肖特基二极管及其制造方法技术

本申请实施例提供一种肖特基二极管及其制造方法，涉及半导体器件制造领域。本实施例中，通过在氧化层开设朝向外延层凹陷的防水槽，并在氧化层上制作填充于防水槽并在该防水槽对应的位置处形成与防水槽相互咬合并凸起的钝化层。钝化层与氧化层通过上述凹凸咬合结构层叠在一起，在肖特基二极管使用过程中，即便工作温度发生变化，钝化层与氧化层结合处的剪切力也不足以形成供水汽侵入肖特基结的微小缝隙。同时，因氧化层开设有防水凹槽，即便环境中存在水汽，水汽在侵入时也会聚集在防水凹槽，不会进入到肖特基结，确保肖特基二极管不会失效。

【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管及其制造方法
本申请涉及半导体器件制造
，具体而言，涉及一种肖特基二极管及其制造方法。
技术介绍
肖特基二极管在存放或使用过程中，可能会存在环境中的水汽侵入器件中，导致肖特基二极管失效的技术问题。如何克服上述技术问题是本领域技术人员急需要解决的技术问题。
技术实现思路
为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种可防止环境水汽侵入，导致器件失效的肖特基二极管及制造该肖特基二极管的方法。本申请的第一方面，提供一种肖特基二极管，所述肖特基二极管包括：衬底；制作于所述衬底一侧的外延层；在所述外延层远离所述衬底一侧设置的肖特基结；制作于所述外延层且位于所述肖特基结周围，用于改善所述肖特基结电场曲率的半导体环；制作于所述外延层远离所述衬底的一侧且位于所述肖特基结周围的氧化层，所述氧化层上开设有朝向所述外延层凹陷的防水槽；制作于所述肖特基结且部分位于靠近所述肖特基结的氧化层上的第一金属层；制作于所述衬底远离所述外延层的一侧的第二金属层；...

【技术保护点】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括：/n衬底；/n制作于所述衬底一侧的外延层；/n在所述外延层远离所述衬底一侧设置的肖特基结；/n制作于所述外延层且位于所述肖特基结周围，用于改善所述肖特基结电场曲率的半导体环；/n制作于所述外延层远离所述衬底的一侧且位于所述肖特基结周围的氧化层，所述氧化层上开设有朝向所述外延层凹陷的防水槽；/n制作于所述肖特基结且部分位于靠近所述肖特基结的氧化层上的第一金属层；/n制作于所述衬底远离所述外延层的一侧的第二金属层；/n制作于所述氧化层及所述第一金属层的至少部分区域上的钝化层，其中，所述氧化层远离所述衬底一侧设置有防水槽，所述钝化层填充于所述防...

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管包括：
衬底；
制作于所述衬底一侧的外延层；
在所述外延层远离所述衬底一侧设置的肖特基结；
制作于所述外延层且位于所述肖特基结周围，用于改善所述肖特基结电场曲率的半导体环；
制作于所述外延层远离所述衬底的一侧且位于所述肖特基结周围的氧化层，所述氧化层上开设有朝向所述外延层凹陷的防水槽；
制作于所述肖特基结且部分位于靠近所述肖特基结的氧化层上的第一金属层；
制作于所述衬底远离所述外延层的一侧的第二金属层；
制作于所述氧化层及所述第一金属层的至少部分区域上的钝化层，其中，所述氧化层远离所述衬底一侧设置有防水槽，所述钝化层填充于所述防水槽并在所述防水槽对应的位置处形成与所述防水槽咬合的凸起。


2.如权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述衬底与所述外延层为N型半导体层，所述半导体环为P型半导体环；或
所述衬底与所述外延层为P型半导体层，所述半导体环为N型半导体环。


3.如权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述衬底为重掺杂半导体层，所述衬底的电阻率为0.05Ω·cm，所述外延层为轻掺杂半导体层，所述外延层的电阻率为0.5Ω·cm。


4.如权利要求1-3中任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述防水槽包括U型槽和/或V型槽。


5.如权利要求4所述的肖特基二极管，其特征在于，所述防水槽的深度小于所述氧化层的厚度。


6.一种肖特基二极管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底的表面形成外延层；
在所述外延层远离所述衬底的表面形成氧化层；
蚀刻所述氧化层，在所述外延层远离所述衬底的一侧形成半导体环；
将所述半导体环之间的所述氧化层蚀刻掉，在蚀刻后形成的区域中制作肖特基结；
在所述肖特基结及靠近所述肖特基结的氧化层上制作第一金属层，并在所述衬底远离所述外延层的一侧制作第二金属层；其中所述第一金属层覆盖在所述肖特基结及所述半导体环上，并部分延伸至所述氧化层上；
在所述氧化层远离所述肖特基结的两端进行蚀刻形成防水槽；
在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘彦涛，孟鹤，邢文超，杨硕，杨旭，魏春雨，吕飞，王斌，姜舫，宋美丽，
申请(专利权)人：吉林华微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22