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半导体集成器件的阱制备方法和阱注入光罩组技术
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文档序号:24942743
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本发明提供了一种半导体集成器件的阱制备方法和阱注入光罩组,可以利用一特制的光罩,最终实现在不同器件区域中一道形成不同的阱,例如,利用一张特制的光罩,最终在中压器件区域和低压器件区域等所需阱深不同的不同器件区域中一道制作出各个器件区域所需的阱...
该专利属于合肥晶合集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过合肥晶合集成电路有限公司授权不得商用。
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