一种可应用于密集分布环境下的RFID标签制造技术

本发明专利技术公开了一种可应用于密集分布环境下的RFID标签，包括介质基板、射频芯片第一辐射单元、第二辐射单元、第一阻抗匹配单元和第二阻抗匹配单元，第一辐射单元和第二辐射单元为左右对称结构，第一阻抗匹配单元和第二阻抗匹配单元为左右对称结构，第一辐射单元包括第一金属微带线、第二金属微带线、第三金属微带线、第四金属微带线、第五金属微带线、第六金属微带线和第七金属微带线，第一阻抗匹配单元包括第八金属微带线、第九金属微带线和第十金属微带线；优点是可应用于密集分布环境下的RFID标签，在应用于密集分布环境下时仍具有较高的辐射效率。

【技术实现步骤摘要】
一种可应用于密集分布环境下的RFID标签
本专利技术涉及一种RFID标签，尤其是涉及一种可应用于密集分布环境下的RFID标签。
技术介绍
传统RFID技术在某种意义上可以被认为是一种基于标签的、用于识别目标的传感器技术。随着RFID技术的飞速发展，其应用领域越来越广泛，当前已在物联网与智慧城市建设中发挥了重要的作用。射频识别系统(RFID)是一种短距离无线通信系统，主要由读写器、标签和数据处理系统三部分组成。读写器发出执行指令给标签，标签被激活工作，反射出存储有标签信息的射频电波给读写器，读写器接收该射频电波并后将该射频电波发送给数据处理系统，数据处理系统进行数据处理实现标签信息识别。标签设计是整个射频识别系统设计的关键所在，标签的结构和经济成本问题一直制约着射频识别技术的发展。射频识别系统可以按照不同方式进行不同的分类。根据设计原理的不同，射频识别系统可以分为电感耦合式射频识别系统和电磁反向散射式射频识别系统；根据工作频率的不同，射频识别系统可以分为低频(125KHz、134.2KHz)射频识别系统、高频(13.56MHz)射频识别系统、超高频(433MHz,860-960MHz)射频识别系统和微波(2.45GHz、5.8GHz)射频识别系统；根据标签工作方式的不同，又能分为被动式射频识别系统、半主动式射频识别系统及主动式射频识别系统。RFID标签的辐射效率是影响其读取率的重要因素，现有的RFID标签辐射效率一般较低。例如，期刊IEEETRANSACTIONSONANTENNASANDPROPAGATION中公开了名称为PlanarCompactSquare-RingTagAntennaWithCircularPolarizationforUHFRFIDApplications的文献，该文献中公开了的RFID标签的辐射效率仅为64％-82％，且其整体尺寸较大，为54mm×54mm。当RFID标签用于物品管理时，各RFID标签之间的距离会很近，处于密集分布环境下，也就是说各RFID标签处于彼此的近场辐射区，此时各RFID标签不可避免会由于各自磁场间互相耦合而产生相互干扰，以致很多RFID标签的辐射效率进一步下降，最终导致不能被识别。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种可应用于密集分布环境下的RFID标签，该RFID标签在应用于密集分布环境下时仍具有较高的辐射效率。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种可应用于密集分布环境下的RFID标签，包括介质基板和射频芯片，所述的介质基板为长方形结构且具有长边和短边，还包括第一辐射单元、第二辐射单元、第一阻抗匹配单元和第二阻抗匹配单元，将所述的介质基板的长边方向作为左右方向，短边方向作为前后方向，将使所述的介质基板左右对称的平面称为对称平面，所述的第一辐射单元位于所述的对称平面的左侧，所述的第二辐射单元位于所述的对称平面的右侧，所述的第一辐射单元和所述的第二辐射单元相对于所述的对称平面为左右对称结构，所述的第一阻抗匹配单元位于所述的对称平面的左侧，所述的第二阻抗匹配单元位于所述的对称平面的右侧，所述的第一阻抗匹配单元和所述的第二阻抗匹配单元相对于所述的对称平面为左右对称结构；所述的第一辐射单元包括第一金属微带线、第二金属微带线、第三金属微带线、第四金属微带线、第五金属微带线、第六金属微带线和第七金属微带线，所述的第一金属微带线、所述的第二金属微带线、所述的第三金属微带线、所述的第四金属微带线、所述的第五金属微带线、所述的第六金属微带线和所述的第七金属微带线均附着在所述的介质基板的上表面上；所述的第一金属微带线为直角梯形状，所述的第一金属微带线的前端面所在平面与所述的介质基板的前端面所在平面之间具有一段距离，所述的第一金属微带线的前端面所在平面与所述的介质基板的前端面所在平面平行，所述的第一金属微带线的左端面所在平面、所述的第一金属微带线的右端面所在平面分别与所述的介质基板的左端面所在平面平行，所述的第一金属微带线的右端面所在平面与所述的对称平面之间具有一段距离，所述的第一金属微带线的左端面沿前后方向的长度大于所述的第一金属微带线的右端面沿前后方向的长度，所述的第一金属微带线的右端面所在平面与所述的第一金属微带线的左端面所在平面之间的距离小于所述的第一金属微带线的右端面沿前后方向的长度。所述的第二金属微带线为矩形状，所述的第二金属微带线位于所述的第一金属微带线的左侧，所述的第二金属微带线的前端面与所述的第一金属微带线的前端面位于同一平面，所述的第二金属微带线的右端面与所述的第一金属微带线的左端面贴合连接，所述的第二金属微带线的右端面所在平面与所述的第二金属微带线的左端面所在平面之间的距离大于所述的第一金属微带线的左端面沿前后方向的长度，所述的第二金属微带线的前端面所在平面与所述的第二金属微带线的后端面所在平面之间的距离小于所述的第一金属微带线右端面所在平面与所述的第一金属微带线的左端面所在平面之间的距离。所述的第三金属微带线为矩形状，所述的第三金属微带线位于所述的第二金属微带线的左侧，所述的第三金属微带线的前端面与所述的第二金属微带线的前端面位于同一平面，所述的第三金属微带线的右端面与所述的第二金属微带线的左端面贴合连接，所述的第三金属微带线的左端面所在平面与所述的介质基板的左端面所在平面之间具有一段距离，所述的第三金属微带线的后端面所在平面与所述的介质基板的后端面所在平面之间具有一段距离,所述的第四金属微带线为矩形状，所述的第四金属微带线的后端面与所述的第三金属微带线的后端面位于同一平面，所述的第四金属微带线的左端面与所述的第三金属微带线的右端面贴合连接，所述的第四金属微带线的右端面所在平面与所述的第四金属微带线的左端面所在平面之间的距离小于所述的第二金属微带线的右端面所在平面与所述的第二金属微带线的左端面所在平面之间的距离，所述的第四金属微带线的前端面所在平面与所述的第四金属微带线的后端面所在平面之间的距离等于所述的第二金属微带线的前端面所在平面与所述的第二金属微带线的后端面所在平面之间的距离，所述的第五金属微带线为梯形状，所述的第五金属微带线位于所述的第四金属微带线的前侧，所述的第五金属微带线的左端面所在平面、所述的第五金属微带线的右端面所在平面均与所述的介质基板的左端面所在平面平行，所述的第五金属微带线的右端面与所述的第一金属微带线的左端面贴合连接，所述的第五金属微带线的后端面与所述的第一金属微带线的后端面位于同一平面，所述的第五金属微带线的前端面与所述的第一金属微带线的左端面之间的夹角为钝角，所述的第五金属微带线的右端面沿前后方向的长度大于所述的第五金属微带线的左端面沿前后方向的长度，所述的第六金属微带线为直角梯形状，所述的第六金属微带线的前端面所在平面与所述的介质基板的前端面所在平面平行，所述的第六金属微带线的前端面所在平面与所述的第二金属微带线的后端面所在平面之间具有一段距离，所述的第六金属微带线的左端面所在平面、所述的第六金属微带线的右端面所在平面分别与所述的介质基板的左端面所在平面平行，所述的第六金属微带线的后端面与所述的第五本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可应用于密集分布环境下的RFID标签，包括介质基板和射频芯片，所述的介质基板为长方形结构且具有长边和短边，其特征在于还包括第一辐射单元、第二辐射单元、第一阻抗匹配单元和第二阻抗匹配单元，将所述的介质基板的长边方向作为左右方向，短边方向作为前后方向，将使所述的介质基板左右对称的平面称为对称平面，所述的第一辐射单元位于所述的对称平面的左侧，所述的第二辐射单元位于所述的对称平面的右侧，所述的第一辐射单元和所述的第二辐射单元相对于所述的对称平面为左右对称结构，所述的第一阻抗匹配单元位于所述的对称平面的左侧，所述的第二阻抗匹配单元位于所述的对称平面的右侧，所述的第一阻抗匹配单元和所述的第二阻抗匹配单元相对于所述的对称平面为左右对称结构；/n所述的第一辐射单元包括第一金属微带线、第二金属微带线、第三金属微带线、第四金属微带线、第五金属微带线、第六金属微带线和第七金属微带线，所述的第一金属微带线、所述的第二金属微带线、所述的第三金属微带线、所述的第四金属微带线、所述的第五金属微带线、所述的第六金属微带线和所述的第七金属微带线均附着在所述的介质基板的上表面上；所述的第一金属微带线为直角梯形状，所述的第一金属微带线的前端面所在平面与所述的介质基板的前端面所在平面之间具有一段距离，所述的第一金属微带线的前端面所在平面与所述的介质基板的前端面所在平面平行，所述的第一金属微带线的左端面所在平面、所述的第一金属微带线的右端面所在平面分别与所述的介质基板的左端面所在平面平行，所述的第一金属微带线的右端面所在平面与所述的对称平面之间具有一段距离，所述的第一金属微带线的左端面沿前后方向的长度大于所述的第一金属微带线的右端面沿前后方向的长度，所述的第一金属微带线的右端面所在平面与所述的第一金属微带线的左端面所在平面之间的距离小于所述的第一金属微带线的右端面沿前后方向的长度。所述的第二金属微带线为矩形状，所述的第二金属微带线位于所述的第一金属微带线的左侧，所述的第二金属微带线的前端面与所述的第一金属微带线的前端面位于同一平面，所述的第二金属微带线的右端面与所述的第一金属微带线的左端面贴合连接，所述的第二金属微带线的右端面所在平面与所述的第二金属微带线的左端面所在平面之间的距离大于所述的第一金属微带线的左端面沿前后方向的长度，所述的第二金属微带线的前端面所在平面与所述的第二金属微带线的后端面所在平面之间的距离小于所述的第一金属微带线右端面所在平面与所述的第一金属微带线的左端面所在平面之间的距离。所述的第三金属微带线为矩形状，所述的第三金属微带线位于所述的第二金属微带线的左侧，所述的第三金属微带线的前端面与所述的第二金属微带线的前端面位于同一平面，所述的第三金属微带线的右端面与所述的第二金属微带线的左端面贴合连接，所述的第三金属微带线的左端面所在平面与所述的介质基板的左端面所在平面之间具有一段距离，所述的第三金属微带线的后端面所在平面与所述的介质基板的后端面所在平面之间具有一段距离,所述的第四金属微带线为矩形状，所述的第四金属微带线的后端面与所述的第三金属微带线的后端面位于同一平面，所述的第四金属微带线的左端面与所述的第三金属微带线的右端面贴合连接，所述的第四金属微带线的右端面所在平面与所述的第四金属微带线的左端面所在平面之间的距离小于所述的第二金属微带线的右端面所在平面与所述的第二金属微带线的左端面所在平面之间的距离，所述的第四金属微带线的前端面所在平面与所述的第四金属微带线的后端面所在平面之间的距离等于所述的第二金属微带线的前端面所在平面与所述的第二金属微带线的后端面所在平面之间的距离，所述的第五金属微带线为梯形状，所述的第五金属微带线位于所述的第四金属微带线的前侧，所述的第五金属微带线的左端面所在平面、所述的第五金属微带线的右端面所在平面均与所述的介质基板的左端面所在平面平行，所述的第五金属微带线的右端面与所述的第一金属微带线的左端面贴合连接，所述的第五金属微带线的后端面与所述的第一金属微带线的后端面位于同一平面，所述的第五金属微带线的前端面与所述的第一金属微带线的左端面之间的夹角为钝角，所述的第五金属微带线的右端面沿前后方向的长度大于所述的第五金属微带线的左端面沿前后方向的长度，所述的第六金属微带线为直角梯形状，所述的第六金属微带线的前端面所在平面与所述的介质基板的前端面所在平面平行，所述的第六金属微带线的前端面所在平面与所述的第二金属微带线的后端面所在平面之间具有一段距离，所述的第六金属微带线的左端面所在平面、所述的第六金属微带线的右端面所在平面分别与所述的介质基板的左端面所在平面平行，所述的第六金属微带线的后端面与所述的第五金属微带线的后端面位于同一平面，所述的第六金属微带线的右端面与所述的第五金属微带线的左端面贴合连接，所述的第六金属微带线的左...

【技术特征摘要】
1.一种可应用于密集分布环境下的RFID标签，包括介质基板和射频芯片，所述的介质基板为长方形结构且具有长边和短边，其特征在于还包括第一辐射单元、第二辐射单元、第一阻抗匹配单元和第二阻抗匹配单元，将所述的介质基板的长边方向作为左右方向，短边方向作为前后方向，将使所述的介质基板左右对称的平面称为对称平面，所述的第一辐射单元位于所述的对称平面的左侧，所述的第二辐射单元位于所述的对称平面的右侧，所述的第一辐射单元和所述的第二辐射单元相对于所述的对称平面为左右对称结构，所述的第一阻抗匹配单元位于所述的对称平面的左侧，所述的第二阻抗匹配单元位于所述的对称平面的右侧，所述的第一阻抗匹配单元和所述的第二阻抗匹配单元相对于所述的对称平面为左右对称结构；
所述的第一辐射单元包括第一金属微带线、第二金属微带线、第三金属微带线、第四金属微带线、第五金属微带线、第六金属微带线和第七金属微带线，所述的第一金属微带线、所述的第二金属微带线、所述的第三金属微带线、所述的第四金属微带线、所述的第五金属微带线、所述的第六金属微带线和所述的第七金属微带线均附着在所述的介质基板的上表面上；所述的第一金属微带线为直角梯形状，所述的第一金属微带线的前端面所在平面与所述的介质基板的前端面所在平面之间具有一段距离，所述的第一金属微带线的前端面所在平面与所述的介质基板的前端面所在平面平行，所述的第一金属微带线的左端面所在平面、所述的第一金属微带线的右端面所在平面分别与所述的介质基板的左端面所在平面平行，所述的第一金属微带线的右端面所在平面与所述的对称平面之间具有一段距离，所述的第一金属微带线的左端面沿前后方向的长度大于所述的第一金属微带线的右端面沿前后方向的长度，所述的第一金属微带线的右端面所在平面与所述的第一金属微带线的左端面所在平面之间的距离小于所述的第一金属微带线的右端面沿前后方向的长度。所述的第二金属微带线为矩形状，所述的第二金属微带线位于所述的第一金属微带线的左侧，所述的第二金属微带线的前端面与所述的第一金属微带线的前端面位于同一平面，所述的第二金属微带线的右端面与所述的第一金属微带线的左端面贴合连接，所述的第二金属微带线的右端面所在平面与所述的第二金属微带线的左端面所在平面之间的距离大于所述的第一金属微带线的左端面沿前后方向的长度，所述的第二金属微带线的前端面所在平面与所述的第二金属微带线的后端面所在平面之间的距离小于所述的第一金属微带线右端面所在平面与所述的第一金属微带线的左端面所在平面之间的距离。所述的第三金属微带线为矩形状，所述的第三金属微带线位于所述的第二金属微带线的左侧，所述的第三金属微带线的前端面与所述的第二金属微带线的前端面位于同一平面，所述的第三金属微带线的右端面与所述的第二金属微带线的左端面贴合连接，所述的第三金属微带线的左端面所在平面与所述的介质基板的左端面所在平面之间具有一段距离，所述的第三金属微带线的后端面所在平面与所述的介质基板的后端面所在平面之间具有一段距离,所述的第四金属微带线为矩形状，所述的第四金属微带线的后端面与所述的第三金属微带线的后端面位于同一平面，所述的第四金属微带线的左端面与所述的第三金属微带线的右端面贴合连接，所述的第四金属微带线的右端面所在平面与所述的第四金属微带线的左端面所在平面之间的距离小于所述的第二金属微带线的右端面所在平面与所述的第二金属微带线的左端面所在平面之间的距离，所述的第四金属微带线的前端面所在平面与所述的第四金属微带线的后端面所在平面之间的距离等于所述的第二金属微带线的前端面所在平面与所述的第二金属微带线的后端面所在平面之间的距离，所述的第五金属微带线为梯形状，所述的第五金属微带线位于所述的第四金属微带线的前侧，所述的第五金属微带线的左端面所在平面、所述的第五金属微带线的右端面所在平面均与所述的介质基板的左端面所在平面平行，所述的第五金属微带线的右端面与所述的第一金属微带线的左端面贴合连接，所述的第五金属微带线的后端面与所述的第一金属微带线的后端面位于同一平面，所述的第五金属微带线的前端面与所述的第一金属微带线的左端面之间的夹角为钝角，所述的第五金属微带线的右端面沿前后方向的长度大于所述的第五金属微带线的左端面沿前后方向的长度，所述的第六金属微带线为直角梯形状，所述的第六金属微带线的前端面所在平面与所述的介质基板的前端面所在平面平行，所述的第六金属微带线的前端面所在平面与所述的第二金属微带线的后端面所在平面之间具有一段距离，所述的第六金属微带线的左端面所在平面、所述的第六金属微带线的右端面所在平面分别与所述的介质基板的左端面所在平面平行，所述的第六金属微带线的后端面与所述的第五金属微带线的后端面位于同一平面，所述的第六金属微带线的右端面与所述的第五金属微带线的左端面贴合连接，所述的第六金属微带线的左端面所在平面与所述的第三金属微带线的右端面所在平面之间具有一段距离，所述的第六金属微带线的右端面所在平面与所述的第六金属微带线的左端面所在平面之间的距离等于所述的第一金属微带线的右端面所在平面与所述的第一金属微带线的左端面所在平面之间的距离，所述的第六金属微带线的左端面沿前后方向的长度大于所述的第六金属微带线的右端面沿前后方向的长度，所述的第七金属微带线为矩形状，所述的第七金属微带线位于所述的第六金属微带线的右侧，所述的第七金属微带线的前端面与所述的第六金属微带线的前端面位于同一平面，所述的第七金属微带线的左端面与所述的第六金属微带线的右端面贴合连接，所述的第七金属微带线的右端面所在平面与所述的第一金属微带线的左端面所在...

【专利技术属性】
技术研发人员：华昌洲，靳翔宇，邓元明，伯林，林超，陆振君，
申请(专利权)人：上扬无线射频科技扬州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32