ge电池、1.1eV的InGaAs电池；采用电子束蒸发技术在外延片正面蒸镀上电极，背面蒸镀下电极；
S5、以四结砷化镓太阳电池整体为基础，制备1.95eVAlGaInP标准子电池；具体为：在四结电池外延片正面通过光刻技术制备出栅线图形；在四结电池外延片背面通过光刻技术制备出一个微...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛超，孙强，刘如斌，张启明，张恒，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12