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本发明涉及一种基于应变的光集成器件结构。该结构包括：硅衬底(001)；LED(10)、波导(20)、探测器(30)、NMOS器件(40)和PMOS器件(50)，均依次横向设置在所述硅衬底(001)上；两个第一沟槽(0021)，设置在所述硅衬...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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