一种用于制备掺杂YAG单晶光纤的方法技术

本申请实施例公开了一种用于制备掺杂YAG单晶光纤的方法，包括：将掺杂YAG单晶光纤纤芯置于生长区，将原料置于溶解区；向生长腔体中加入矿化剂，使矿化剂浸没原料和掺杂YAG单晶光纤纤芯；通过两段加热装置分别加热生长区和溶解区；在预设压力下，基于掺杂YAG单晶光纤纤芯和原料生长YAG单晶光纤包层，得到掺杂YAG单晶光纤。根据本申请实施例可以制得表面光滑、直径均匀、具有较高热导率和传输质量的掺杂YAG单晶光纤。

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备掺杂YAG单晶光纤的方法
本申请涉及光纤领域，特别涉及一种用于制备掺杂YAG单晶光纤的方法。
技术介绍
基于光纤结构的激光器因其优良的性能，广泛应用于光电子、光通讯、超导技术等领域。单晶光纤结合了晶体和光纤的优势，具有更加优良的性能，例如，较高的机械强度、较高的热导率、较高的泵浦效率、较高的光束质量、较低的传输损耗等。现有单晶光纤及其纤芯的制备成本较高、操作难度较大，且制得的单晶光纤直径不均匀，导致传输损耗高。因此，需要提供一种改进的单晶光纤的制备方法，以方便快捷地制得直径均匀、具有较高热导率和较低传输损耗的单晶光纤。
技术实现思路
本申请实施例之一提供一种用于制备掺杂YAG单晶光纤的方法。所述方法包括：将掺杂YAG单晶光纤纤芯置于生长腔体的生长区，将原料置于所述生长腔体的溶解区；向所述生长腔体中加入矿化剂，使所述矿化剂浸没所述原料和所述掺杂YAG单晶光纤纤芯；通过两段加热装置分别加热所述生长区和所述溶解区，所述溶解区的温度高于所述生长区的温度；以及在预设压力下，基于所述掺杂YAG单晶光纤纤芯和所述原料，在所述掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制备掺杂YAG单晶光纤的方法，其特征在于，所述方法包括：/n将掺杂YAG单晶光纤纤芯置于生长腔体的生长区，将原料置于所述生长腔体的溶解区；/n向所述生长腔体中加入矿化剂，使所述矿化剂浸没所述原料和所述掺杂YAG单晶光纤纤芯；/n通过两段加热装置分别加热所述生长区和所述溶解区，所述溶解区的温度高于所述生长区的温度；以及/n在预设压力下，基于所述掺杂YAG单晶光纤纤芯和所述原料，在所述掺杂YAG单晶光纤纤芯表面生长YAG单晶光纤包层，得到掺杂YAG单晶光纤。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于制备掺杂YAG单晶光纤的方法，其特征在于，所述方法包括：
将掺杂YAG单晶光纤纤芯置于生长腔体的生长区，将原料置于所述生长腔体的溶解区；
向所述生长腔体中加入矿化剂，使所述矿化剂浸没所述原料和所述掺杂YAG单晶光纤纤芯；
通过两段加热装置分别加热所述生长区和所述溶解区，所述溶解区的温度高于所述生长区的温度；以及
在预设压力下，基于所述掺杂YAG单晶光纤纤芯和所述原料，在所述掺杂YAG单晶光纤纤芯表面生长YAG单晶光纤包层，得到掺杂YAG单晶光纤。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
制备掺杂YAG晶锭；
对所述掺杂YAG晶锭进行切割、研磨、抛光中的至少一种处理，得到掺杂YAG晶棒；以及
将所述掺杂YAG晶棒至少部分浸入酸溶液中，在预设条件下反应预设时间，得到掺杂YAG单晶光纤纤芯。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述酸溶液包括浓磷酸、浓硫酸、浓盐酸中的至少一种。


4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设条件包括预设温度和预设磁力搅拌速率，其中，所述预设温度为200-300℃，所述预设磁力搅拌速率为200rpm-300rpm。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，顾鹏，梁振兴，
申请(专利权)人：眉山博雅新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51