阵列基板及其制备方法、液晶显示面板技术

本申请提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板，阵列基板包括衬底、驱动电路层、像素电极层和散光层，驱动电路层形成在衬底一侧；像素电极层形成在驱动电路层远离衬底的一侧，包括阵列分布且相互独立的多个像素电极，像素电极包括远离衬底的一侧的电极表面；散光层形成在像素电极层远离驱动电路层的一侧，包括阵列分布且相互连接的多个散光构件，散光构件与像素电极对应，散光构件包括远离像素电极一侧的出光面，出光面的面积大于电极表面的面积。通过在像素电极上形成散光层，且散光层的出光面面积大于像素电极的电极表面面积，后续形成液晶显示面板后背光模组发出的光线进入散光层，在出光面上发生折射，因此增大了出光角度，增大了视角。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、液晶显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板。
技术介绍
随着显示领域中高端机种的导入及客户的需求，对面板的可视角要求越来越严格。垂直取向模式(VerticalAlignment，VA)液晶显示面板中像素电极为平面设计，当观察者位于大视角范围时，由于VA液晶本身的性能影响，会造成侧视效果远差于正视效果。目前VA液晶显示面板中，像素电极采用多畴设计来取代单畴设计，以提升可视角要求。为了达到较佳的视角表现，在像素电极为四畴时，调低整个面板中部分像素的亮度，或者在像素电极为八畴时，调低每个像素中辅像素的亮度，但两种方法均会牺牲各个灰阶的穿透率表现，无法满足客户需求。因此，现有的液晶显示面板存在视角较小的技术问题，需要改进。
技术实现思路
本申请提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板，用于解决现有液晶显示面板中视角较小的技术问题。本申请提供一种阵列基板，包括：衬底；驱动电路层，形成在所述衬底一侧；像素电极层，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，包括阵列分布且相互独立的多个像素电极，所述像素电极包括远离所述衬底一侧的电极表面；散光层，形成在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧，包括阵列分布且相互连接的多个散光构件，所述散光构件与所述像素电极对应，所述散光构件包括远离所述像素电极一侧的出光面，所述出光面的面积大于所述电极表面的面积。在本申请的阵列基板中，所述散光层为透明材料。在本申请的阵列基板中，所述透明材料为正性光阻或负性光阻。在本申请的阵列基板中，所述出光面为凸面。在本申请的阵列基板中，所述出光面为凹面。在本申请的阵列基板中，所述像素电极为平面结构或狭缝结构。本申请还提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底一侧制备驱动电路层；在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧制备像素电极层，所述像素电极层包括阵列分布且相互独立的多个像素电极，所述像素电极包括远离所述衬底一侧的电极表面；在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧制备散光层，所述散光层包括阵列分布且相互连接的多个散光构件，所述散光构件与所述像素电极对应，所述散光构件包括远离所述像素电极一侧的出光面，所述出光面的面积大于所述电极表面的面积。在本申请的阵列基板的制备方法中，所述在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧制备散光层，所述散光层包括阵列分布且相互连接的多个散光构件，所述散光构件与所述像素电极对应，所述散光构件包括远离所述像素电极一侧的出光面，所述出光面的面积大于所述电极表面的面积的步骤，包括：在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧涂布正性光阻；通过掩膜版对所述正性光阻进行曝光，所述掩膜版包括遮光区和透光区，所述遮光区对应所述像素电极，所述透光区对应相邻所述像素电极之间的区域；对所述正性光阻进行显影，去除所述透光区对应的正性光阻；对所述正性光阻进行烘烤，形成阵列分布且相互连接的多个散光构件，所述散光构件与所述像素电极对应，所述散光构件远离所述像素电极一侧的出光面形成凸面。在本申请的阵列基板的制备方法中，所述在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧制备散光层，所述散光层包括阵列分布且相互连接的多个散光构件，所述散光构件与所述像素电极对应，所述散光构件包括远离所述像素电极一侧的出光面，所述出光面的面积大于所述电极表面的面积的步骤，包括：在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧涂布正性光阻；通过掩膜版对所述正性光阻进行曝光，所述掩膜版包括遮光区和透光区，所述透光区对应所述像素电极的部分区域，所述部分区域包括相互独立的第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域对应所述像素电极的中间区域，所述第二区域和所述第三区域位于所述第一区域两侧，所述遮光区对应所述像素电极的另一部分区域、以及相邻所述像素电极之间的区域；对所述正性光阻进行显影，去除所述透光区对应的正性光阻；对所述正性光阻进行烘烤，形成阵列分布且相互连接的多个散光构件，所述散光构件与所述像素电极对应，所述散光构件远离所述像素电极一侧的出光面形成凹面。本申请还提供一种液晶显示面板，包括对盒设置的第一基板、第二基板和填充在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层，所述第一基板包括：衬底；驱动电路层，形成在所述衬底一侧；像素电极层，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，包括阵列分布且相互独立的多个像素电极，所述像素电极包括远离所述衬底一侧的电极表面；散光层，形成在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧，包括阵列分布且相互连接的多个散光构件，所述散光构件与所述像素电极对应，所述散光构件包括远离所述像素电极一侧的出光面，所述出光面的面积大于所述电极表面的面积。本申请的有益效果：本申请提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示面板，阵列基板包括衬底、驱动电路层、像素电极层和散光层，驱动电路层形成在衬底一侧；像素电极层形成在驱动电路层远离衬底的一侧，包括阵列分布且相互独立的多个像素电极，像素电极包括远离衬底的一侧的电极表面；散光层形成在像素电极层远离驱动电路层的一侧，包括阵列分布且相互连接的多个散光构件，散光构件与像素电极对应，散光构件包括远离像素电极一侧的出光面，出光面的面积大于电极表面的面积。通过在像素电极上形成散光层，且散光层的出光面面积大于像素电极的电极表面面积，后续形成液晶显示面板后，背光模组发出的光线进入散光层，在出光面上发生折射，因此增大了出光角度，增大了视角。附图说明下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。图1为本申请实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图。图2为本申请实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图。图3为本申请实施例提供的阵列基板中像素电极的平面结构示意图。图4为光线经过平面、凸面和凹面的传播示意图。图5为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。图6为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的第一阶段示意图。图7为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的第二阶段第一种示意图。图8为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的第三阶段第一种示意图。图9为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的第四阶段第一种示意图。图10为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的第二阶段第二种示意图。图11为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的第三阶段第二种示意图。图12为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法的第四阶段第二种示意图。图13为本申请实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。图14为本申请实施例提供的液晶显示面板的另一种结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底；/n驱动电路层，形成在所述衬底一侧；/n像素电极层，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，包括阵列分布且相互独立的多个像素电极，所述像素电极包括远离所述衬底一侧的电极表面；/n散光层，形成在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧，包括阵列分布且相互连接的多个散光构件，所述散光构件与所述像素电极对应，所述散光构件包括远离所述像素电极一侧的出光面，所述出光面的面积大于所述电极表面的面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
驱动电路层，形成在所述衬底一侧；
像素电极层，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，包括阵列分布且相互独立的多个像素电极，所述像素电极包括远离所述衬底一侧的电极表面；
散光层，形成在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧，包括阵列分布且相互连接的多个散光构件，所述散光构件与所述像素电极对应，所述散光构件包括远离所述像素电极一侧的出光面，所述出光面的面积大于所述电极表面的面积。


2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述散光层为透明材料。


3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述透明材料为正性光阻或负性光阻。


4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述出光面为凸面。


5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述出光面为凹面。


6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极为平面结构或狭缝结构。


7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底一侧制备驱动电路层；
在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧制备像素电极层，所述像素电极层包括阵列分布且相互独立的多个像素电极，所述像素电极包括远离所述衬底一侧的电极表面；
在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧制备散光层，所述散光层包括阵列分布且相互连接的多个散光构件，所述散光构件与所述像素电极对应，所述散光构件包括远离所述像素电极一侧的出光面，所述出光面的面积大于所述电极表面的面积。


8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧制备散光层，所述散光层包括阵列分布且相互连接的多个散光构件，所述散光构件与所述像素电极对应，所述散光构件包括远离所述像素电极一侧的出光面，所述出光面的面积大于所述电极表面的面积的步骤，包括：
在所述像素电极层远离所述驱动电路层的一侧涂布正性光阻；
通过掩膜版对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：雍玮娜，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44