【技术实现步骤摘要】
半导体集成器件的阱制备方法和阱注入光罩组
本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种半导体集成器件的阱制备方法和阱注入光罩组。
技术介绍
传统的CMOS集成电路工艺流程通常包含中压(MV)器件、低压(LV)器件、标压(RV)器件以及存储器件(例如SRAM)，且目前半导体制造工艺针对不同器件都需要通过相应的光刻和离子注入等过程，在衬底特定的器件区域形成对应的阱，进而最终在特定的器件区域形成所需要的器件。例如，当每种器件均包括NMOS和PMOS晶体管时，制作这种CMOS器件的工艺就包括P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺，以制造N阱和P阱，之后才能分别在N、P阱中制造相应的PMOS和NMOS晶体管。因此，当需要形成标准低功耗平台的中压(MV)器件、低压(LV)器件、标压(RV)器件以及存储器件(例如SRAM)的N阱和P阱时，就需要分别进行八次不同的阱离子注入，才能完成中压(MV)器件的N阱和P阱、低压(LV)器件的N阱和P阱、标压(RV)器件的N阱和P阱以及存储器件的N阱和P阱的制作，其中，请参考图1A至图1D所示，形成标准...
【技术保护点】
1.一种半导体集成器件的阱制备方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底具有至少两个器件区域；/n利用一光罩，在所述半导体衬底上形成图案化的第一掩膜层，且所述第一掩膜层在每个所述器件区域上均具有相应的离子注入开口，且所述第一掩膜层在各个所述器件区域上的开口率不同；/n以所述第一掩膜层为掩膜，对所述半导体衬底进行第一阱离子注入；/n对所述半导体衬底退火，以同时在不同的所述器件区域中形成不同的阱。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体集成器件的阱制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底具有至少两个器件区域；
利用一光罩，在所述半导体衬底上形成图案化的第一掩膜层，且所述第一掩膜层在每个所述器件区域上均具有相应的离子注入开口，且所述第一掩膜层在各个所述器件区域上的开口率不同；
以所述第一掩膜层为掩膜，对所述半导体衬底进行第一阱离子注入；
对所述半导体衬底退火，以同时在不同的所述器件区域中形成不同的阱。
2.如权利要求1所述的阱制备方法，其特征在于，当所述半导体衬底具有两个所需的阱深不同的器件区域时，在所述半导体衬底上形成第一掩膜层之前，所述阱制备方法还包括：
利用所述一光罩，在所述半导体衬底上形成与所述第一掩膜层互补的图案化的第二掩膜层；
以所述第二掩膜层为掩膜，对所述半导体衬底进行第二阱离子注入，且所述第二阱离子注入的深度与所述第一阱离子注入的深度不同；
去除所述第二掩膜层；
且，在对所述半导体衬底退火之后，各个所述器件区域中的所述第一阱离子注入和所述第二阱离子注入的离子扩散后形成具有相应阱深的阱。
3.如权利要求1所述的阱制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层通过所述一光罩对正光刻胶进行光刻形成，所述第二掩膜层通过所述一光罩对负光刻胶进行光刻形成。
4.如权利要求2所述的阱制备方法，其特征在于，对所述半导体衬底进行第一阱离子注入之后且在对所述半导体衬底退火之前，在其中一个所述器件区域的阱中进一步形成多个阱深相同的子阱。
5.如权利要求4所述的阱制备方法，其特征在于，在其中一个所述器件区域的阱中进一步形成多个阱深相同的子阱的步骤包括：
去除所述第一掩膜层；
利用另一光罩，在所述半导体衬底上形成图案化的第三掩膜层，所述器件区域包括至少两个子器件区域，所述第三掩膜层在所述器件区域的各个所述子器件区域上均具有相应的离子注入开口，所述第三掩膜层在各个所述子器件区域上的开口率不相等，且所述第三掩膜层还掩蔽所述器件区域以外的其他器件区域；
以所述第三掩膜层为掩膜，对各个所述子器件区域进行第三阱离子注入；
且在对所述半导体衬底退火之后，在所述器件区域和其他器件区域中形成阱深不同的阱，且在所述器件区域的阱中还形成阱深相同的各个子阱。
6.如权利要求5所述的阱制备方法，其特征在于，各个所述子器件区域包括低压器件区域、标压器件区域和存储器件区域时，所述另一光罩对应在所述低压器件区域、标压器件区域和存储器件区域上的开口率依次增大。...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒲甜松，李庆民，陈信全，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。