【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置
本公开涉及显示
，具体而言，涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称：TFT-LCD)已在平板显示领域中占据了主导地位。但目前，专利技术人在研究过程中发现，TFT-LCD中显示区的周边在外围走线区影响下，容易出现摩擦取向阴影和液晶扩散不均匀等情况，使得显示区的周边不能正常显示，出现周边暗态漏光或者亮态暗区等不良情况，降低了显示产品良率。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分专利技术的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种阵列基板及显示装置，提高显示产品良率。根据本公开的一个方面，提供了一种阵列基板，具有显示区和设置在所述显示区至少一侧的外围走线区，其中，所述阵列基板包括衬底基板，所述显示区包括形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管及公共电极；所述...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，具有显示区和设置在所述显示区至少一侧的外围走线区，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板，所述显示区包括形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管及公共电极；所述外围走线区包括形成在所述衬底基板上的第一引线、栅极信号线及公共信号线；/n所述薄膜晶体管包括栅极，所述第一引线与所述栅极同层设置并电连接；/n所述栅极信号线位于所述第一引线背离所述衬底基板的一侧，并通过第一转接结构与所述第一引线电连接；/n所述公共信号线位于所述第一引线背离所述衬底基板的一侧，以及位于所述栅极信号线靠近所述显示区的一侧，所述公共信号线与所述公共电极电连接；/n其中，所述第一转接结构位于所述公共...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，具有显示区和设置在所述显示区至少一侧的外围走线区，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板，所述显示区包括形成在所述衬底基板上的薄膜晶体管及公共电极；所述外围走线区包括形成在所述衬底基板上的第一引线、栅极信号线及公共信号线；
所述薄膜晶体管包括栅极，所述第一引线与所述栅极同层设置并电连接；
所述栅极信号线位于所述第一引线背离所述衬底基板的一侧，并通过第一转接结构与所述第一引线电连接；
所述公共信号线位于所述第一引线背离所述衬底基板的一侧，以及位于所述栅极信号线靠近所述显示区的一侧，所述公共信号线与所述公共电极电连接；
其中，所述第一转接结构位于所述公共信号线远离所述显示区的一侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一转接结构包括：
至少一个第一过孔，其在所述衬底基板上的正投影位于所述栅极信号线在所述衬底基板上的正投影内，且所述第一过孔至少暴露出部分所述栅极信号线；
至少一个第二过孔，其在所述衬底基板上的正投影位于所述第一引线在所述衬底基板上的正投影内，且所述第二过孔至少暴露出部分所述第一引线；
第一转接部，位于所述栅极信号线远离衬底基板的一侧，所述第一转接部通过所述第一过孔与所述栅极信号线电连接，并通过所述第二过孔与所述第一引线电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共信号线和所述栅极信号线在第一方向上延伸；
所述第一引线包括在所述第一方向上延伸的第一转接引线段及在第二方向上延伸的第一主引线段，所述第一转接引线段在所述衬底基板的正投影位于所述栅极信号线与所述公共信号线在所述衬底基板上的正投影之间；所述第一主引线段分别与所述第一转接引线段及所述薄膜晶体管的栅极电连接，且所述第一主引线段在所述衬底基板上的正投影与所述公共信号线在所述衬底基板上的正投影存在交叠；
其中，所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一转接引线段在所述衬底基板上的正投影内；且所述第二方向与所述第一方向相交。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一过孔设置有多个并在所述第一方向上间隔排布；
所述第二过孔设置有多个并在所述第一方向上间隔排布。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述显示区还包括像素电极，所述薄膜晶体管包括漏电极，所述像素电极位于所述漏电极远离所述衬底基板的一侧，并与所述漏电极相连接；
所述第一转接部与所述像素电极同层...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄建华，赵重阳，孙志华，缪应蒙，曲莹莹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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