一种应用于RFID的改善后瓣性能宽带基片集成波导天线制造技术

技术编号:33312304 阅读:40 留言:0更新日期:2022-05-06 12:25
本发明专利技术公开了一种应用于RFID的改善后瓣性能宽带基片集成波导天线,包括介质板,所述介质板的顶部为金属地板,金属地板中心刻蚀带有对称枝节的长条形缝隙,所述介质板的底部设置有金属缺陷地板和微带馈电线,微带馈电线的终端与50Ω的SMA接头相连。其中,金属缺陷地板在微带馈电线的四周分布正方形金属贴片,引入了额外的辐射模式,有效地展宽了天线的工作带宽。本发明专利技术提高了传统缝隙天线的增益,降低天线前后比,提升辐射性能。提升辐射性能。提升辐射性能。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于RFID的改善后瓣性能宽带基片集成波导天线


[0001]本专利技术属于波导天线
,涉及应用于RFID的多模宽带基片集成波导天线。

技术介绍

[0002]微带缝隙耦合天线由于其较宽的工作频带,稳定的辐射性能,完善的多模辐射理论以及简单的结构设计一直受到了科研人员的关注和广泛的应用。但是,传统的微带缝隙耦合天线一般由位于介质板下层的馈电线通过上层的缝隙进行能量的辐射,所以该天线通常为双向辐射模式,后向辐射比较大,能量损失较多,影响着天线的辐射性能,因此,如何在不额外增加背腔的前提下,有效减小后向辐射,提升天线增益,是一项持续的难题。
[0003]目前,基片集成波导(SIW)技术是以加拿大蒙特利尔大学吴柯教授的课题组和东南大学毫米波国家重点实验室洪伟教授的课题组为主所倡导的一种新技术。具有质量轻、易集成、成本低、损耗小、低剖面、易于与电路板共形等优点,SIW是一种可以集成于介质基片中的具有低插损、低辐射等特性的新型导波结构,它是通过在上下底面为金属层的低损耗介质基片上,利用金属化通孔排列而实现的,其目的是在介质基片上实现传统金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于RFID的改善后瓣性能宽带基片集成波导天线,包括介质板,所述介质板的顶部为金属地板,所述金属地板的中心刻蚀有长条形缝隙;其特征在于,所述介质板的底部为金属缺陷地板和微带馈电线,所述金属缺陷地板的中间刻蚀有M
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M排列的间隙,使得金属缺陷地板中间形成方形金属贴片单元,所述金属贴片单元的一端在x向的中心设有间隔,所述微带馈电线位于间隔内;在z向的投影上,所述缝隙位于金属贴片单元在y向的中心,且所述微带馈电线和缝隙的中心重合,所述微带馈电线的馈电线终端与SMA接头相连。2.如权利要求1所述的一种应用于RFID的改善后瓣性能宽带基片集成波导天线,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴婷魏峰伯林杨熙林超孙升琦陆振君
申请(专利权)人:上扬无线射频科技扬州有限公司
类型:发明
国别省市:

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