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本申请实施例提供一种肖特基二极管及其制造方法，涉及半导体器件制造领域。本实施例中，通过在氧化层开设朝向外延层凹陷的防水槽，并在氧化层上制作填充于防水槽并在该防水槽对应的位置处形成与防水槽相互咬合并凸起的钝化层。钝化层与氧化层通过上述凹凸咬合...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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