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本发明公开了一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法，属于太阳电池技术领域，其特征在于：包括：S1、采用金属有机化学气相沉积技术正向生长四结砷化镓太阳电池，在锗衬底上依次生长0.67eV的Ge电池、1.1eV的InGaAs电池、1.5eV...
该专利属于中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。

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