【技术实现步骤摘要】
氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法
本专利技术涉及一种氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，属于微纳电子器件领域。
技术介绍
当前，二维PN半导体异质结已经成为基础科学和应用物理学的研究重点，它可以通过结合不同材料的优点来实现新的功能，或者通过异质结界面处的高效电荷传输来调控材料的光电性能。因此，二维PN半导体异质结在微电子与光电子领域，如光伏器件、发光器、场效应晶体管等实际应用中有巨大的前景。PN结中存在的内建电场和层间复合将决定器件的整流特性、光伏效应和光检测能力。MoS2作为一种典型的过渡金属硫化物，具有独特的二维层状结构，并凭借其独特的物理特性和光电特性，成为新型功能材料的研究热点。GaN作为典型的Ⅲ族氮化物材料，在紫外探测器、高频高压电力电子器件中均有广泛的应用。将n-MoS2与p-GaN结合在一起制备成PN结，在高性能紫外光电探测器、光学传感器、气体传感器等领域将有广泛的研究前景。目前制备n-MoS2/p-GaN混合尺度PN结的方法有三种。第一种，由传统机械剥离法在p-GaN上制备n-MoS...
【技术保护点】
1.一种氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其步骤包括：/n(1)在衬底上沉积p-GaN层；/n(2)在干净、平整的玻片表面放置PDMS，在胶带的表面铺一层均匀的MoS
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其步骤包括：
(1)在衬底上沉积p-GaN层；
(2)在干净、平整的玻片表面放置PDMS，在胶带的表面铺一层均匀的MoS2片状晶体，用胶带粘有MoS2片状晶体的一面接触PDMS并施压，使MoS2转移到PDMS上形成MoS2膜，揭下胶带，再将步骤(1)制得的器件的p-GaN层表面反扣在PDMS上并施压，使MoS2膜转移到p-GaN层表面，制成氮化镓二硫化钼混合尺度PN结。
2.根据权利要求1所述的氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其特征在于：在进行步骤(2)之前，先在p-GaN层表面的一侧蒸镀金属电极，最后将MoS2膜转移到p-GaN层表面时，将p-GaN层表面未蒸镀电极的一侧反扣在PDMS上，金属电极不与PDMS接触。
3.根据权利要求1或2所述的氮化镓二硫化钼混合尺度PN结的制备方法，其特征在于：在胶带的表面铺一层均匀的MoS2片状晶体具体为：在一...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹玉洁，陈敦军，谢自力，
申请(专利权)人：南京南大光电工程研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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