一种基于应变的光集成器件结构制造技术

本发明专利技术涉及一种基于应变的光集成器件结构。该结构包括：硅衬底(001)；LED(10)、波导(20)、探测器(30)、NMOS器件(40)和PMOS器件(50)，均依次横向设置在所述硅衬底(001)上；两个第一沟槽(0021)，设置在所述硅衬底(001)上，并位于所述LED(10)、波导(20)、探测器(30)的两侧；第一沟槽(0022)，设置在所述NMOS器件(40)和所述PMOS器件(50)的中间；两个第三沟槽(016)，设置在所述波导(20)的两侧；应力氮化硅膜，设置在所述波导(20)、所述探测器(30)、所述NMOS器件(40)和所述PMOS器件(50)上。本发明专利技术将LED、波导、探测器、NMOS器件以及PMOS器件集成到一块衬底上集成到一块衬底上制作形成基于应变的光集成器件，器件结构新颖兼容性好、器件集成度高、工艺成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种基于应变的光集成器件结构
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种基于应变的光集成器件结构。
技术介绍
光电探测器是利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。随着大规模集成电路技术的发展，器件特征尺寸不断减小，集成规模越来越大，信息处理能力不断增强，如何在单个芯片上实现光电探测器件即光器件和MOS器件的集成成为亟待解决的问题。
技术实现思路
因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本专利技术提出一种一种基于应变的光集成器件结构。具体地，本专利技术一个实施例提出的一种基于应变的光集成器件结构，包括：硅衬底001；LED10、波导20、探测器30、NMOS器件40和PMOS器件50，均依次横向设置在所述硅衬底001上；两个第一沟槽0021，设置在所述硅衬底001上，并位于所述LED10、波导20、探测器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于应变的光集成器件结构，其特征在于，包括：/n硅衬底(001)；/nLED(10)、波导(20)、探测器(30)、NMOS器件(40)和PMOS器件(50)，均依次横向设置在所述硅衬底(001)上；/n两个第一沟槽(0021)，设置在所述硅衬底(001)上，并位于所述LED(10)、波导(20)、探测器(30)的两侧；/n第一沟槽(0022)，设置在所述NMOS器件(40)和所述PMOS器件(50)的中间；/n两个第三沟槽(016)，设置在所述波导(20)的两侧；/n应力氮化硅膜，设置在所述波导(20)、所述探测器(30)、所述NMOS器件(40)和所述PMOS器件(50)上。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于应变的光集成器件结构，其特征在于，包括：
硅衬底(001)；
LED(10)、波导(20)、探测器(30)、NMOS器件(40)和PMOS器件(50)，均依次横向设置在所述硅衬底(001)上；
两个第一沟槽(0021)，设置在所述硅衬底(001)上，并位于所述LED(10)、波导(20)、探测器(30)的两侧；
第一沟槽(0022)，设置在所述NMOS器件(40)和所述PMOS器件(50)的中间；
两个第三沟槽(016)，设置在所述波导(20)的两侧；
应力氮化硅膜，设置在所述波导(20)、所述探测器(30)、所述NMOS器件(40)和所述PMOS器件(50)上。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述LED(10)包括依次设置的第三外延层(008)、第一Ge层(009)和第一台阶部分。


3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一台阶部分包括依次设置的第一本征Ge层(010)、本征GeSn合金层(011)、第二本征Ge层(012)、第二Ge层(013)、n型Si层(014)和第二氧化层(015)。


4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述探测器(30)包括依次设置的所述第三外延层(008)、所述第一Ge层(009)和第二台阶部分。


5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二台阶部分包括依次设置的所述第一本征Ge层(010)、所述本征GeSn合金层(011)、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹晓雪，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61